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| 5F103 | 半導体装置を構成する物質の物理的析出 | デバイスプロセス |
| H01L21/203 -21/203@Z;21/363 | ||
| H01L21/203-21/203@Z;21/363 | AA | AA00 析出方法 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA10 | |
| ・蒸着 | ・・イオンプレーティング | ・・ホットウォール | ・・分子ビーム（ＭＢＥ）・原子ビーム | ・・・有機金属分子ビーム（ＭＯＭＢＥ） | ・・イオンビーム | ・・・クラスタイオンビーム（ＩＣＢ） | ・スパッタリング | ・その他の析出方法（＊） | ||||
| BB | BB00 析出装置 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | BB07 | BB08 | BB09 | ||
| ・析出物質源およびその付随装置 | ・・るつぼ・セル・ハース・ファーネス （Ｓ） | ・・・被覆・コーティング | ・・・クヌー（ド）センセル | ・・ガスソース | ・・・ガス供給機構 | ・・・クラッキング機構・クラッカーセル | ・・多元ソース | ・・イオン化機構・イオン源 | ||||
| BB11 | BB12 | BB13 | BB14 | BB15 | BB16 | BB17 | BB18 | BB19 | ||||
| ・・開口部 （Ｓ） | ・・・狭開口部・オリフィス・ノズル | ・・析出物質進行制御機構 | ・・・電界あるいは磁界による偏向機構 | ・・・析出物質間の分離・仕切・隔壁 | ・・・基板と析出物質間の遮蔽・覆い板・シャッタ | ・・・反射機構（反射板・リフレクタ） | ・・・コリメータ | ・・・容器の傾斜・移動およびその制御・調整 | ||||
| BB21 | BB22 | BB23 | BB24 | BB25 | BB26 | BB27 | ||||||
| ・・熱シールド・断熱 （Ｓ） | ・・スパッタリングターゲット （Ｓ） | ・・析出物質源へのエネルギー付与手段 （Ｓ） | ・・温度測定手段（熱電対） | ・・装置清掃のためのもの | ・・析出物質（ソース、メルト）の補充・供給 | ・・材料・材質（＊） | ||||||
| BB31 | BB32 | BB33 | BB34 | BB35 | BB36 | BB37 | BB38 | |||||
| ・基板取扱機構 | ・・基板近傍のシャッタ | ・・基板保持機構・サセプタ・ホルダ | ・・・複数基板の保持 | ・・・基板角度保持機構 | ・・基板移動機構 | ・・・マニピュレータ | ・・・基板回転動作機構・プラネタリ（ウム） | |||||
| BB41 | BB42 | BB43 | BB44 | BB45 | BB46 | BB47 | BB48 | BB49 | ||||
| ・・基板温度関連・調節機構 | ・・・基板加熱機構 （Ｓ） | ・・・熱放射体 | ・・複数基板への連続処理のための手段 | ・・基板取扱機構の清掃のためのもの | ・処理室 | ・・真空保持機構・排気機構 | ・・観察窓およびその機能維持 | ・・予備処理機構・予備室 | ||||
| BB51 | BB52 | BB53 | BB54 | BB55 | BB56 | BB57 | BB58 | BB59 | BB60 | |||
| ・計測・監視部 | ・・温度計測・監視 | ・・析出膜厚の計測・監視 | ・・析出膜状態・結晶状態の計測・監視 | ・・反射高速電子線解析（ＲＨＥＥＤ）でのもの | ・制御・調整部 | ・・温度制御・調整手段 | ・・膜厚制御手段 | ・・シーケンシャル（手順）制御手段 | ・その他の析出装置（＊） | |||
| DD | DD00 析出物質 |
DD01 | DD02 | DD03 | DD04 | DD05 | DD06 | DD07 | DD08 | DD09 | ||
| ・３―５族化合物 | ・・ＢＮ | ・・ＧａＡｓ | ・・ＧａＡｓＰ | ・・ＧａＡｌＡｓ | ・・ＧａＡｌＡｓＰ | ・・ＧａＰ | ・・ＧａＩｎＰ | ・・ＧａＩｎＳｂ | ||||
| DD11 | DD12 | DD13 | DD16 | DD17 | DD18 | |||||||
| ・・ＩｎＰ | ・・ＩｎＳｂ | ・・ＩｎＧａＡｓＰ | ・Ｓｉ | ・ＳｉＣ | ・ＣｄＳｉＰ | |||||||
