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| 5F056 | 電子ビーム露光 | 応用物理 |
| H01L21/30 ,541-21/30,551 | ||
| H01L21/30,541-21/30,551 | AA | AA00 露光方式 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | ||
| ・直接描画方式 | ・・ガウシャンビーム（スポットビーム）（図面） | ・・固定整形ビーム（図面） | ・・可変整形面ビーム（図面） | ・・可変整形線ビーム（図面） | ・・キャラクタ選択ビーム（ステンシル） | ・・ブランキングアパーチャアレイ | ・・その他のビーム整形方法＊ | |||||
| AA12 | AA13 | AA15 | AA16 | AA17 | AA19 | AA20 | ||||||
| ・・ラスタ走査方式（図面） | ・・ベクタ走査方式（図面） | ・・１段偏向走査 | ・・２段偏向走査 | ・・３段以上の偏向走査 | ・・ステップアンドリピート方式 | ・・ステージ連続移動方式 | ||||||
| AA21 | AA22 | AA23 | AA25 | AA26 | AA27 | AA29 | AA30 | |||||
| ・パターンマスクによる転写方式 | ・・投影マスクによるもの | ・・光電マスクによるもの | ・・近接露光するもの | ・・等倍露光するもの | ・・縮小露光するもの | ・・ステップアンドリピート方式 | ・・一括転写方式 | |||||
| AA31 | AA33 | AA35 | AA40 | |||||||||
| ・複数の露光方式を併用するもの＊ | ・複数のビーム源を持つもの | ・複数チップを同時に露光するもの | ・その他の方式＊ | |||||||||
| BA | BA00 検出・測定対象 |
BA01 | BA02 | BA04 | BA05 | BA06 | BA08 | BA09 | BA10 | |||
| ・ビーム電流量 | ・ビーム電流密度（強度）分布 | ・ビームの径（１次元）（図面） | ・ビームの断面形状・回転（２次元） | ・ビームのエッジ情報 | ・試料面におけるビーム照射位置 | ・鏡筒中におけるビーム位置 | ・その他の検出・測定＊ | |||||
| BB | BB00 検出・測定手段 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB06 | BB07 | BB08 | BB09 | BB10 | |||
| ・電子検出器（図面） | ・・複数個の検出器（図面） | ・ファラデーカップ（図面） | ・電子の反射体 | ・・ターゲット（図面） | ・・ワイヤー（図面） | ・・ナイフエッジ（図面） | ・その他の検出・測定手段 | |||||
| BC | BC00 検出信号処理 |
BC01 | BC02 | BC03 | BC04 | BC05 | BC06 | BC07 | BC08 | BC10 | ||
| ・複数回検出の信号処理 | ・信号の微分（図面） | ・信号の積分（モーメント・重心） | ・信号の和・差（複数の検出器） | ・しきい値の設定（図面） | ・誤信号・ノイズ除去 | ・信号の周波数分析・フィルタの使用 | ・ディスプレー表示（図面） | ・その他の信号処理＊ | ||||
| BD | BD00 位置合せマーク |
BD01 | BD02 | BD03 | BD04 | BD05 | BD06 | BD07 | BD08 | BD09 | ||
| ・チップ・フィールドマーク（図面） | ・ウエハマーク（図面） | ・基準マーク（図面） | ・マークの構造＊ | ・マークの読取方法 | ・・マーク上の走査（図面） | ・マークの清浄化（レジスト剥離） | ・マークの保護 | ・マークの配置方法（フィールド・パッド） | ||||
| CA | CA00 データ処理法 |
CA01 | CA02 | CA04 | CA05 | CA07 | CA09 | |||||
| ・設計データから装置駆動データへの変換 | ・・フィールドデータの作成（図面） | ・・・パタンに合せたフィールド設定 | ・・ショットパタンへの分割（図面） | ・・多重露光除去（図面） | ・・データ変換に伴う誤差の処理 | |||||||
| CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | CA17 | ||||||
| ・データの加工・修正 | ・・白黒反転（図面） | ・・リサイズ（図面） | ・・鏡像反転（図面） | ・・回転（図面） | ・・縮小・拡大（図面） | ・・マージ（図面） | ||||||
| CA21 | CA22 | CA23 | CA25 | CA26 | CA28 | CA30 | ||||||
| ・大容量データ処理・高速処理 | ・・データの圧縮・展開 | ・・繰り返しデータの処理 | ・・データ転送 | ・・並列処理 | ・データエラー | ・その他のデータ処理＊ | ||||||
| CB | CB00 制御対象 |
CB01 | CB02 | CB03 | CB05 | CB07 | CB08 | CB09 | ||||
| ・電子銃 | ・・加速電圧（図面） | ・・ビーム電流量（図面） | ・ブランキング | ・ビーム整形器 | ・・整形アパーチャ相互の関係（図面） | ・ビームのダレ（図面） | ||||||
| CB11 | CB12 | CB13 | CB14 | CB15 | CB16 | CB18 | CB19 | |||||
