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| 5F049 | 受光素子３（フォトダイオード・Ｔｒ） | 光デバイス |
| H01L31/10 -31/10@Z | ||
| H01L31/10-31/10@Z | MA | MA00 素子の種類 |
MA01 | MA02 | MA03 | MA04 | MA05 | MA07 | MA08 | MA09 | ||
| ・フォトダイオ－ド（ＰＤ） | ・・ＰＮ接合型 | ・・・ＰＮヘテロ接合型 | ・・ＰＩＮ接合型 | ・・ショットキ－障壁型 | ・・アバランシェ－フォトダイオ－ド（ＡＰＤ） | ・・・吸収／増倍分離型ＡＰＤ | ・・・超格子ＡＰＤ | |||||
| MA11 | MA12 | MA13 | MA14 | MA15 | MA20 | |||||||
| ・フォトトランジスタ（ＰＴ） | ・・バイポ－ラ型 | ・・・ヘテロ接合型 | ・・電界効果型（ＦＥＴ） | ・・・ＭＩＳ（ＭＯＳ）型ＦＥＴ | ・その他の型の素子 | |||||||
| MB | MB00 素子本体材料（基板、電極等はＳＥ～ＳＺ） |
MB01 | MB02 | MB03 | MB04 | MB05 | MB07 | MB08 | ||||
| ・材料 （＊） | ・・ＩＶ族 （＊） | ・・・単結晶、多結晶 （＊） | ・・・微結晶 （＊） | ・・・アモルファス （＊） | ・・ＩＩＩ－Ｖ族 （＊） | ・・有機材料 （＊） | ||||||
| MB11 | MB12 | MB14 | ||||||||||
| ・ド－パント材料 （＊） | ・・導電型決定用 （＊） | ・バインダ材料 （＊） | ||||||||||
| NA | NA00 目的、効果 |
NA01 | NA02 | NA03 | NA04 | NA05 | NA06 | NA07 | NA08 | NA09 | NA10 | |
| ・感度向上（量子効率向上） | ・・表面反射の減少、防止 | ・レスポンス向上（周波数特性向上） | ・Ｓ／Ｎ比向上 | ・暗電流の減少 | ・エッジブレイクダウン防止 | ・耐環境特性の向上 | ・製造工程に関するもの（歩留まり向上） | ・設置、固定に関するもの | ・分光特性の改善 | |||
| NA11 | NA12 | NA13 | NA14 | NA15 | NA16 | NA17 | NA18 | NA19 | NA20 | |||
| ・バンドギャップの制御 | ・不純物濃度の制御 | ・格子定数の制御 | ・電気抵抗の低減 | ・容量の低減 | ・容量の増加 | ・誤動作防止、外乱対策 | ・生産性向上、低コスト化 | ・小型化、軽量化 | ・その他の目的、効果 | |||
| NB | NB00 用途 |
NB01 | NB03 | NB05 | NB06 | NB07 | NB08 | NB10 | ||||
| ・光通信用 | ・イメ－ジセンサ用 | ・固体撮像素子用 | ・撮像管用タ－ゲット | ・計測用 | ・光ピックアップ用 | ・その他の用途 | ||||||
| PA | PA00 製造方法（工程） |
PA01 | PA02 | PA03 | PA04 | PA05 | PA06 | PA07 | PA08 | PA09 | PA10 | |
| ・結晶成長 | ・・液相エピタキシャル法（ＬＰＥ） | ・・気相エピタキシャル法（ＶＰＥ） | ・・・ＭＯＣＶＤ法 | ・薄膜技術 | ・・真空蒸着法 | ・・スパッタ法 | ・ド－ピング | ・・熱拡散 | ・・イオン注入 | |||
| PA11 | PA12 | PA14 | PA15 | PA17 | PA18 | PA20 | ||||||
| ・熱処理 | ・・光アニ－ル | ・エッチング | ・電極形成法 | ・素子分割（ダイシング、スクライブ） | ・製造条件に特徴（温度、圧力、時間など） | ・その他製造方法に関する事項 | ||||||
| QA | QA00 素子構造一般（接合はＭＡ、細部はＳＥ等） |
QA01 | QA02 | QA03 | QA04 | QA05 | QA06 | QA07 | QA08 | QA09 | QA10 | |
| ・フォトダイオ－ドの構造 | ・・メサ型 | ・・プレ－ナ型 | ・・基板型（バルク型） | ・・リ－チスル－型 | ・・裏面入射型 | ・・タンデム型（積層型） | ・・導波路型 | ・フォトトランジスタの構造 | ・・ベ－ス無端子型 | |||
