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５Ｆ８４９へ統合（Ｈ２６）
| 5F088 | 受光素子１（共通事項、放射線検出） | 光デバイス |
| H01L31/00 -31/02@Z;31/08-31/08@Z | ||
| H01L31/00-31/02@Z;31/08-31/08@Z | AA | AA00 受光素子、放射線検出素子の種類 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA07 | AA08 | AA09 | ||
| ・フォトダイオード（ＰＤ） | ・・ＰＮ接合型 | ・・・ＰＩＮ接合型 | ・・ショットキー障壁型 | ・・アバランシェ―フォトダイオード（ＡＰＤ） | ・フォトトランジスタ（ＰＴ） | ・・バイポーラ型 | ・・電界効果型（ＦＥＴ） | |||||
| AA11 | AA12 | AA20 | ||||||||||
| ・フォトコンダクタ（光導電型） | ・・Ｐ型 | ・その他の型の素子 | ||||||||||
| AB | AB00 素子本体材料（基板，電極等はＦＡ～ＨＡ） |
AB01 | AB02 | AB03 | AB04 | AB05 | AB07 | AB09 | ||||
| ・材料＊ | ・・ＩＶ族＊ | ・・・単結晶、多結晶＊ | ・・・微結晶＊ | ・・・アモルファス＊ | ・・ＩＩＩ―Ｖ族＊ | ・・ＩＩ―ＶＩ族＊ | ||||||
| AB11 | AB12 | AB13 | AB14 | AB16 | AB17 | AB19 | ||||||
| ・・有機材料＊ | ・・・アゾ染料 | ・・・フタロシアニン化合物 | ・・・ヒドラゾン化合物 | ・ドーパント材料＊ | ・・導電型決定用＊ | ・バインダ材料（素子本体用のみ） | ||||||
| BA | BA00 目的、効果（コストダウンは除く） |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA07 | BA10 | ||||
| ・感度向上（量子効率向上） | ・レスポンス向上（周波数特性向上） | ・Ｓ／Ｎ比向上 | ・暗電流の減少 | ・ダイナミックレンジ「拡大」（高コントラスト比） | ・エネルギー分解能向上（放射線、粒子線） | ・性能安定化（特性変動防止） | ||||||
| BA11 | BA13 | BA15 | BA16 | BA18 | BA20 | |||||||
| ・耐環境特性の向上（熱、水、塵、振動等） | ・長寿命化 | ・小型化 | ・設置、固定に関するもの | ・製造工程に関するもの | ・その他の目的、効果 | |||||||
| BB | BB00 用途 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | BB07 | BB08 | BB10 | ||
| ・光通信用 | ・ラインセンサ用 | ・固体撮像素子用 | ・撮像管用ターゲット | ・太陽電池用 | ・計測用 | ・医療用 | ・電子写真用光導電体 | ・その他の用途 | ||||
| CA | CA00 アモルファス（微結晶も含む）製造法、工程 |
CA01 | CA02 | CA04 | CA05 | CA07 | CA08 | CA09 | CA10 | |||
| ・化学的蒸着法（ＣＶＤ） | ・・プラズマＣＶＤ法（グロー放電法） | ・物理的蒸着法（ＰＶＤ） | ・・真空蒸着法 | ・製造装置 | ・・成膜室構造 | ・付加的工程（ドーピング、熱処理など） | ・その他、アモルファス製造に関するもの | |||||
| CB | CB00 アモルファス以外の製造法、工程 |
CB01 | CB02 | CB03 | CB04 | CB05 | CB06 | CB07 | CB08 | CB09 | CB10 | |
| ・結晶成長 | ・・液相エピタキシャル法（ＬＰＥ） | ・・気相エピタキシャル法（ＶＰＥ） | ・・・ＭＯＣＶＤ法 | ・薄膜技術（ＣＢ０１～０４が優先） | ・・真空蒸着法 | ・・スパッタ法 | ・ドーピング | ・・熱拡散 | ・・イオン注入 | |||
| CB11 | CB12 | CB14 | CB15 | CB17 | CB18 | CB20 | ||||||
| ・熱処理 | ・・光アニール | ・エッチング | ・電極形成法 | ・素子分割（ダイシング、スクライブ） | ・製造条件に特徴（温度、圧力、時間など） | ・その他、本項に関する事項 | ||||||
| DA | DA00 素子構造一般（型別はＡＡ、細部はＦＡ等） |
