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リスト再作成旧５Ｆ０５２（Ｈ１６）
5F152 再結晶化技術 電子デバイス　　　　
H01L21/18 -21/20;21/34-21/36;21/84
H01L21/18-21/20;21/34-21/36;21/84 AA AA00
目的，効果 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA06 AA07 AA08 AA10
・成長方向の制御 ・・横方向に成長（ラテラル） ・・・一方向に成長 ・結晶粒の位置制御 ・結晶粒の大きさ，形状 ・配向性，結晶方位 ・均一性 ・領域別最適化
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA17 AA20
・反り，応力，歪 ・欠陥 ・平坦性，飛散防止 ・汚染防止，清浄化 ・・連続処理（マルチチャンバ等） ・検査，測定，モニタリング ・その他＊
BB BB00
半導体素子等への用途 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・トランジスタ，ダイオード ・・ＭＯＳＦＥＴ，ＴＦＴ ・・・下層ゲートＴＦＴ ・・バイポーラトランジスタ ・発光素子 ・・レーザ ・受光素子 ・・太陽電池 ・その他＊
CC CC00
基板 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC07 CC08 CC09 CC10
・材料（結晶化直前の状態）＊ ・・ガラス ・・石英 ・・プラスチック，有機材料 ・・金属，導電性金属化合物 ・・絶縁性金属化合物，サファイア ・・半導体 ・・・Ｓｉ ・・材料の性質が規定＊ ・・その他のもの
CC11 CC12 CC13 CC14 CC16 CC20
・形状（結晶化直前の状態） ・・形状に特徴 ・・・凹凸，孔，溝 ・・その他のもの ・基板を結晶の種として使用 ・その他＊
CD CD00
被結晶化層の下方の層 		CD01 CD02 CD03 CD04 CD05 CD06 CD07 CD08 CD09 CD10
・目的（結晶化のためのもの）＊ ・・光反射性，光透過性，光吸収性 ・・熱伝導（保温，冷却，断熱等） ・・平坦化，補強（形状保持等） ・・結晶の種として使用 ・・その他のもの ・材料（結晶化直前の状態）＊ ・・半導体 ・・・Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ，ＳｉＣ ・・プラスチック，有機材料
CD12 CD13 CD14 CD15 CD16 CD17 CD18 CD19 CD20
・・絶縁体 ・・・ＳｉＯ ・・・ＳｉＮ ・・・ＳｉＯＮ ・・・絶縁性金属化合物 ・・金属，導電性金属化合物 ・・・触媒元素 ・・材料の性質が規定＊ ・・その他のもの
CD21 CD22 CD23 CD24 CD25 CD26 CD27 CD28 CD29 CD30
・形状（結晶化直前の状態） ・・平面形状，配置に特徴 ・・断面形状，厚さに特徴 ・・島状，ストライプ状 ・・孔，溝 ・・・微小孔，微小溝（径２００ｎｍ以下） ・・多層構造に特徴 ・・粒，微粒子 ・基板裏面側に層 ・その他＊
CE CE00
被結晶化層 		CE01 CE02 CE03 CE04 CE05 CE06 CE07 CE08 CE09 CE10
・材料＊ ・・４族 ・・・Ｓｉ ・・・・多結晶Ｓｉ ・・・・非晶質Ｓｉ，微結晶Ｓｉ ・・・Ｇｅ，ＳｉＧｅ ・・・ＳｉＣ，ＧｅＣ ・・３－５族，２－６族 ・・材料の性質が規定＊ ・・その他のもの
CE11 CE12 CE13 CE14 CE15 CE16 CE17 CE18 CE19
・堆積方法 ・・ＣＶＤ ・・・減圧ＣＶＤ ・・・プラズマＣＶＤ ・・ＰＶＤ ・・・蒸着，スパッタリング ・・・ＭＢＥ ・・液相，インクジェット ・・その他のもの
CE21 CE22 CE23 CE24 CE25 CE26 CE27 CE28 CE29 CE30
