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Fタームリスト

リスト微修正（Ｈ１４）
5F004 半導体のドライエッチング デバイスプロセス　　
H01L21/302 -21/302,400;21/461
H01L21/302-21/302,400;21/461 AA AA00
目的 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09
・均一性の向上 ・選択性の向上 ・・エッチング速度の変更 ・・エッチングマスクの改良 ・・エッチング条件の改良 ・ダメージの軽減化 ・ダメージの回復 ・表面変質化の防止 ・パターン整形、残渣の除去
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16
・平坦化、段切れの防止 ・・コンタクトホールのテーパ化 ・清浄化 ・・基板の清浄化 ・・装置内壁の清浄化 ・その他（＊）
BA BA00
装置の基本構成 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA09
・バレル型、円筒型 ・・エッチングトンネル ・プラズマ発生室隔離 ・平行平板型 ・・第三電極、トライオード型 ・・電極形状 ・・電極間距離 ・・マグネトロンＲＩＥ ・・２電源式
BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17 BA18 BA19 BA20
・イオンビーム型、イオンシャワー型 ・・カウフマン型 ・・マグネトロン型 ・・ＥＣＲ型 ・・・石英管型 ・・・導入窓型 ・・ビーム走査型 ・ヘキソード型 ・気相処理型 ・その他（＊）
BB BB00
発生室、反応室、処理室等の内部構成 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB07 BB08
・電子ビーム照射 ・光照射 ・・レーザ（＊） ・・・エキレマレーザ（＊） ・・ランプ（＊） ・磁界構成 ・・可動型
BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19 BB20
・印加電力周波数 ・・直流 ・・ＲＦ（高周波） ・・マイクロ波 ・ウエハの保持 ・・縦型 ・・処理面を下に向けた保持 ・・枚葉型 ・・バッチ型 ・・ウエハ固定
BB21 BB22 BB23 BB24 BB25 BB26 BB27 BB28 BB29 BB30
・・・機械的固定 ・・・電機的固定 ・・ウエハ周囲のカバー ・・運動型 ・ウエハの冷却 ・ウエハの加熱 ・・ランプアニール ・ガスの流れ方 ・内壁、試料台の材質 ・・樹脂等によるコーティング（＊）
BB31 BB32
・光反射板 ・その他
BC BC00
装置の細部 		BC01 BC02 BC03 BC04 BC05 BC06 BC07 BC08
・真空密閉方法 ・真空ポンプ、ガストラップ ・ガス管、バルブ、流量制御 ・ガス等の再利用 ・予備真空室 ・ウエハの搬送 ・オゾン発生装置 ・その他
BD BD00
装置の用途指定 		BD01 BD02 BD03 BD04 BD05 BD06 BD07
・アッシング装置 ・Ａｌ用エッチング装置 ・低温ドライエッチング装置 ・ＣＶＤ装置 ・スパッタリング装置 ・イオン注入装置 ・その他（＊）
CA CA00
装置の操作、制御方法 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA09
・ガスの切替 ・ガス圧力、流量 ・印加電力、電圧 ・基板温度 ・電極、試料台等の移動 ・自己バイアス ・起動時の処理 ・条件の設定手法 ・その他（＊）
CB CB00
モニタリング 		CB01 CB02 CB03 CB04 CB05 CB06 CB07 CB08 CB09 CB10
・モニター方法（＊） ・・分光分析法（＊） ・・ガス分析法 ・・・質量分析法 ・・電気的方法 ・・・プローブ ・・・放電インピーダンス ・・・抵抗値 ・・光学的方法（＊） ・・・レーザ干渉法（＊）
CB11 CB12 CB13 CB14 CB15 CB16 CB17 CB18 CB20
