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Fタームリスト

リスト作成（Ｈ１０）、１９８９年以降に発行された文献を解析対象としている
5F110 薄膜トランジスタ 電子デバイス　　　　
H10D30/01 ,201-30/01,206@Z;30/47,101;30/67-30/67,206@Z;86/00-86/60@Z
H01L29/78,611-29/78,627@Z AA AA00
目的 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09
・動作の高速化 ・・寄生容量低減 ・・電極、配線の低抵抗化 ・集積化 ・ＯＮ／ＯＦＦ比向上 ・・リ－ク電流の低減 ・・大電流化 ・しきい値電圧の制御 ・低消費電力
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA19
・高耐圧化 ・・ゲ－トの高耐圧化 ・・ソ－ス、ドレイン間の高耐圧化 ・経時的特性劣化防止 ・キンク防止（基板浮遊効果防止） ・製造工程の簡単化 ・低温プロセス ・平坦化 ・ダングリングボンドの終端（例：水素化）
AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AA26 AA27 AA28 AA30
・保護対策 ・・静電破壊防止 ・・熱からの保護 ・試験、測定、検査 ・・シミュレ－ション ・素子または配線の欠陥の防止 ・素子または配線の欠陥の修正 ・大面積化 ・その他＊
BB BB00
用途、動作 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・アクティブマトリクス基板 ・・周辺回路と一体に形成されたもの ・論理回路 ・・ＣＭＯＳ回路 ・メモリ ・・ＤＲＡＭ ・・ＳＲＡＭ ・・不揮発性メモリ ・センサ ・・イメ－ジセンサ
BB11 BB12 BB13 BB20
・三次元集積回路 ・大電力用素子（例：ＩＧＢＴ、ＬＤＭＯＳ） ・特殊動作 ・その他＊
CC CC00
構造 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC07 CC08 CC09 CC10
・順コプレナ ・・順コプレナド－プ ・逆コプレナ ・・逆コプレナド－プ ・順スタガ ・・順スタガド－プ ・逆スタガ ・・逆スタガド－プ ・縦型 ・その他
DD DD00
基板 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD07 DD08
・基板材料＊ ・・ガラス＊ ・・・石英ガラス ・・単結晶絶縁物（例：サファイア） ・・シリコン基板 ・・材料の特性が規定 ・・・歪点が規定 ・・・熱膨張係数が規定
DD11 DD12 DD13 DD14 DD15 DD17 DD18 DD19
・表面層を有するもの ・・表面層材料＊ ・・・ＳｉＯ ・・・ＳｉＮ ・・・ＳｉＯＮ ・・複数層 ・・両面 ・・裏面のみ
DD21 DD22 DD24 DD25 DD30
・基板形状 ・基板への電圧印加に工夫 ・製法＊ ・・処理＊ ・その他＊
EE EE00
ゲ－ト 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08 EE09 EE10
・材料＊ ・・金属＊ ・・・Ａｌ ・・・高融点金属＊ ・・・シリサイド ・・・合金＊ ・・・透明導電膜（例：ＩＴＯ） ・・半導体＊ ・・・多結晶Ｓｉ ・・・導電型の分布
