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Fタームリスト

ＦＩテーマのＦターム化（Ｈ１７）
5F092 ホール／ＭＲ素子 電子デバイス　　　　
H10D48/40 -48/40@Z;H10N50/00-59/00
H01L29/82-29/82@Z;H10N50/00-59/00 AA AA00
目的・効果 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・高感度化 ・高出力化 ・高速化 ・低消費電力化 ・ＳＮ比向上 ・素子寿命の延長化 ・耐環境性能の向上 ・・耐熱性向上，温度特性向上 ・・機械的強度向上 ・・耐圧向上
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA20
・製造工程の改善 ・微細化 ・三次元化 ・オフセットの補償 ・動作の安定化（ばらつきの低減を含む） ・その他＊
AB AB00
用途 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB06 AB07 AB08 AB09 AB10
・磁気センサ ・磁気ヘッド ・・シールド型 ・・ヨーク型（フラックスガイド型含む） ・ＭＲＡＭ ・・マトリクス型 ・・選択トランジスタを有するもの ・ＲＲＡＭ（登録商標） ・その他＊
AC AC00
素子の種類 		AC01 AC02 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08
・磁気インピーダンス素子（ＭＩ素子） ・ホール効果素子 ・磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） ・・異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ） ・・巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ） ・・・人工格子型 ・・・スピンバルブ型
AC11 AC12 AC14 AC15 AC17
・・トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ） ・・・スピンバルブ型 ・・超巨大磁気抵抗効果素子（ＣＭＲ：ＣｏｌｏｓｓａｌＭＲ） ・・弾道磁気抵抗効果素子（ＢＭＲ：ＢａｌｉｓｔｉｃＭＲ） ・ＳＭＤ・ＳＭＴ
AC21 AC22 AC23 AC24 AC25 AC26 AC30
・スピン素子 ・・スピントランジスタ ・・・バイポーラ型 ・・・ＦＥＴ型 ・・スピン供給素子 ・・スピンホール効果素子 ・その他＊
AD AD00
素子の動作に特徴のあるもの 		AD01 AD02 AD03 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08
・印加電流又は電圧に特徴のあるもの ・・検出電流方向に特徴のあるもの ・・・基板主面・膜面に垂直（ＣＰＰ含む） ・・・・基板に垂直に磁場をかけるもの ・・・・基板に水平に磁場をかけるもの ・・・基板主面・膜面に平行（ＣＩＰ含む） ・・・・基板に垂直に磁場をかけるもの ・・・・基板に水平に磁場をかけるもの
AD12 AD13
・・検出電流方向以外に特徴のあるもの ・・・印加電圧に特徴のあるもの
AD21 AD22 AD23 AD24 AD25 AD26 AD28 AD30
・磁化に特徴のあるもの ・・磁化の方向に特徴のあるもの ・・・垂直磁化を利用するもの ・・磁化方向を制御する方法に特徴のあるもの ・・・スピン注入により磁化を反転するもの ・・・電流により磁壁を移動するもの ・印加タイミングに特徴のあるもの ・その他＊
H01L27/22;29/82-29/82@Z;43/00-43/14 BA BA00
ホール素子 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08
・ホール素子の材料 ・・感磁部 ・・・Ｓｉ ・・・Ｇｅ ・・・化合物半導体 ・・・・二元系 ・・・・三元系 ・・・・四元系以上
BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17 BA19 BA20
・・基板 ・・・Ｓｉ ・・・・ＳＯＩ ・・・Ｇｅ ・・・化合物半導体 ・・・絶縁体 ・・・磁性体 ・・電極 ・・保護層
BA21 BA22 BA23 BA25
・ホール素子の動作部の平面形状 ・・十字形 ・・方形 ・ホール素子の動作部の断面形状
BA31 BA32 BA33 BA34 BA35 BA37 BA40
・ホール素子の構造 ・・薄膜型 ・・・積層構造 ・・・・バッファ層 ・・・・二次元電子 ・・バルク型 ・その他＊
