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旧５Ｆ００２
| 5F102 | 接合型電界効果トランジスタ | 電子デバイス |
| H10D30/01 ,401;30/47,201;30/80-30/87@Z | ||
| H01L29/80-29/80@Z | FA | FA00 目的・効果＊ |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA07 | FA08 | FA09 | FA10 |
| ・高耐圧化 | ・大電流化 | ・ソース・ドレイン抵抗、コンタクト抵抗の低減 | ・温度特性改善 | ・チャネル表面準位による空之層の防止 | ・サージ入力対策（保護回路）（Ｐ） | ・インピーダンス整合 | ・周辺素子からの影響防止，素子分離 | ・試験・測定（製造中を含む） | ・実装構造の改良（Ｇ） | |||
| FB | FB00 特殊動作＊ |
FB01 | FB02 | FB03 | FB04 | FB05 | FB06 | FB07 | FB10 | |||
| ・ＳＩＴ | ・バリスティック素子 | ・負性抵抗素子 | ・・チャープ素子 | ・トンネル電流制御素子 | ・主電流が電界以外に反応 | ・・光（電磁波）に反応 | ・その他の特殊動作＊ | |||||
| GA | GA00 集積化＊ |
GA01 | GA02 | GA03 | GA04 | GA05 | ||||||
| ・ＦＥＴとＦＥＴ | ・・Ｅ／Ｄ型（エンハンスメント／ディプレション型） | ・・コンプリメンタリ型（相補型） | ・・Ｊ・ＦＥＴ＋ＭＥＳ・ＦＥＴ | ・・ＭＯＳ・ＦＥＴ＋ＭＥＳ・ＦＥＴ | ||||||||
| GA11 | GA12 | GA13 | GA14 | GA15 | GA16 | GA17 | GA18 | GA19 | ||||
| ・ＦＥＴと他の素子・部品 | ・・バイポーラ・トランジスタ（図面） | ・・・ＳＩＴＬを構成するもの | ・・ダイオード（図面） | ・・Ｌ（インダクタンス）（図面） | ・・Ｃ（キャパシタ）（図面） | ・・Ｒ（抵抗）（図面） | ・・ストリップ線路 | ・・発光・受光素子 | ||||
| GB | GB00 主電流経路＊ |
GB01 | GB02 | GB04 | GB05 | GB06 | GB10 | |||||
| ・基板表面に平行（横型ＦＥＴ） | ・・裏面電極取り出し〔Ｕ〕 | ・基板表面に垂直（縦型ＦＥＴ） | ・・メサ側面を流れるもの | ・・埋込みドレイン，ソース（基板表面取出し） | ・その他＊ | |||||||
| GC | GC00 ゲート配置＊ |
GC01 | GC02 | GC03 | GC05 | GC07 | GC08 | GC09 | GC10 | |||
| ・横型ＦＥＴの上部ゲート（図面） | ・横型ＦＥＴの下部ゲート（図面） | ・横型ＦＥＴの側部ゲート（側面からの空乏層制御）（図面） | ・デュアルゲート，多ゲート〔Ｗ〕（図面） | ・縦型ＦＥＴの表面ゲート（図面） | ・縦型ＦＥＴの埋込みゲート（図面） | ・縦型ＦＥＴの切込みゲート | ・その他＊ | |||||
| GD | GD00 ゲート接合のタイプ＊ |
GD01 | GD02 | GD04 | GD05 | GD10 | ||||||
| ・ＭＥＳ型（ショットキ・ゲート型） | ・・逆導電型層を挟んでバリアを高めたもの | ・ｐｎ接合型 | ・・ヘテロゲート | ・その他（ＭＯＳ，擬似ＭＩＳ） | ||||||||
| GJ | GJ00 基板＊ |
GJ01 | GJ02 | GJ03 | GJ04 | GJ05 | GJ06 | GJ09 | GJ10 | |||
| ・半導体材料（半絶縁性材料も含む） ＊ | ・・ＩＶ族 ＊ | ・・・Ｓｉ | ・・ＩＩＩ―Ｖ族 ＊ | ・・・ＧａＡｓ | ・・・ＩｎＰ | ・半導体以外の材料 | ・・絶縁体材料（ガラス，サファイア等） | |||||
| GK | GK00 バッファ層（中間層）＊ |
GK01 | GK02 | GK04 | GK05 | GK06 | GK08 | GK09 | GK10 | |||