EE11 EE12 EE14 EE15
・・材料の特性が規定 ・・複数種の構成材料の分布 ・複数層 ・・三層以上
EE21 EE22 EE23 EE24 EE25 EE27 EE28 EE29 EE30
・形状 ・・断面形状 ・・・テ－パ状 ・・平面形状 ・・他の構成要素との相対的な大きさが規定 ・複数ゲ－ト ・・直列（図面） ・・並列（図面） ・・バックゲ－ト
EE31 EE32 EE33 EE34 EE36 EE37 EE38
・サイドウォ－ルを有するもの ・・堆積によるもの ・・電極表面を酸化したもの ・・・陽極酸化膜 ・ゲ－ト配線との接続部に工夫 ・ゲ－ト配線に工夫 ・コンタクトホ－ルを介して配線を設けたもの
EE41 EE42 EE43 EE44 EE45 EE47 EE48 EE50
・製法＊ ・・堆積＊ ・・・蒸着 ・・・スパッタ ・・・ＣＶＤ ・・前処理＊ ・・後処理＊ ・その他＊
FF FF00
ゲ－ト絶縁膜 		FF01 FF02 FF03 FF04 FF05 FF06 FF07 FF09 FF10
・材料＊ ・・ＳｉＯ ・・ＳｉＮ ・・ＳｉＯＮ ・・材料の特性が規定 ・・複数種の構成材料の分布 ・・不純物を含有するもの＊ ・複数層 ・・三層以上
FF11 FF12 FF13
・形状 ・・断面形状 ・・平面形状
FF21 FF22 FF23 FF24 FF25 FF26 FF27 FF28 FF29 FF30
・製法＊ ・・酸化 ・・・熱酸化 ・・・陽極酸化 ・・・・プラズマ雰囲気中 ・・窒化 ・・堆積＊ ・・・スパッタ ・・・ＣＶＤ＊ ・・・・プラズマＣＶＤ
FF31 FF32 FF33 FF35 FF36 FF40
・・・・・ＥＣＲプラズマＣＶＤ ・・・・減圧ＣＶＤ ・・・・光ＣＶＤ ・・前処理＊ ・・後処理＊ ・その他＊
GG GG00
チャネル半導体層 		GG01 GG02 GG03 GG04 GG05 GG06 GG07
・材料＊ ・・Ｓｉ ・・Ｇｅ ・・化合物半導体＊ ・・有機半導体 ・・材料の特性が規定 ・・複数種の構成材料の分布
GG11 GG12 GG13 GG14 GG15 GG16 GG17 GG19 GG20
・結晶構造 ・・単結晶 ・・多結晶 ・・微結晶 ・・非晶質 ・・結晶粒径（グレインサイズ）が規定 ・・結晶方位が規定 ・複数層 ・・超格子
GG21 GG22 GG23 GG24 GG25 GG26 GG28 GG29 GG30
・形状 ・・断面形状 ・・平面形状 ・・チャネル半導体層の膜厚が規定 ・・・１０００Å（０．１μｍ）以下 ・・他の構成要素との相対的な大きさが規定 ・チャネル長が規定 ・チャネル幅が規定 ・チャネルの数がゲ－トの数より多いもの
GG31 GG32 GG33 GG34 GG35 GG36 GG37 GG39
・チャネル領域の不純物 ・・不純物材料＊ ・・・キャリアにならない不純物＊ ・・濃度が規定 ・・・ｉ層 ・・不純物の分布 ・・・一導電型不純物のみ ・チャネル半導体層に絶縁領域を有するもの
GG41 GG42 GG43 GG44 GG45 GG46 GG47 GG48
・製法＊ ・・堆積＊ ・・・スパッタ ・・・ＣＶＤ＊ ・・・・プラズマＣＶＤ ・・・・・ＥＣＲプラズマＣＶＤ ・・・・減圧ＣＶＤ ・・・・光ＣＶＤ
GG51 GG52 GG53 GG54 GG55 GG57 GG58 GG60
・・不純物の導入方法＊ ・・・イオン注入 ・・・拡散 ・・・・固相拡散 ・・・・気相拡散（雰囲気中） ・・前処理＊ ・・後処理＊ ・その他＊
HJ HJ00
