テーマコード選択
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5F003
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バイポーラトランジスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F004
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半導体のドライエッチング
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F005
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サイリスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F031
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ウエハ等の容器，移送，固着，位置決め等
| (カテゴリ:ロボティクス )
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5F032
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素子分離
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F033
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半導体集積回路装置の内部配線
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F034
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半導体または固体装置のマウント
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F035
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半導体又は固体完全装置の支持
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F036
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半導体又は固体装置の冷却等
| (カテゴリ:樹脂加工 )
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5F037
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半導体または固体装置の組立体
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F038
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半導体集積回路
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F039
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本体に特徴のある半導体装置
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F041
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発光ダイオード
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F042
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拡散
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F043
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ウェットエッチング
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F044
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ボンディング
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F045
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気相成長（金属層を除く）
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F046
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半導体の露光（電子、イオン線露光を除く）
| (カテゴリ:応用物理 )
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5F047
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ダイボンディング
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F048
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ＭＯＳＩＣ，バイポーラ・ＭＯＳＩＣ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F049
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受光素子３（フォトダイオード・Ｔｒ）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F050
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圧電、電歪、磁歪装置
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F051
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光起電力装置
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F052
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再結晶化技術
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F053
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半導体装置を構成する物質の液相成長
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F054
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アニール
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F056
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電子ビーム露光
| (カテゴリ:応用物理 )
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5F057
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半導体の機械的処理
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F058
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絶縁膜の形成
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F059
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半導体装置の製造、組立て
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F061
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半導体または固体装置の封緘、被覆の形成
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F063
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ダイシング
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F064
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ＩＣの設計・製造（配線設計等）
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F065
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半導体容器とその封止
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F066
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ダイオード、トランジスタのリードフレーム
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F067
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ＩＣ用リードフレーム
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F068
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チップ間配線
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F069
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温度補償回路等
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F070
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メーザ
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F071
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レーザ（１）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F072
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レーザ（２）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F073
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半導体レーザ
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F080
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三次元集積回路
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F081
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ハイブリッド ＩＣ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F082
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バイポーラＩＣ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F083
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半導体メモリ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F084
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ＳＯＩ，アクティブマトリクス、ＳＯＳ
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F086
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動作に特徴のある半導体
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F087
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ダイオード
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F088
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受光素子１（共通事項、放射線検出）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F089
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フオトカプラ・インタラプタ
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F090
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光ー光変換装置
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F091
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熱電素子
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F092
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ホール／ＭＲ素子
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F093
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オブシンスキー素子
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F094
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ガン効果素子
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F095
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薄膜、厚膜装置
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F096
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有機半導体材料
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F097
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光集積回路
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F101
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不揮発性半導体メモリ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F102
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接合型電界効果トランジスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F103
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半導体装置を構成する物質の物理的析出
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F107
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バンプ電極
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F110
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薄膜トランジスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F111
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縦型ＭＯＳトランジスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F117
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半導体装置の製造処理一般
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F121
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電子デバイス１
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F122
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電子デバイス２
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F123
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電子デバイス３
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F131
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ウエハ等の容器，移送，固着，位置決め等
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F136
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半導体または固体装置の冷却等
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F137
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電子デバイス４
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F138
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電子デバイス５
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F139
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耐圧構造
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F140
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絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F141
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ＬＥＤ素子（パッケージ以外）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F142
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ＬＥＤ素子のパッケージ
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F146
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半導体の露光（電子、イオン線露光を除く）
| (カテゴリ:応用物理 )
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5F148
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電子デバイス６
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F149
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受光素子
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F151
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光起電力装置
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F152
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再結晶化技術
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F157
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半導体の洗浄、乾燥
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F172
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レーザ（２）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F173
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半導体レーザ
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F182
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電子デバイス７
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F184
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電子デバイス８
| (カテゴリ:デバイスプロセス )
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5F188
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光起電力装置・受光素子共通細部
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F196
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有機トランジスタ
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F197
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ＬＥＤ素子の集積装置、組立体、製造方法」
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F211
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電子デバイス９
| (カテゴリ:電子デバイス )
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5F241
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ＬＥＤ素子（パッケージ以外）
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F251
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光起電力装置
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F849
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受光素子
| (カテゴリ:光デバイス )
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5F889
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フォトカプラ・インタラプタ・光光変換装置
| (カテゴリ:光デバイス )
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