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| 5F053 | 半導体装置を構成する物質の液相成長 | デバイスプロセス |
| H01L21/208 -21/208@Z;21/368-21/368@Z | ||
| H01L21/208-21/208@Z;21/368-21/368@Z | AA | AA00 成長方法 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA09 | |
| ・スライド法 | ・傾斜法（ネルソン法、チッピング法） | ・ディッピング法 | ・ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法 | ・・垂直浸漬法（ＬＢ法） | ・スピン法 | ・ボート法 | ・・水平（横型）ブリッジマン法 | ・・グラジエントフリーズ法（ＧＦ法） | ||||
| AA11 | AA12 | AA13 | AA14 | AA15 | AA16 | AA17 | AA18 | AA19 | ||||
| ・垂直（縦型）ブリッジマン法 | ・引き上げ法（チョクラルスキー法） | ・・種結晶とメルトが相対回転するもの | ・・磁場を印加するもの | ・・板状での引き上げ | ・帯域溶融法（ゾーンメルティング法） | ・・温度勾配帯域溶融法（ＴＧＺＭ） | ・・帯溶融均一化法（ゾーンレベリング法） | ・・浮遊帯域溶融法（フローティングゾーン法） | ||||
| AA21 | AA22 | AA23 | AA24 | AA25 | AA26 | |||||||
| ・成長制御・調整・監視・計測方法 | ・・温度制御・調整方法 | ・・・時系列的温度制御・調整 | ・・・・ＰＮ接合の強制反転のためのもの | ・・・・徐冷（降温）法 | ・・・・・温度降下手法 （Ｓ） | |||||||
| AA32 | AA33 | AA34 | AA35 | AA36 | ||||||||
| ・・・複数箇所の温度差を利用するもの | ・・・・温度差法・温度勾配法・温度傾斜法 | ・・・・トラベリングゾーン法 | ・・・・三温度法 | ・・・・二温度法 | ||||||||
| AA42 | AA43 | AA44 | AA45 | AA46 | AA47 | AA48 | AA49 | AA50 | ||||
| ・・監視・計測 | ・・被制御・調整対象 | ・・・メルト | ・・・・メルトの濃度 | ・・・インゴット・バルク | ・・・成長基板 | ・・雰囲気の制御・調整方法 | ・・シーケンシャル（手順）制御方法 | ・その他の成長方法（＊） | ||||
| BB | BB00 成長装置 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | BB08 | BB09 | |||
| ・成長容器 （Ｓ） | ・・形態 （Ｓ） | ・・・ボート （Ｓ） | ・・・るつぼ （Ｓ） | ・・・反応管 （Ｓ） | ・・・・閉管・アンプル | ・・・回転機構を有するもの | ・・・コーティング | |||||
| BB12 | BB13 | BB14 | BB15 | |||||||||
| ・・材質・材料 | ・・・石英 | ・・・カーボン | ・・・グラファイト | |||||||||
| BB21 | BB22 | BB23 | BB24 | BB25 | BB26 | BB27 | BB28 | BB29 | ||||
| ・メルトおよびその付随装置 （Ｓ） | ・・メルト中の不要部の分離 | ・・メルトの分配 | ・・成長物質以外のメルト | ・・・ダミーメルト | ・・多種メルトの並置 | ・・メルト加圧手段を有するもの | ・・・メルトを押し上げるもの | ・・・後処理メルトによる前処理メルトの押出し | ||||
| BB32 | BB33 | BB34 | BB35 | BB36 | BB38 | BB39 | ||||||
| ・・メルト溜室 （Ｓ） | ・・・側壁 （Ｓ） | ・・・ふた | ・・・・液体による封止（ＬＥＣ） | ・・・廃液溜室 （Ｓ） | ・・メルトへの原料の供給・補充 | ・・各メルトが独自移動可能なもの | ||||||
| BB41 | BB42 | BB43 | BB44 | BB45 | BB48 | |||||||
| ・成長基板取扱装置 （Ｓ） | ・・スライダでの基板とメルトの相対移動 （Ｓ） | ・・・スライダ （Ｓ） | ・・・複数の相対移動部を有するもの | ・・・円周上を相対移動するもの | ・・隔壁のみがスライドするもの | |||||||