ソ－ス、ドレイン１（不純物領域） 		HJ01 HJ02 HJ04 HJ06 HJ07
・不純物材料＊ ・・キャリアにならない不純物＊ ・不純物濃度が規定 ・不純物の分布 ・・一導電型不純物のみ（ＬＤＤは除く）
HJ11 HJ12 HJ13 HJ14 HJ15 HJ16 HJ17 HJ18
・不純物領域の製法＊ ・・不純物の導入方法＊ ・・・イオン注入 ・・・・斜めイオン注入 ・・・拡散 ・・・・固相拡散 ・・・・気相拡散（雰囲気中） ・・・・・プラズマ雰囲気中
HJ21 HJ22 HJ23 HJ30
・・不純物導入前の処理＊ ・・不純物導入後の処理＊ ・・・不純物の活性化 ・その他＊
HK HK00
ソ－ス、ドレイン２（低抵抗層） 		HK01 HK02 HK03 HK04 HK05 HK06 HK07 HK08 HK09 HK10
・材料＊ ・・金属＊ ・・・Ａｌ ・・・高融点金属＊ ・・・シリサイド ・・・合金＊ ・・・透明導電膜（例：ＩＴＯ） ・・半導体＊ ・・・Ｓｉ ・・・Ｇｅ
HK11 HK12 HK13 HK14 HK15 HK16 HK17 HK18
・・・化合物半導体＊ ・・・半導体の結晶構造 ・・・・単結晶 ・・・・多結晶 ・・・・微結晶 ・・・・非晶質 ・・材料の特性が規定 ・・複数種の構成材料の分布
HK21 HK22 HK24 HK25 HK26 HK27 HK28
・複数層 ・・三層以上 ・低抵抗層に含まれる不純物 ・・不純物材料＊ ・・・キャリアにならない不純物＊ ・・不純物濃度が規定 ・・不純物の分布
HK31 HK32 HK33 HK34 HK35 HK36 HK37 HK38 HK39 HK40
・低抵抗層の製法＊ ・・堆積＊ ・・・スパッタ ・・・ＣＶＤ＊ ・・・・プラズマＣＶＤ ・・・・・ＥＣＲプラズマＣＶＤ ・・・・減圧ＣＶＤ ・・・・光ＣＶＤ ・・不純物の導入 ・・シリサイド化
HK41 HK42 HK50
・・低抵抗層形成前の処理＊ ・・低抵抗層形成後の処理＊ ・その他＊
HL HL00
ソース、ドレイン３（コンタクトホール介在） 		HL01 HL02 HL03 HL04 HL05 HL06 HL07 HL08 HL09 HL10
・材料＊ ・・金属＊ ・・・Ａｌ ・・・高融点金属＊ ・・・シリサイド ・・・合金＊ ・・・透明導電膜（例：ＩＴＯ） ・・半導体＊ ・・材料の特性が規定 ・・複数種の構成材料の分布
HL11 HL12 HL14
・複数層 ・・三層以上 ・コンタクトホ－ルの形状または製法に工夫
HL21 HL22 HL23 HL24 HL26 HL27 HL30
・電極、配線の製法＊ ・・堆積＊ ・・・スパッタ ・・・ＣＶＤ ・・電極、配線形成前の処理＊ ・・電極、配線形成後の処理＊ ・その他＊
HM HM00
ソ－ス、ドレイン４（共通） 		HM01 HM02 HM03 HM04 HM05 HM07
・形状 ・・断面形状 ・・・テ－パ状 ・・平面形状 ・・他の構成要素との相対的な大きさが規定 ・チャネル領域と結晶構造が異なるもの
HM11 HM12 HM13 HM14 HM15 HM17 HM18 HM19 HM20
・配置 ・・非対称 ・・ゲ－トに対する配置 ・・・オフセット ・・・・ＬＤＤ ・ソ－ス、ドレイン配線との接続部に工夫 ・画素電極との接続部に工夫 ・ソ－ス、ドレイン配線に工夫 ・その他＊
NN NN00
その他の構成要素 		NN01 NN02 NN03 NN04 NN05 NN06
・保護膜（パッシベ－ション膜） ・・層間絶縁膜 ・・・複数層 ・・・膜厚が規定 ・・・層間絶縁以外の機能＊ ・・・配線間の絶縁に工夫