| QA11 | QA12 | QA13 | QA14 | QA15 | QA16 | QA17 | QA18 | QA19 | QA20 | |||
| ・素子本体の構成要素 | ・・ガ－ドリング | ・・・ガ－ドリングの構造 | ・・チャネルストッパ | ・・埋込み層 | ・・超格子 | ・・窓（ウインドウ）層 | ・・バッファ層 | ・・・グレ－デッド＝バンドギャップ層 | ・その他本項に関する事項 | |||
| RA | RA00 モジュ－ル化 |
RA01 | RA02 | RA03 | RA04 | RA06 | RA07 | RA08 | RA10 | |||
| ・同種複数素子 | ・・アレイ | ・・・ＰＮ分離 | ・・・絶縁分離 | ・複合素子 | ・・発光素子との結合 | ・・スイッチング素子との結合 | ・その他モジュール化に関する事項 | |||||
| SE | SE00 電極 |
SE01 | SE02 | SE03 | SE04 | SE05 | SE06 | SE07 | SE09 | |||
| ・材料 （＊） | ・・透明電極 （＊） | ・・・Ｓｎ０２ | ・・・ＩＴ０ | ・・金属電極 （＊） | ・・有機材料 （＊） | ・・ペ－スト部材 | ・形状に特徴 | |||||
| SE11 | SE12 | SE14 | SE15 | SE16 | SE17 | SE20 | ||||||
| ・構造に特徴 | ・・多層構造 | ・機能 | ・・マウント用 | ・・反射膜兼用 | ・・遮光膜兼用 | ・その他電極に関する事項 | ||||||
| SS | SS00 基板 |
SS01 | SS02 | SS03 | SS04 | SS06 | SS07 | SS08 | SS09 | SS10 | ||
| ・材料 （＊） | ・・半導体基板 （＊） | ・・・ＩＶ族 （＊） | ・・・ＩＩＩ－Ｖ族 （＊） | ・構造 | ・・多層構造 | ・・表面処理 | ・面方位 （＊） | ・その他基板に関する事項 | ||||
| SZ | SZ00 その他の素子構造要素 |
SZ01 | SZ02 | SZ03 | SZ04 | SZ06 | SZ07 | SZ08 | SZ10 | |||
| ・反射防止膜 | ・・材料 （＊） | ・・・無機材料 （＊） | ・・構造 | ・フィルタ膜 | ・・材料 （＊） | ・・構造 | ・遮光膜（電極は除く） | |||||
| SZ11 | SZ12 | SZ13 | SZ16 | SZ20 | ||||||||
| ・表面保護膜 | ・・材料 （＊） | ・・・ＳｉＯ２ | ・反射膜 | ・その他本項に関する事項 | ||||||||
| TA | TA00 ケ－ス、実装 |
TA01 | TA02 | TA03 | TA05 | TA06 | TA08 | TA09 | TA10 | |||
| ・素子のマウント | ・・リ－ドフレ－ム | ・・基台 | ・ボンディング | ・・ワイヤボンディング | ・ケ－ス、パッケ－ジ | ・・モ－ルディング | ・・キャン封止 | |||||
| TA11 | TA12 | TA13 | TA14 | TA20 | ||||||||
| ・光学部材との結合 | ・・レンズ | ・・光学フィルタ | ・・光ファイバ－ | ・その他、ケ－ス、実装に関する事項 | ||||||||
| UA | UA00 周辺回路 |
UA01 | UA02 | UA04 | UA05 | UA06 | UA07 | |||||
| ・複数の受光素子を対象とするもの | ・バイアス光を照射するもの | ・回路の機能 | ・・利得制御 | ・・温度補償 | ・・高速応答 | |||||||
| UA11 | UA12 | UA13 | UA14 | UA16 | UA17 | UA18 | UA20 | |||||
| ・バイアス回路 | ・・電流電圧変換部 | ・・増幅部 | ・・スイッチング部 | ・帰還のための検出回路 | ・・受光素子の出力電流電圧検出 | ・・温度検出 | ・その他、周辺回路に関する事項 | |||||
| WA | WA00 受光波長帯域 |
WA01 | WA03 | WA05 | WA07 | WA08 | WA09 | |||||
| ・赤外光 | ・可視光 | ・紫外光 | ・Ｘ線、γ線、粒子線 | ・受光波長可変 | ・広帯域受光（多色受光を含む） |