H01L29/82-29/82@Z;H10N50/00-59/00 BB BB00
ＭＲ素子の材料 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB08 BB09 BB10
・基板 ・・磁性体 ・・導電体 ・・半導体 ・・絶縁体 ・・有機物 ・下地層（シード層等を含む） ・・磁性体 ・・導電体
BB11 BB12 BB13 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19 BB20
・・半導体 ・・絶縁体 ・・有機物 ・固定層の磁化を固定させる層 ・・反強磁性層 ・・・Ｍｎ含有合金 ・・・酸化物 ・・・半導体 ・・・有機物
BB21 BB22 BB23 BB24 BB25 BB26 BB27 BB29 BB30
・固定層 ・・Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのみの合金又は単体 ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系と他の金属） ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系は除く） ・・酸化物 ・・半導体 ・・有機物 ・中間層 ・・導電体
BB31 BB32 BB33 BB34 BB35 BB36 BB37 BB38 BB39 BB40
・・・Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等金属単体 ・・・合金 ・・絶縁物 ・・・酸化物 ・・・・Ａｌ２Ｏ３ ・・・・ＭｇＯ ・・・・ＳｉＯ２ ・・半導体 ・・有機物 ・・磁性体
BB41 BB42 BB43 BB44 BB45 BB46 BB47 BB49
・自由層（感磁層を含む） ・・Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのみの合金又は単体 ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系と他の金属） ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系は除く） ・・酸化物 ・・半導体 ・・有機物 ・鏡面反射層
BB51 BB53 BB55 BB57 BB58 BB59 BB60
・スピンフィルタ層 ・保護層（キャップ層等を含む） ・電極 ・磁区制御（縦バイアス）下地層 ・・磁性体 ・・導電体 ・・絶縁体
BB61 BB62 BB64 BB65 BB66 BB67 BB68 BB69 BB70
・・半導体 ・・有機物 ・磁区制御層（縦バイアス層） ・・Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのみの合金又は単体 ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系と他の金属） ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系は除く） ・・酸化物 ・・半導体 ・・有機物
BB71 BB73 BB74 BB75 BB76 BB77 BB78 BB79
・・反強磁性体 ・バイアス層（横バイアス層） ・・Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのみの合金又は単体 ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系と他の金属） ・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系は除く） ・・酸化物 ・・半導体 ・・有機物
BB81 BB82 BB90
・層間絶縁膜 ・・ＳｉＯ２ ・その他＊
BC BC00
ＭＲ素子の構造・形状 		BC01 BC02 BC03 BC04 BC06 BC07 BC08 BC09 BC10
・積層構造に特徴のあるもの ・・ＭＲ素子を形成する層の積層順 ・・・固定層が自由層より上にあるもの ・・・自由層が固定層より上にあるもの ・・積層フェリ磁性 ・・・固定層 ・・・自由層（感磁層を含む） ・・・磁区制御層（縦バイアス層） ・・・バイアス層（横バイアス層）
BC11 BC12 BC13 BC14 BC15 BC16 BC17 BC18 BC19 BC20
・・特定の層が積層構造を持つもの（積層フェリを除く） ・・・固定層 ・・・自由層（感磁層を含む） ・・・中間層 ・・・磁区制御層（縦バイアス層） ・・・バイアス層（横バイアス層） ・・・固定層の磁化を固定させる層 ・・・下地層 ・・・積層フェリ磁性の各層 ・・・スピンフィルタ層・鏡面反射層