| BB52 | BB53 | BB54 | BB55 | BB57 | BB58 | BB59 | BB60 | |||||
| ・・同時に複数成長基板を扱うもの | ・・成長基板が多層に配置されているもの | ・・成長基板が非水平に保持されているもの | ・・成長基板保護装置 | ・気相の構成物質・ドーパントを付加する装置 | ・加熱装置 （Ｓ） | ・ドーピング装置 | ・その他の成長装置（＊） | |||||
| DD | DD00 成長物質 |
DD01 | DD02 | DD03 | DD04 | DD05 | DD06 | DD07 | DD08 | DD09 | ||
| ・Ｓｉ | ・ＳｉＣ | ・ＧａＡｓ | ・ＧａＡｓＰ | ・ＧａＡｌＡｓ | ・ＧａＡｌＡｓＰ | ・ＧａＰ | ・ＧａＩｎＰ | ・ＧａＩｎＳｂ | ||||
| DD11 | DD12 | DD13 | DD14 | DD15 | DD16 | DD17 | DD18 | DD19 | DD20 | |||
| ・ＩｎＰ | ・ＩｎＧａＡｓＰ | ・ＣｄＳｉＰ | ・ＣｄＴｅ | ・ＨｇＣｄＴｅ | ・ＺｎＳｅ | ・ＰｂＳｅ | ・ＢＮ | ・有機物 | ・その他の成長物質（＊） | |||
| FF | FF00 成長形態 |
FF01 | FF02 | FF04 | FF05 | FF10 | ||||||
| ・薄膜 | ・・多層膜 | ・インゴット・バルク | ・・ウェハ・板状体 | ・その他の成長形態（＊） | ||||||||
| GG | GG00 成長状態 |
GG01 | GG02 | GG03 | GG05 | GG06 | GG10 | |||||
| ・単結晶・エピタキシャル成長 | ・多結晶 | ・アモルファス（非晶質） | ・選択成長 | ・・マスク | ・その他の成長状態（＊） | |||||||
| HH | HH00 基板 |
HH01 | HH02 | HH04 | HH05 | HH07 | HH10 | |||||
| ・ウェハ | ・帯状体・ウェブ | ・半導体成長基板 | ・半導体以外の成長基板 | ・ダミー基板 | ・その他の基板（＊） | |||||||
| JJ | JJ00 成長部の導電型 |
JJ01 | JJ03 | JJ10 | ||||||||
| ・Ｐ型 | ・Ｎ型 | ・その他の導電型（＊） | ||||||||||
| KK | KK00 ドーパント |
KK01 | KK02 | KK03 | KK04 | KK05 | KK06 | KK07 | KK08 | KK10 | ||
| ・Ｓｉ | ・Ｇｅ | ・Ｂ | ・Ｚｎ | ・Ｌｉ | ・Ｓ | ・Ｃ | ・Ｔｅ | ・その他のドーパント（＊） | ||||
| LL | LL00 適用デバイス |
LL01 | LL02 | LL03 | LL04 | LL05 | LL06 | LL10 | ||||
| ・発光体 | ・・発光ダイオード | ・・半導体レーザ | ・受光体 | ・・太陽電池 | ・・光センサ | ・その他の適用デバイス（＊） | ||||||
| PP | PP00 前処理・後処理 |
PP01 | PP02 | PP03 | PP04 | PP05 | PP06 | PP07 | PP08 | |||
| ・清浄化処理を行うもの | ・エッチングを行うもの | ・熱処理・アニールを行うもの | ・メルトバックを行うもの | ・還元処理を行うもの | ・イオン注入を行うもの | ・マスク処理を行うもの | ・機械的研摩を行うもの | |||||
| PP11 | PP12 | PP13 | PP14 | PP20 | ||||||||
| ・他種の成長を行うもの | ・・化学的気相成長（ＣＶＤ） | ・・物理的気相成長（ＰＶＤ） | ・・・分子ビームエピタキシャル成長（ＭＢＥ） | ・その他の前処理・後処理（＊） | ||||||||
| RR | RR00 目的・効果・機能 |
RR01 | RR02 | RR03 | RR04 | RR05 | RR06 | RR07 | RR08 | |||
| ・成長物質の均一化 | ・・エッジグロースの低減 | ・格子欠陥含有率の低下 | ・品質の安定化（歩留り向上） | ・生産性向上（製造行程・時間の短縮） | ・・連続処理 | ・耐久性向上 | ・出力向上 | |||||
| RR11 | RR12 | RR13 | RR14 | RR20 | ||||||||
| ・発光特性向上 | ・感光特性向上 | ・経済性向上（原価低減・原料節約） | ・環境対策 | ・その他の目的・効果・機能（＊） |