| ・単一半導体層 ＊ | ・・ＩＶ族 ＊ | ・・ＩＩＩ―Ｖ族 ＊ | ・・・ＧａＡｓ | ・・・ＧａＡｌＡｓ | ・多層構造（起格子を含む） ＊ | ・格子定数のずれ，格子歪の利用 | ・半導体以外の材料 | |||||
| GL | GL00 チャネル層（主電流が流れる半導体層） |
GL01 | GL02 | GL03 | GL04 | GL05 | GL07 | GL08 | GL09 | GL10 | ||
| ・単一半導体層 ＊ | ・・ＩＶ族 ＊ | ・・・Ｓｉ | ・・ＩＩＩ―Ｖ族 ＊ | ・・・ＧａＡｓ | ・ノンドープ層，高抵抗層 | ・多層構造（起格子を含む） ＊ | ・格子定数のずれ，格子歪の利用 | ・半導体以外の材料 | ||||
| GL11 | GL12 | GL14 | GL15 | GL16 | GL17 | GL18 | GL20 | |||||
| ・非単結晶（多結晶等） | ・・アモルファス | ・材質が不均質なもの | ・・不純物濃度が不均一 | ・・組成（バンドギャップ）が不均一 | ・・厚さ方向（基板垂直）に変化（図面） | ・・Ｓ→Ｄ ソースドレイン方向（表面に平行）に変化 | ・δ（デルタ）ドープ，プレーナ・ドープ | |||||
| GM | GM00 ゲート下介在層（ゲートメタル電極底面とチャネル層表面間に介在する層）＊ |
GM01 | GM02 | GM04 | GM05 | GM06 | GM07 | GM08 | GM09 | GM10 | ||
| ・単一半導体層 ＊ | ・・ＩＶ族 ＊ | ・・ＩＩＩ―Ｖ族 ＊ | ・・・ＧａＡｓ | ・・・ＧａＡｌＡｓ | ・ノンドープ層，高抵抗層 | ・多層構造（起格子を含む） ＊ | ・不純物濃度が不均一 | ・組成（バンドギャップ）が不均一 | ||||
| GN | GN00 表面半導体層（ゲートメタル電極底面より高い位置にある層）＊ |
GN01 | GN02 | GN04 | GN05 | GN06 | GN07 | GN08 | GN09 | GN10 | ||
| ・単一半導体層 ＊ | ・・ＩＶ族 ＊ | ・・ＩＩＩ―Ｖ族 ＊ | ・・・ＧａＡｓ | ・・・ＧａＡｌＡｓ | ・ノンドープ層，高抵抗層 | ・多層構造（起格子を含む） ＊ | ・不純物濃度が不均一 | ・組成（バンドギャップ）が不均一 | ||||
| GQ | GQ00 ヘテロ接合近傍の２次元キャリア層を導電路に利用するもの（Ｈ）＊ |
GQ01 | GQ02 | GQ03 | GQ04 | GQ05 | GQ06 | GQ08 | GQ09 | GQ10 | ||
| ・単一ヘテロ構造 | ・・電子供給層がチャネル層の下 | ・ダブルヘテロ構造 | ・・井戸型ポテンシャル形成 | ・多層ヘテロ構造 | ・・２つのヘテロ接合に対して１つの２次元キャリア層 | ・キャリア層を一次元化するもの（線状キャリア層） | ・キャリアとしてホール（正孔）を利用するも | ・２次元キャリア層に垂直に電流を流すもの | ||||
| GR | GR00 素子構造＊ |
GR01 | GR03 | GR04 | GR06 | GR07 | GR08 | GR09 | GR10 | |||
| ・素子形成にあたり，結晶軸，面方位を選択したもの | ・チャネル層表面が平坦でないもの | ・・リセス構造 | ・半導体基体内に付加領域を設けたもの | ・・不純物領域 | ・・・ウェル領域 | ・・絶縁領域（高抵抗領域を含む） | ・・エッチングストッパとなる層 | |||||
| GR11 | GR12 | GR13 | GR15 | GR16 | GR17 | |||||||
| ・非対称構造 | ・・Ｓ―Ｇ電極間とＤ―Ｇ電極間の距離が異なる | ・・ソースとドレインの形状，不純物濃度が異なる | ・ソース，ドレインの不純物プロファイル又は形状に特徴 | ・・ＬＤＤ構造（チャネルとの間に中間濃度領域形成） | ・ソース，ドレインがチャネルと異なる半導体材料からなる | |||||||
| GS | GS00 ゲート電極構造＊ |
GS01 | GS02 | GS03 | GS04 | GS05 | GS06 | GS07 | GS08 | GS09 | GS10 | |
