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| 5F043 | ウェットエッチング | デバイスプロセス |
| H01L21/306 -21/308@Z;21/465-21/467 | ||
| H01L21/306@A-21/306@Z;21/308@A-21/308@Z;21/465-21/467 | AA | AA00 被エッチング体 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA07 | AA08 | AA09 | AA10 | |
| ・半導体基板 | ・・Ｓｉ | ・・Ｇａ－Ａｓ系 | ・・Ｉｎ－Ｐ系 | ・・その他の半導体基板※ | ・半導体基板以外の半導体層 | ・・単層構造 | ・・・Ｓｉ | ・・・・多結晶Ｓｉ | ||||
| AA11 | AA13 | AA14 | AA15 | AA16 | AA18 | AA20 | ||||||
| ・・・・アモルファスＳｉ | ・・・ＩＩＩ－Ｖ族 | ・・・・Ｇａ－Ａｓ系 | ・・・・Ｉｎ－Ｐ系 | ・・・・その他のＩＩＩ－Ｖ族※ | ・・・その他の単層構造（その他の層成分）※ | ・・多層構造 | ||||||
| AA21 | AA22 | AA23 | AA24 | AA25 | AA26 | AA27 | AA28 | AA29 | AA30 | |||
| ・半導体以外の導電層 | ・・金属 | ・・・単層構造 | ・・・・Ａｌ | ・・・・Ａｕ | ・・・・その他の金属層※ | ・・・多層構造 | ・・金属シリサイド | ・絶縁層 | ・・単層構造 | |||
| AA31 | AA32 | AA33 | AA34 | AA35 | AA36 | AA37 | AA38 | AA40 | ||||
| ・・・ＳｉＯ２ | ・・・・熱酸化ＳｉＯ２ | ・・・・ＣＶＤ－ＳｉＯ２ | ・・・・多孔質ＳｉＯ２ | ・・・Ｓｉ３Ｎ４ | ・・・ＰＳＧ | ・・・その他の絶縁層※ | ・・多層構造 | ・その他※ | ||||
| BB | BB00 エッチング液、洗浄液、表面処理液 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB06 | BB07 | BB08 | BB10 | |||
| ・Ｓｉ用※ | ・・単結晶Ｓｉ用※ | ・・多結晶Ｓｉ用※ | ・・アモルファスＳｉ用※ | ・ＩＩＩ―Ｖ族化合物半導体用※ | ・・Ｇａ―Ａｓ系用※ | ・・Ｉｎ―Ｐ系用※ | ・・その他のＩＩＩ―Ｖ族用※ | |||||
| BB12 | BB14 | BB15 | BB16 | BB17 | BB18 | BB19 | ||||||
| ・Ｓｉ、ＩＩＩ―Ｖ族以外の半導体用※ | ・半導体以外の導電層用※ | ・・金属用※ | ・・・Ａｌ用※ | ・・・Ａｕ用※ | ・・・その他の金属用※ | ・・金属シリサイド用※ | ||||||
| BB21 | BB22 | BB23 | BB24 | BB25 | BB27 | BB28 | BB30 | |||||
| ・絶縁体用※ | ・・ＳｉＯ２用※ | ・・Ｓｉ３Ｎ４用※ | ・・ＰＳＧ用※ | ・・その他の絶縁体用※ | ・洗浄液、表面処理液※ | ・・界面活性剤を含むもの※ | ・その他※ | |||||
| CC | CC00 レジスト |
CC01 | CC02 | CC03 | CC05 | CC06 | CC07 | CC09 | CC10 | |||
| ・レジスト材料自体に特徴 | ・・ポリイミド | ・・熱分解性ポリマー | ・・その他のレジスト材料※ | ・フィルム状レジスト | ・レジスト層が多層 | ・レジスト層の処理 | ・・プリベーク | |||||
| CC11 | CC12 | CC14 | CC16 | CC17 | CC20 | |||||||
| ・・ポストベーク | ・・現像処理 | ・・その他の処理※ | ・レジスト層の除去 | ・・クラックを生ぜしめるもの | ・その他※ | |||||||
| DD | DD00 方法 |
DD01 | DD02 | DD04 | DD05 | DD06 | DD07 | DD08 | DD10 | |||
| ・前処理 | ・・基板表面の前処理 | ・特定条件下のエッチング | ・・減圧下 | ・・加圧下 | ・・加熱下 | ・・光照射下 | ・・その他の条件下※ | |||||
| DD12 | DD13 | DD14 | DD15 | DD16 | DD17 | DD18 | DD19 | DD20 | ||||
| ・後処理 | ・スプレーエッチング | ・電解エッチング | ・ドライエッチングとの併用 | ・化学的研磨 | ・イオン注入後のエッチング | ・リフトオフ法 | ・・超音波振動を用いるもの | ・・オーバーハング構造を用いるもの | ||||
| DD21 | DD22 | DD23 | DD24 | DD25 | DD26 | DD27 | DD30 | |||||
| ・・レジスト層以外のスペーサー層を用いるもの | ・・金属薄膜層の形成法に特徴 | ・連続化、自動化 | ・終点検知 | ・・反射光、透過光を用いるもの | ・・電圧、電流変化を用いるもの | ・試験 | ・その他※ | |||||
| EE | EE00 装置 |
EE01 | EE02 | EE03 | EE04 | EE05 | EE06 | EE07 | EE08 | EE09 | EE10 | |
| ・エッチング槽 | ・・多槽型 | ・・密閉型 | ・・攪拌部分 | ・・振動発生部分 | ・・バブル発生部分 | ・・スプレー部分（ノズル） | ・・回転テーブル | ・・整流板 | ・・温度管理部分 | |||
| EE11 | EE12 | EE14 | EE15 | EE16 | ||||||||
| ・・・二重槽 | ・・・ヒーター | ・・電解エッチングの電極 | ・・パッキング、シール | ・・槽の材質に特徴 | ||||||||
| EE21 | EE22 | EE23 | EE24 | EE25 | EE27 | EE28 | EE29 | EE30 | ||||
| ・エッチング液の還流 | ・・温度管理、熱交換 | ・・濃度、純度管理 | ・・循還ポンプ | ・・濾過、フィルター | ・エッチング液等の供給 | ・・薬液貯留槽 | ・・検量、定量化 | ・・濾過（フィルター） | ||||
| EE31 | EE32 | EE33 | EE35 | EE36 | EE37 | EE40 | ||||||
| ・・薬液の混合部分 | ・排液 | ・・回収、再生、濾過 | ・ウエハーの収納、保持 | ・被加工物の移動装置（ウエハー搬送機構） | ・排気（ダクト） | ・その他※ | ||||||
| FF | FF00 断面形状 |
FF01 | FF02 | FF03 | FF04 | FF05 | FF06 | FF07 | FF10 | |||
| ・溝（トレンチ） | ・アンダーエッチング | ・テーパーエッチング | ・・制御されたテーパー角 | ・メサエッチング | ・スルーホール | ・平坦化 | ・その他※ | |||||
| GG | GG00 目的、用途 |
GG01 | GG02 | GG03 | GG04 | GG05 | GG06 | GG10 | ||||
| ・ウエハー分割 | ・配線 | ・・多層配線 | ・電極 | ・素子分離 | ・結晶方位の決定 | ・その他※ |