DA01 | DA03 | DA05 | ||||||||
| ・フォトダイオードの構造に関するもの | ・フォトトランジスタの構造に関するもの | ・フォトコンダクタの構造に関するもの | ||||||||||
| DA11 | DA13 | DA14 | DA15 | DA17 | DA20 | |||||||
| ・積層型（タンデム型） | ・中間結合層 | ・・バッファ層（格子定数整合用など） | ・・ブロック層 | ・素子の形状に特徴（表面形状含） | ・その他、本項に関する事項 | |||||||
| EA | EA00 モジュール化 |
EA01 | EA02 | EA03 | EA04 | EA06 | EA07 | EA08 | EA09 | |||
| ・同種複数素子 | ・・アレイ | ・・・一次元（ラインセンサ） | ・・・二次元（固体撮像素子など） | ・異種複合素子 | ・・増巾用素子との複合 | ・・スイッチング素子との複合 | ・・発光素子との複合 | |||||
| EA11 | EA13 | EA14 | EA16 | EA20 | ||||||||
| ・素子の配置 | ・素子間分離 | ・・絶縁分離 | ・素子間の電気的接続 | ・その他モジュール化に関する事項 | ||||||||
| FA | FA00 電極（端子はＪＡ） |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA09 | ||||
| ・材料＊ | ・・透明電極＊ | ・・・ＳｎＯ２ | ・・・ＩＴＯ | ・・金属電極＊ | ・・有機材料＊ | ・形状、配置に特徴 | ||||||
| FA11 | FA12 | FA14 | FA15 | FA20 | ||||||||
| ・構造に特徴 | ・・多層構造 | ・機能 | ・・反射膜兼用 | ・その他、電極に関する事項 | ||||||||
| GA | GA00 基板（その上に素子本体が形成されるもの） |
GA01 | GA02 | GA03 | GA04 | GA05 | GA07 | GA08 | GA09 | GA10 | ||
| ・材料（ＡＢが優先） | ・・絶縁性基板（ガラス等）＊ | ・・半導体基板＊ | ・・・ＩＶ族＊ | ・・・ＩＩＩ―Ｖ族＊ | ・形状（表面形状含） | ・構造 | ・・多層構造 | ・その他、基板に関する事項 | ||||
| HA | HA00 その他の素子構成要素 |
HA01 | HA02 | HA03 | HA05 | HA06 | HA07 | HA09 | HA10 | |||
| ・反射防止膜 | ・・材料＊ | ・・・無機材料＊ | ・フィルタ膜 | ・・材料＊ | ・・構造＊ | ・反射膜（電極は除く） | ・遮光膜、放射線遮へい膜（電極は除く） | |||||
| HA11 | HA12 | HA13 | HA15 | HA20 | ||||||||
| ・表面保護膜 | ・・材料＊ | ・・・ＳｉＯ２ | ・シンチレータ（素子と別体はＪＡ１７） | ・その他、本項に関する事項 | ||||||||
| JA | JA00 ケース、実装 |
JA01 | JA02 | JA03 | JA05 | JA06 | JA07 | JA09 | JA10 | |||
| ・素子のマウント | ・・端子、リードフレーム上 | ・・基台上 | ・ケース、基台、パッケージ | ・・モールディング型 | ・・キャン封止 | ・ボンディング | ・・ワイヤーボンディング | |||||
| JA11 | JA12 | JA13 | JA14 | JA16 | JA17 | JA18 | JA20 | |||||
| ・光学部材との結合 | ・・レンズ | ・・光学フィルタ | ・・光ファイバ（ライトガイド） | ・放射線遮へい板 | ・シンチレータ板 | ・端子、リードフレーム | ・その他、ケース、実装に関する事項 | |||||
| KA | KA00 周辺回路 |
KA01 | KA02 | KA03 | KA06 | KA08 | KA10 | |||||
| ・バイアス回路 | ・・増幅回路を含むもの | ・・スイッチング回路を含むもの | ・帰還のための検出回路（温度検出など） | ・読出し回路 | ・その他、周辺回路に関する事項 | |||||||
| LA | LA00 受光波長帯域、検出対象 |
LA01 | LA03 | LA05 | LA07 | LA08 | LA09 | |||||
| ・赤外光 | ・可視光 | ・紫外光 | ・放射線 | ・・Ｘ線 | ・広帯域受光（多色受光を含む） |