・・時間制御法 ・・温度測定法 ・・モニター用パターン ・モニター専用領域の採用 ・終点の判断方法 ・・検知波形の処理 ・・・ノイズ成分の除去 ・・オーバーエッチング時間 ・その他
DA DA00
処理に用いるガス（＊） 		DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA09 DA10
・ＣＦ４ ・Ｃ２Ｆ６ ・Ｃ３Ｆ８ ・Ｃｌ２ ・ＣＣｌ４ ・ＣＣｌ２Ｆ２ ・ＣＣｌＦ３ ・Ｃ２Ｃｌ２Ｆ４ ・Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３ ・ＣＢｒＦ３
DA11 DA12 DA13 DA14 DA15 DA16 DA17 DA18 DA19 DA20
・ＢＣｌ３ ・ＰＣｌ３ ・ＳｉＣｌ４ ・ＣＨＣｌ３ ・ＣＨ２Ｆ２ ・ＣＨＦ３ ・ＮＦ３ ・ＳＦ６ ・ＸｅＦ２ ・ＨＦ
DA21 DA22 DA23 DA24 DA25 DA26 DA27 DA28 DA29 DA30
・Ａｉｒ ・Ｈｅ ・Ａｒ ・Ｈ２ ・Ｎ２ ・Ｏ２ ・Ｏ３ ・ＮＯ２ ・ＨＣｌ ・混合量の変化
DB DB00
被エッチング物（＊） 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB07 DB08 DB09 DB10
・Ｓｉ ・・多結晶Ｓｉ ・ＳｉＯ２ ・・ＰＳＧ ・・ＢＳＧ ・・ＢＰＳＧ ・Ｓｉ３Ｎ４ ・金属 ・・Ａｌ ・・Ｗ
DB12 DB13 DB14 DB15 DB16 DB17 DB18 DB19 DB20
・金属化合物 ・・金属酸化物 ・・・Ａｌ２Ｏ３ ・・金属シリサイド ・・・Ａｌシリサイド，Ａｌ－Ｓｉ ・・・Ｗシリサイド ・・・Ｍｏシリサイド ・化合物半導体 ・・ＧａＡｓ
DB21 DB22 DB23 DB24 DB25 DB26 DB27 DB28 DB29 DB30
・・ＧａＡｌＡｓ ・・ＩｎＰ ・高分子材料 ・・シリコーン樹脂 ・・ポリイミド樹脂 ・・フォトレジスト ・・電子ビーム露光用レジスト ・不純物添加材料 ・磁性材料 ・アモルファス
DB31 DB32
・透明導電膜 ・面方位
EA EA00
パターン形成手法 		EA01 EA02 EA03 EA04 EA05 EA06 EA07 EA08 EA09 EA10
・マスク構成 ・・多層レジストマスク ・・レジスト以外のエッチングマスク ・・・酸化、変質、重合膜 ・・・金属膜 ・・・ＳｉＯ２膜 ・・・Ｓｉ３Ｎ４膜 ・・矩形外マスク ・アンダーエッチング，サイドエッチング ・ウェットエッチング
EA11 EA12 EA13 EA14 EA15 EA16 EA17 EA18 EA19 EA20
・サイドウォール ・・残留形成 ・・側壁保護膜の形成 ・・変質形成 ・反転エッチング ・抜きパターン ・リフトオフ ・・絶縁膜パターン ・斜めイオン入射、蒸着 ・ペリフェラルエッチング
EA21 EA22 EA23 EA24 EA25 EA26 EA27 EA28 EA29 EA30
・ダミー ・反射防止膜 ・エッチングストッパー ・フロー工程 ・・熱軟化 ・・液体塗布 ・エッチバック ・多段階エッチング ・・等方性エッチング＋異方性エッチング ・低温ドライエッチング
EA31 EA32 EA33 EA34 EA35 EA36 EA37 EA38 EA39 EA40
・バイアススパッタ ・異なる領域を同時にエッチング ・位置合わせ ・気相エッチング ・・ホット分子 ・・Ｄｒｙ―ＯＸ法 ・エッチング形状の制御 ・マスクレスエッチング ・・ＦＩＢ ・その他
EB EB00
エッチング対象部の機能 		EB01 EB02 EB03 EB04 EB05 EB06 EB07 EB08
・コンタクトホール ・電極、配線 ・層間絶縁膜 ・分離溝 ・溝型キャパシタ ・ブレーズド格子 ・露光用マスク ・その他
FA FA00
エッチング工程前後の処理 		FA01 FA02 FA03 FA04 FA05 FA06 FA07 FA08
・加熱処理 ・イオン注入（＊） ・不純物ドープ ・電子ビーム照射 ・レーザ照射 ・機械的ダメージ ・ライトエッチング ・その他（＊）
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