BC22
・・・保護層（キャップ層等を含む）
BC31 BC32 BC33 BC34 BC35 BC36 BC38 BC39 BC40
・グラニュラー構造 ・・固定層 ・・自由層（感磁層を含む） ・・中間層 ・・磁区制御層（縦バイアス層） ・・バイアス層（横バイアス層） ・・マトリックスが導電体のもの ・・マトリックスが絶縁体のもの ・・マトリックスが半導体のもの
BC41 BC42 BC43 BC45 BC46 BC47 BC48 BC50
・ＭＲ素子の動作部の形状に特徴のあるもの ・・平面形状 ・・断面形状 ・複数の素子を積層したもの（デュアルスピンバルブ等） ・・自由層を共有したもの ・・自由層を共有していないもの ・・三つ以上の素子を積層したもの ・その他＊
BD BD00
ホール素子，ＭＲ素子以外の素子 		BD01 BD02 BD03 BD04 BD05 BD06 BD07 BD08
・材料 ・・磁性体 ・・・Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのみの合金又は単体 ・・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系と他の金属） ・・・合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ系は除く） ・・・酸化物 ・・・半導体 ・・・有機物
BD12 BD13 BD14 BD15 BD16 BD18 BD19 BD20
・・非磁性体 ・・・導電体 ・・・絶縁体 ・・・半導体 ・・・有機物 ・形状に特徴のあるもの ・・平面形状 ・・断面形状
BD21 BD22 BD23 BD24 BD25 BD26 BD30
・構造に特徴のあるもの ・・基板 ・・動作層 ・・電極 ・・保護層 ・・層間絶縁膜 ・その他＊
BE BE00
各素子に共通の特徴 		BE01 BE02 BE03 BE04 BE05 BE06
・素子を形成する層の結晶状態 ・・単結晶 ・・多結晶 ・・微結晶 ・・混晶 ・・アモルファス
BE11 BE12 BE13 BE14 BE15
・素子を形成する層の結晶系 ・・正方晶系 ・・立方晶系 ・・六方最密充填構造 ・・ペロブスカイト構造
BE21 BE23 BE24 BE25 BE27 BE30
・結晶配向に特徴のあるもの ・材料の組成に特徴のあるもの ・・数値限定を伴うもの ・・添加元素に特徴を持つもの ・膜厚に特徴のあるもの ・その他＊
H01L27/22;29/82-29/82@Z;43/00-43/14 CA CA00
製造方法 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA06 CA07 CA08 CA09
・成膜 ・・ＰＶＤ ・・ＣＶＤ ・・塗布法 ・パターニング ・・露光 ・・エッチング ・・・イオンミリング
CA11 CA13 CA14 CA15 CA17 CA19 CA20
・不純物の注入 ・酸化処理 ・・自然酸化 ・・プラズマ酸化 ・窒化処理 ・平坦化処理 ・・化学機械研磨（ＣＭＰ）
CA21 CA22 CA23 CA25 CA26 CA28
・着磁処理 ・・成膜と同時に行うもの ・・成膜後に行うもの ・熱処理 ・・規則化のためのもの ・位置合わせ
CA31 CA35 CA40
・同時形成に特徴があるもの ・後工程 ・その他＊
H01L29/82-29/82@Z;H10N50/00-59/00 DA DA00
回路 		DA01 DA03 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA10
・素子内部の回路構成に特徴のあるもの ・周辺回路に特徴のあるもの ・・駆動回路 ・・温度補償回路 ・・比較回路 ・・増幅回路 ・・ＡＤ変換回路 ・その他＊
EA EA00
集積化・レイアウト 		EA01 EA04 EA05 EA06 EA07 EA08 EA10
・レイアウトに特徴のあるもの ・１チップ上に他の素子と集積化したもの ・・ダイオード ・・トランジスタ ・・抵抗、キャパシタ等 ・・コイル ・その他＊
FA FA00
実装 		FA01 FA02 FA03 FA04 FA05 FA06 FA08 FA09 FA10
・マウント ・リード ・ボンディングパッド ・パッケージング ・・モールド型 ・・キャップ型 ・集磁部材，バイアス磁石を有するもの ・磁気遮蔽部材を有するもの ・その他＊
GA GA00
その他 		GA01 GA03 GA05 GA10
・試験、測定 ・シミュレーション ・製造装置 ・その他＊
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