| ・多層構造 | ・・３層以上 | ・断面形状に特徴（図面） | ・・上部が幅広（Ｔ字状） | ・・下部が幅広（図面） | ・・左右非対称 | ・平面形状に特徴（図面） | ・・リング状（図面） | ・・くし歯状，蛇行状（図面） | ・・格子状（図面） | |||
| GT | GT00 ショットキ接触材料（ゲート電極最下層）（Ｍ） |
GT01 | GT02 | GT03 | GT04 | GT05 | GT06 | GT07 | GT08 | GT10 | ||
| ・金属 | ・・Ａｌ | ・・高融点金属（Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｖ，Ｚｒ） | ・・合金 ＊ | ・シリサイド | ・ナイトライド | ・半導体 | ・・多結晶，多孔質 | ・その他 ＊ | ||||
| GV | GV00 その他の構造＊ |
GV01 | GV02 | GV03 | GV05 | GV06 | GV07 | GV08 | GV09 | |||
| ・空間配線の利用 | ・電極・配線に超電導体を利用 | ・ボンディング・パッド構造 | ・表面保護膜を形成したもの | ・・多層構造 | ・・ＳｉＯ２膜 | ・・Ｓｉ３Ｎ４膜 | ・・ネイティブオキサイド（表面酸化膜） | |||||
| HA | HA00 セルファライン（Ｉ）＊ |
HA01 | HA02 | HA03 | HA04 | HA05 | HA06 | |||||
| ・ゲート電極がマスク | ・・ソース・ドレイン領域形成 | ・・ソース・ドレイン電極形成 | ・ダミーゲートがマスク | ・・ソース・ドレイン領域形成 | ・・ソース・ドレイン電極形成 | |||||||
| HA11 | HA12 | HA13 | HA14 | HA15 | HA20 | |||||||
| ・ソース・ドレイン電極（被着膜）がマスク | ・・チャネル形成 | ・・リセス形成 | ・・ゲート電極形成 | ・・ダミーゲート形成 | ・ゲート，ソース，ドレイン形成領域を予め位置決めしたマスクの利用 | |||||||
| HB | HB00 セルファライン（ＩＩ）・複数の素子部分の形成＊ |
HB01 | HB02 | HB03 | HB04 | HB05 | HB06 | HB07 | HB08 | HB09 | HB10 | |
| ・同時に形成（０３～１０から該当部分選択） | ・同一マスクで形成（０３～１０から該当部分選択） | ・形成する部分 | ・・チャネル | ・・リセス | ・・ゲート不純物領域（ｐｎ接合ゲート） | ・・ゲート電極 | ・・ソース・ドレイン領域 | ・・ソース・ドレイン電極 | ・・ダミーゲート | |||
| HC | HC00 個別プロセス＊ |
HC01 | HC02 | HC03 | HC04 | HC05 | HC06 | HC07 | HC08 | HC09 | HC10 | |
| ・エピタキシャル成長（分子線エピ，ＭＯＣＶＤ等） | ・・選択エピ成長（溝部をエピで埋めるものを含む） | ・・単結晶と多結晶同時形成 | ・デルタドープ，プレーナドープ | ・拡散（固相拡散） | ・・横方向拡散の利用 | ・イオン注入 | ・・斜め方向，特定の方向 | ・・透過マスク，マスク能力の不均一利用 | ・・絶縁層（高比抵抗層）の形成 | |||
| HC11 | HC12 | HC13 | HC15 | HC16 | HC17 | HC18 | HC19 | HC20 | ||||
| ・蒸着，スパッタ | ・・斜め方向からの蒸着（Ｋ） | ・・蒸着の際に段切れを利用するもの | ・エッチング | ・・異方向エッチ，方向性エッチ | ・・オーバエッチ，サイドエッチの利用 | ・側壁の形成（被着部を凸部側面に残す） | ・リフトオフ | ・反転マスクの形成 | ||||
| HC21 | HC22 | HC23 | HC24 | HC26 | HC27 | HC29 | HC30 | |||||
| ・熱処理（アニール） | ・・局部的アニール（レーザ，電子線照射） | ・・レジスト，ガラスの軟化 | ・・合金化，シリサイド化 | ・陽極酸化 | ・多孔質化 | ・露光に特徴のあるもの | ・メッキ |