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Fタームリスト

5F038 半導体集積回路 電子デバイス　　　　
H10D1/00 -1/68;89/00-89/00,101@Z;89/60
H01L27/04-27/04@V AC AC00
キャパシタ 		AC01 AC02 AC03 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AC09 AC10
・構造 ・・電極領域又は電極部分 ・・・半導体領域，拡散領域，不純物など ・・・平面形状，分割電極など ・・・多結晶電極，金属電極 ・・ＰＮ分離，素子分離，寄生容量 ・・素子積層　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・・ＰＮ＋ＭＩＳ ・・・トランジスタ上（スタック型等） ・・溝，凹凸（溝堀型等）
AC11 AC12 AC13 AC14 AC15 AC16 AC17 AC18 AC19 AC20
・キャパシタ誘電体 ・・ＰＮ接合逆バイアス ・・ショットキ ・・誘電体　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・・誘電体材料　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・・多層誘電体膜　　　　　　　　　　　　　＊ ・・・膜厚 ・・・誘電体製法　　　　　　　　　　　　　　＊ ・半導体基板でないもの，容器，混成ＩＣ ・その他のキャパシタ＊
AR AR00
固定抵抗 		AR01 AR02 AR03 AR04 AR05 AR06 AR07 AR08 AR09 AR10
・拡散型 ・・抵抗体不純物濃度分布 ・・素子分離→寄生容量ＡＲ２７ ・・・分離バイアス ・・ピンチ抵抗，ＪＦＥＴ効果 ・薄膜型 ・・抵抗体材料　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・・シリサイド ・・・多結晶半導体 ・・・・多結晶不純物濃度分布
AR11 AR12 AR13 AR14 AR15 AR16 AR17 AR18 AR19 AR20
・拡散型薄膜型共通 ・・抵抗体形状 ・・・角部，長手方向 ・・・縦型，垂直方向 ・・・・界面接触抵抗 ・・・コンタクト部 ・・・溝，凹凸 ・・複合→ＣＲ複合ＡＺ０３ ・・・配線の一部 ・・・素子の一部
AR21 AR22 AR23 AR24 AR25 AR26 AR27 AR28 AR29 AR30
・・複数配置，直並列接続 ・・・単位抵抗 ・・・特性や抵抗値を異ならせたもの ・・ダミー　→ＣＤ１０ ・・素子積層 ・・ＭＯＳ電極，表面電極 ・・寄生容量，寄生防止，ガードリング→ＢＨ０９ ・・温度補償 ・・ピエゾ効果 ・その他抵抗　　　　　　　　　　　　　　＊
AV AV00
可変インピーダンス 		AV01 AV02 AV03 AV04 AV05 AV06 AV07 AV08 AV09 AV10
・可変素子（自身のインピーダンスを使用） ・・トリミング ・・・エネルギービーム ・・ダイオード ・・バイポーラトランジスタ ・・ＭＯＳＦＥＴ ・・・抵抗ゲート ・・・ＥＰＲＯＭ，ＥＥＰＲＯＭ ・用途　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・微調整
AV11 AV12 AV13 AV14 AV15 AV16 AV17 AV18 AV20
・可変回路（他素子のインピーダンスを使用） ・・マスクワーク ・・スイッチ素子による切換 ・・・変更不能 ・・・・ヒューズ，接合破壊 ・・・・書込回路（書込用端子も含む） ・・・変更可能 ・・・・制御回路 ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
AZ AZ00
その他の素子 		AZ01 AZ02 AZ03 AZ04 AZ05 AZ06 AZ07 AZ08 AZ09 AZ10
・分布定数，ストリップライン→ＤＦ０２ ・特定機能素子→回路はＤＦ　　　　　　　＊ ・・ＣＲ複合素子（フィルタ用など） ・インダクタンス ・・等価インダクタンス ・・寄生インダクタンス ・センサ　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・温度検知→ＣＡ０８，ＢＨ１６ ・梁構造 ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
BB BB00
基準電圧 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・電圧生成 ・・スレッシュホールド電圧，ＭＯＳ閾電圧 ・・ツエナ電圧 ・・定電圧回路 ・・分圧 ・・キャパシタによる安定化 ・電圧調整（トリミング等による） ・電圧制御（フィードバック等による） ・用途　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
BE BE00
端子機能 		BE01 BE02 BE03 BE04 BE05 BE06 BE07 BE08 BE09 BE10
・端子数減少 ・・多重化 ・・・コード化 ・・端子機能切換→ＩＣの機能切換はＤＦ ・・・テスト用との切換 ・・ＩＣ機能切換用端子 ・端子接続（含むボンディング） ・末端抵抗（プルアップ抵抗等） ・電源端子 ・その他→配置はＣＡ１０　　　　　　　　＊
BG BG00
電圧発生，昇圧 		BG01 BG02 BG03 BG04 BG05 BG06 BG07 BG08 BG09 BG10
・回路 ・・発振 ・・昇圧 ・・整流 ・・チャージポンプ ・・電圧制御 ・用途　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・ＥＰＲＯＭ書込電圧 ・・基板バイアス電圧→ＣＤ０４ ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
BH BH00