| DD21 | DD22 | DD23 | DD24 | DD25 | DD27 | DD28 | DD30 | |||||
| ・ＣｄＴｅ | ・ＨｇＣｄＴｅ | ・ＺｎＳｅ | ・ＰｂＳｅ | ・有機物 | ・絶縁物 | ・金属 | ・その他の析出物質（＊） | |||||
| GG | GG00 析出状態 |
GG01 | GG02 | GG03 | GG05 | GG06 | GG10 | |||||
| ・単結晶・エピタキシャル成長 | ・多結晶 | ・アモルファス（非晶質） | ・選択析出 | ・・マスク | ・その他の析出状態（＊） | |||||||
| HH | HH00 基板 |
HH01 | HH03 | HH04 | HH05 | HH07 | HH08 | HH10 | ||||
| ・帯状体・ウェブ | ・半導体基板 | ・絶縁物基板 | ・金属基板 | ・基板表面状態 （Ｓ） | ・・基板結晶方位・結晶面 （Ｓ） | ・その他の基板（＊） | ||||||
| JJ | JJ00 析出部の導電型 |
JJ01 | JJ03 | JJ10 | ||||||||
| ・Ｐ型 | ・Ｎ型 | ・その他の導電型（＊） | ||||||||||
| KK | KK00 ドーパント |
KK01 | KK02 | KK03 | KK04 | KK05 | KK06 | KK07 | KK08 | KK10 | ||
| ・Ｓｉ | ・Ｇｅ | ・Ｂ | ・Ｚｎ | ・Ｌｉ | ・Ｓ | ・Ｃ | ・Ｔｅ | ・その他のドーパント（＊） | ||||
| LL | LL00 適用デバイス・適用構造 |
LL01 | LL02 | LL03 | LL04 | LL05 | LL06 | LL07 | LL08 | LL09 | ||
| ・発光体 | ・・発光ダイオード | ・・半導体レーザ | ・受光体 | ・・フォトダイオード | ・・フォトトランジスタ | ・電界効果トランジスタ（ＦＥＴ） | ・・ＭＩＳＦＥＴ・ＭＥＳＦＥＴ | ・・２次元電子ガストランジスタ・ＨＥＭＴ | ||||
| LL11 | LL12 | LL13 | LL14 | LL16 | LL17 | LL18 | LL19 | LL20 | ||||
| ・バイポーラトランジスタ | ・ＳＯＩ構造 | ・・薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） | ・集積回路（ＩＣ・ＬＳＩ） | ・超格子を用いるもの | ・量子井戸・量子細線・量子箱を用いるもの | ・モジュレーション（変調）ドープを用いるもの | ・アトミックプレーンドープを用いるもの | ・その他の適用デバイス・適用構造（＊） | ||||
| NN | NN00 析出条件・析出状況（＊） |
NN01 | NN02 | NN03 | NN04 | NN05 | NN06 | NN07 | NN10 | |||
| ・温度（＊） | ・析出速度（＊） | ・複数物質間の析出条件・析出状況差（＊） | ・圧力（＊） | ・雰囲気（＊） | ・・ガス添加（＊） | ・析出物質以外へのエネルギービームの照射＊ | ・その他の析出条件・析出状況（＊） | |||||
| PP | PP00 前処理・後処理 |
PP01 | PP02 | PP03 | PP04 | PP05 | PP06 | PP07 | PP08 | |||
| ・清浄化処理を行うもの | ・・サーマルクリーニングによるもの | ・熱処理・アニールを行うもの | ・イオン注入・照射を行うもの | ・還元処理を行うもの | ・化学的研摩・エッチングを行うもの | ・機械的研摩を行うもの | ・マスク処理を行うもの | |||||
| PP11 | PP12 | PP13 | PP14 | PP15 | PP16 | PP18 | PP19 | PP20 | ||||
| ・電極作成を行うもの | ・・オーミックコンタクト | ・別行程の物理的析出を行うもの | ・他種の成長・析出を行うもの | ・・化学的気相成長（ＣＶＤ） | ・・液相成長（ＬＰＥ） | ・連続処理工程 | ・同時処理工程・平行処理工程 | ・その他の前処理・後処理（＊） | ||||
| RR | RR00 目的・効果・機能 |
RR01 | RR02 | RR03 | RR04 | RR05 | RR06 | RR07 | RR08 | RR09 | RR10 | |
| ・生産性向上 | ・・スループット向上 | ・・・析出範囲の大面積化 | ・品質の安定化 | ・特性向上 | ・析出膜状態の改善・結晶性向上 | ・信頼性向上 | ・経済性向上・低コスト化 | ・環境対策 | ・その他の目的・効果・機能（＊） |