| ・走査用偏向器 | ・・偏向速度 | ・・偏向幅（ゲイン）（図面） | ・・主＋副偏向（図面） | ・・走査によるパタン形成（図面） | ・・偏向器の電気特性の補正 | ・ビームの回転（図面） | ・・アパーチャ辺方向と走査方向のずれ（図面） | |||||
| CB21 | CB22 | CB23 | CB24 | CB25 | CB26 | CB28 | CB29 | CB30 | ||||
| ・ステージ | ・・位置 | ・・移動速度 | ・・振動（図面） | ・・Ｚθ等方向の制御（図面） | ・・送り幅 | ・軸合せ・軸通し（図面） | ・非点収差の除去（図面） | ・その他収差（偏向歪を除く）の除去＊ | ||||
| CB31 | CB32 | CB33 | CB34 | CB35 | CB40 | |||||||
| ・レンズ | ・・フォーカス（図面） | ・・・ビーム径・形状等の測定によるもの | ・・・偏向による規則的な焦点合せ | ・・・試料面の高さの測定によるもの（図面） | ・その他の制御＊ | |||||||
| CC | CC00 描画方法の１・（描画精上の向上目的） |
CC01 | CC02 | CC03 | CC04 | CC05 | CC07 | CC08 | CC09 | CC10 | ||
| ・照射位置精度＊ | ・・偏向歪 | ・・ウエハ歪（伸・縮・反り・凹凸）（図面） | ・・ビーム照射位置ドリフト（チャージアップ） | ・・ステージ位置誤差 | ・位置合せ精度 | ・・重ね合せ（レジストレーション） | ・・フィールド間パタン接合 | ・・座標系の直交性・相互の整合 | ||||
| CC11 | CC12 | CC13 | CC14 | CC15 | CC16 | |||||||
| ・描画パタンの寸法・形状精度 | ・・図形間近接効果（図面） | ・・図形内近接効果（図面） | ・・空間電荷効果（クーロン効果） | ・・後重合効果 | ・・試料における温度上昇℃ | |||||||
| CD | CD00 描画方法の２・（描画精度の向上方法） |
CD01 | CD02 | CD03 | CD04 | CD05 | CD06 | CD07 | CD09 | CD10 | ||
| ・電子光学系への入力補正 | ・・メモリ内補正値の読み出し | ・・補正式による補正値導出 | ・・補間法による補正値導出 | ・温度調整（図面） | ・照射時間または非照射時間 | ・ビーム径変更法（図面） | ・パタン寸法・形状の補正（縮小法） | ・パタンの輪郭処理（図面） | ||||
| CD11 | CD12 | CD13 | CD14 | CD15 | CD16 | CD17 | CD18 | CD19 | CD20 | |||
| ・照射量補正法（図面） | ・・補正ビーム照射法（ゴースト効果） | ・・分割パタン（ショット）毎に補正 | ・・時間とともに変更 | ・・照射量分割照射 | ・パタンの接合・多重照射（図面） | ・加速電圧補正法（図面） | ・ビーム電流（密度）の制御による | ・電荷の中和（図面） | ・その他の描画方法＊ | |||
| H01L21/30,541@P | DA | DA00 試料の処理 |
DA01 | DA02 | DA04 | DA05 | DA07 | DA08 | DA09 | DA10 | ||
| ・レジスト（を含む層）に特徴あるもの | ・・多層レジスト＊ | ・・レジスト物質名を指定（高分子） | ・・・高分子以外のレジスト物質 | ・・レジスト層の有する作用・性質＊ | ・・・電子の反射・散乱防止 | ・・・耐プラズマ・エッチング性の向上 | ・・・熱の影響を防止するもの | |||||
| DA11 | DA13 | DA15 | DA17 | |||||||||
| ・露光の前処理＊ | ・露光の後処理＊ | ・処理雰囲気に特徴＊ | ・レジストの処理装置 | |||||||||
| DA21 | DA22 | DA23 | DA24 | DA25 | DA26 | DA27 | DA30 | |||||
| ・露光時のパタン形成法 | ・・複数回露光（ＥＢ＋ＥＢ ＥＢ＋他ビーム） | ・・チャージアップ防止 | ・・ビームによる直接パタン形成（堆積・蒸発） | ・・試料に電圧を印加するもの | ・・処理温度の指定 | ・・ビーム属性の指定（加速電圧・電流密度） | ・その他 | |||||
| H01L21/30,541@A;21/30,541@B;21/30,541@G;21/30,541@L | EA | EA00 描画装置 |
EA01 | EA02 | EA03 | EA04 | EA05 | EA06 | EA08 | EA10 | ||
| ・電子光学系＊ | ・・電子銃 | ・・ブランキング装置 | ・・アパーチャ | ・・レンズ | ・・偏向器 | ・・電子光学系の組み方に特徴のあるもの＊ | ・電気部品一般 | |||||
| EA11 | EA12 | EA13 | EA14 | EA15 | EA16 | EA17 | EA18 | |||||
| ・鏡体系＊ | ・・鏡筒・描画室・予備室＊ | ・・ウエハローダ | ・・ステージ | ・・カセット・吸着装置 | ・・真空系 | ・・基台 | ・・散乱電子遮蔽板 | |||||
| H01L21/30,541@S;21/30,541@T | FA | FA00 転写露光 |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA07 | FA08 | FA10 | |
| ・転写装置 | ・・光源・電子源 | ・・電子光学系 | ・・鏡体系 | ・マスクの構造 | ・位置決め（アライメント） | ・転写精度・解像度の向上方法 | ・・近接効果 | ・その他＊ |