NN12 NN13 NN14 NN15 NN16
・・島状のチャネル保護膜 ・・・複数層 ・・・膜厚が規定 ・・・保護以外の機能＊ ・・・・エッチングストッパ
NN22 NN23 NN24 NN25 NN26 NN27 NN28
・・材料＊ ・・・ＳｉＯ ・・・ＳｉＮ ・・・ＰＳＧ ・・・ＢＳＧ ・・・有機物＊ ・・・材料の特性が規定
NN32 NN33 NN34 NN35 NN36 NN37 NN38 NN39 NN40
・・製法＊ ・・・堆積＊ ・・・・スパッタ ・・・・ＣＶＤ ・・・・スピンオン塗布 ・・・酸化 ・・・・陽極酸化 ・・・前処理＊ ・・・後処理＊
NN41 NN42 NN43 NN44 NN45 NN46 NN47 NN48 NN49 NN50
・遮光膜 ・・複数層 ・・遮光以外の機能＊ ・・・電極、配線の機能を有するもの ・・材料＊ ・・・金属＊ ・・・・Ａｌ ・・・半導体＊ ・・・有機物＊ ・・・材料の特性が規定
NN52 NN53 NN54 NN55 NN57 NN58
・・製法＊ ・・・蒸着 ・・・スパッタ ・・・ＣＶＤ ・・・前処理＊ ・・・後処理＊
NN61 NN62 NN63 NN65 NN66
・素子分離領域 ・・絶縁領域 ・・電気的シ－ルド ・・形成方法＊ ・・・ＬＯＣＯＳ
NN71 NN72 NN73 NN74 NN75 NN77 NN78 NN80
・他の素子との融合＊ ・・容量素子 ・・・補助容量 ・・ＭＯＳＦＥＴ ・・・ゲ－ト電極を共有しているもの ・ＴＦＴの配置に工夫 ・特性が異なる複数のＴＦＴを有するもの ・その他＊
PP PP00
再結晶化 		PP01 PP02 PP03 PP04 PP05 PP06 PP07 PP08 PP10
・加熱手段＊ ・・ランプ（例：ＲＴＡ） ・・レ－ザ＊ ・・・波長が規定 ・・・走査方法 ・・・ビ－ム形状に工夫 ・・・複数ビ－ム ・・電子ビ－ム ・アニ－ル温度が規定
PP11 PP13 PP15 PP16
・反射防止膜（吸収膜）を用いるもの ・導入ガス＊ ・チャネル領域のみ再結晶化 ・ソ－ス、ドレインのみ再結晶化
PP21 PP22 PP23 PP24 PP26 PP27 PP29
・成長方向 ・・基板に対し垂直 ・・基板に対し平行 ・・・チャネル長方向に対し平行 ・他技術との同時処理 ・・不純物の活性化と同時 ・多段階加熱
PP31 PP32 PP33 PP34 PP35 PP36 PP38 PP40
・前処理＊ ・・ド－プ ・・・非晶質化のためのもの ・・・触媒となるもの ・・脱水素 ・・種の形成 ・後処理＊ ・その他＊
QQ QQ00
製造工程一般 		QQ01 QQ02 QQ03 QQ04 QQ05 QQ06 QQ08 QQ09 QQ10
・パタ－ニングに工夫 ・・エッチングマスクに工夫 ・・エッチング方法に工夫 ・・・ドライエッチング ・・・ウェットエッチング ・・印刷によるもの ・同時形成 ・連続処理 ・工程の順序に工夫
QQ11 QQ12 QQ14 QQ16 QQ17 QQ19
・セルフアライン ・・裏面からの露光 ・リフトオフ ・貼り合わせ ・・素子形成前に貼り合わせ ・平坦化
QQ21 QQ22 QQ23 QQ24 QQ25 QQ26 QQ28 QQ30
・ダングリングボンドの終端化（例：水素化） ・・拡散 ・・・固相拡散 ・・・気相拡散（雰囲気中） ・・・・プラズマ雰囲気中 ・・イオン注入 ・ゲッタリング ・その他＊
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