保護，誤動作 		BH01 BH02 BH03 BH04 BH05 BH06 BH07 BH08 BH09 BH10
・利用する効果　　　　　　　　　　　　　＊ ・・抵抗 ・・キャパシタ，インダクタンス ・・ダイオード順方向特性 ・・接合ブレークダウン ・・バイポーラトランジスタ ・・ＭＯＳトランジスタ ・・ピンチオフ，ＪＦＥＴ ・・ガードリング→ＡＲ２７ ・・シールド
BH11 BH12 BH13 BH14 BH15 BH16 BH17 BH18 BH19 BH20
・対象　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・入出力 ・・・静電気 ・・・誤接続 ・・・高電圧（電源ライン） ・・熱→ＡＺ０８ ・・光 ・・寄生効果（ラッチアップ等）→ＣＡ０９ ・・誤動作（ソフトエラー，ノイズ等） ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
CA CA00
レイアウト 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA09 CA10
・チップ平面上でのレイアウト ・・素子配置 ・・回路ブロック配置 ・・・ゲートアレイ，マスタースライス ・・領域設定 ・・対称配置 ・・分散配置 ・・熱的結合に関するもの ・・寄生防止 ・・電極パット配置→テスト用はＤＴ０４
CA11 CA12 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18 CA20
・結晶軸，面方位→ＡＲ２９ ・チップ裏面，両面配置 ・スクライブ領域の利用（ダイシングライン） ・ダイシングラインの変更 ・ウエハスケールＩＣ ・三次元素子，積層構造 ・ＣＡＤによる配置，自動レイアウト方法 ・ダミーパターン ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
CD CD00
配電，布線 		CD01 CD02 CD03 CD04 CD05 CD06 CD07 CD08 CD09 CD10
・用途　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・電源ライン布線 ・・基準電圧布線 ・・基板アース，分離領域バイアス配線 ・・信号線（交差，クロス） ・・・クロック配線 ・・・バスライン ・・・信号バッファ→バッファアンプ回路はＤＦ ・遅延 ・ダミー配線→ＢＨ１０
CD11 CD12 CD13 CD14 CD15 CD16 CD17 CD18 CD19 CD20
・分流 ・配線抵抗（超電導） ・配線容量（寄生容量）→ＢＨ１０ ・・容量付加安定化 ・接続変更（電源切換）→ＢＥ０４ ・・ＯＮ・ＯＦＦ制御 ・電圧制御（電圧降下安定化） ・配線材料　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・シリサイド ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
DF DF00
集積回路機能及び回路ブロック構成 		DF01 DF02 DF03 DF04 DF05 DF06 DF07 DF08 DF09 DF10
・特定機能回路（単一機能）　　　　　　　＊ ・・ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波ＩＣ）→ＡＺ０１ ・・ＡＤ又はＤＡコンバータ ・・ＣＰＵ，マイクロプロセッサ ・・メモリ ・補助機能　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・機能調整制御 ・・省電力 ・・耐放射線 ・・プロテクト，コピー防止
DF11 DF12 DF14 DF16 DF17 DF20
・複数機能・回路ブロックの塔載・接続 ・・アナログ・デジタル混載 ・・回路ブロック配列（チップ上配置に無関係） ・・機能回路切換用構成→テストモードＤＴ ・・・切換制御 ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
DT DT00
塔載された検査機能 		DT01 DT02 DT03 DT04 DT05 DT06 DT07 DT08 DT09 DT10
・テストツール　　　　　　　　　　　　　＊ ・・モード切換（テストモード）→ＤＦ ・・データ入出力 ・・・テスト専用端子→ＢＥ０５ ・・・入出力制御 ・・・スキャンパス ・・テストパタン発生 ・・自己診断回路 ・・電源切換（テストのための）→ＣＤ１５ ・テスト方法（＊）
DT11 DT12 DT13 DT14 DT15 DT16 DT17 DT18 DT19 DT20
・検査対象＊ ・・モニタ素子，モニタ回路 ・・識別信号 ・・・冗長回路使用検出 ・・チップ機能検査 ・処理 ・・結果の記憶 ・・回路切換（テスト結果による）→ＤＦ１６ ・・表示 ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
EZ EZ00
その他の技術 		EZ01 EZ02 EZ03 EZ04 EZ05 EZ06 EZ07 EZ08 EZ09 EZ10
・材料　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・化合物半導体ＩＩＩ Ｖ族など ・・有機材料 ・本体構成 ・・ＳＯＳ ・・ＳＯＩ ・・マルチチップ ・設計 ・・ＣＡＤ，ＤＡ ・・シミュレーション評価
EZ11 EZ12 EZ13 EZ14 EZ15 EZ16 EZ17 EZ18 EZ19 EZ20
・製法　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・拡散 ・・イオン注入 ・・エピタキシャル，堆積 ・・エッチング ・・酸化 ・・熱処理 ・・セルフアライン　　　　　　　　　　　　＊ ・・スクライブ ・その他（目的など）（＊）
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