・形状（結晶化直前の状態） ・・平面形状に特徴（ネッキング等） ・・断面形状に特徴 ・・厚さが規定 ・・・厚さに特徴 ・・多層構造 ・・配置に特徴 ・・結晶化前にパターニング ・・結晶化前に薄膜化，研磨 ・・その他のもの
CE31 CE32 CE33 CE34 CE35 CE36 CE37 CE38 CE39 CE40
・元素が導入されたもの（結晶化直前の状態） ・・導電型 ・・非導電型 ・・結晶化制御用 ・・・触媒元素 ・・イオン注入，イオンドープ ・・プラズマドープ，拡散 ・・堆積時に同時導入 ・・導入領域に特徴 ・・その他のもの
CE41 CE42 CE43 CE44 CE45 CE46 CE47 CE48 CE49 CE50
・前処理（結晶化のためのもの） ・・レーザ，ランプ，ＲＴＡ ・・・脱水素化，脱ガス化 ・・熱処理，ヒータ ・・・脱水素化，脱ガス化 ・・非晶質化 ・・プラズマ処理 ・・洗浄，液相で処理 ・・その他のもの ・その他＊
CF CF00
被結晶化層の上方の層 		CF01 CF02 CF03 CF04 CF05 CF06 CF07 CF08 CF09 CF10
・目的（結晶化のためのもの）＊ ・・光反射性，光透過性，光吸収性 ・・熱伝導（保温，冷却，断熱等） ・・平坦化，補強（形状保持等） ・・結晶の種として使用 ・・その他のもの ・材料（結晶化直前の状態）＊ ・・半導体 ・・・Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ，ＳｉＣ ・・プラスチック，有機材料
CF12 CF13 CF14 CF15 CF16 CF17 CF18 CF19 CF20
・・絶縁体 ・・・ＳｉＯ ・・・ＳｉＮ ・・・ＳｉＯＮ ・・・絶縁性金属化合物 ・・金属，導電性金属化合物 ・・・触媒元素 ・・材料の性質が規定＊ ・・その他のもの
CF21 CF22 CF23 CF24 CF25 CF26 CF27 CF28 CF30
・形状（結晶化直前の状態） ・・平面形状，配置に特徴 ・・断面形状，厚さに特徴 ・・島状，ストライプ状 ・・孔，溝 ・・多層構造に特徴 ・・粒，微粒子 ・・その他のもの ・その他＊
CG CG00
被結晶化層の側方の層 		CG01 CG02 CG03 CG04 CG05 CG06 CG07 CG08 CG09 CG10
・目的（結晶化のためのもの）＊ ・・光反射性，光透過性，光吸収性 ・・熱伝導（保温，冷却，断熱等） ・・平坦化，補強（形状保持等） ・・結晶の種として使用 ・・その他のもの ・形状に特徴（結晶化直前の状態） ・・その他のもの ・上方と同一の層 ・下方と同一の層
CG11 CG12 CG13 CG14 CG15 CG16 CG17 CG18 CG19 CG20
・材料（結晶化直前の状態）＊ ・・絶縁体 ・・・ＳｉＯ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ ・・・絶縁性金属化合物 ・・金属，導電性金属化合物 ・・・触媒元素 ・・半導体 ・・プラスチック，有機材料 ・・材料の性質が規定＊ ・その他＊
DD DD00
被結晶化層の後処理 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD07 DD08 DD09 DD10
・形状の変更 ・・薄膜化，平坦化 ・・その他のもの ・レーザ，ランプ，ＲＴＡ ・・触媒元素の除去 ・熱処理，ヒータ ・・触媒元素の除去 ・プラズマ処理 ・洗浄，液相で処理 ・その他＊
EE EE00
結晶化装置 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08 EE09 EE10
・光学系に特徴＊ ・・レンズ系に特徴 ・・ミラ－系に特徴 ・・マスク（位相制御等） ・・・スリットマスク，遮蔽板，シャッタ ・・干渉の制御 ・・その他のもの ・基板保持手段，ステージに特徴 ・焦点の制御 ・装置の細部に特徴＊
EE11 EE12 EE13 EE14 EE15 EE16 EE17 EE18 EE19 EE20
・雰囲気，ガスの供給，排気＊ ・・圧力の制御 ・・・真空，減圧 ・・酸素，酸化性ガス ・・水素，還元性ガス ・・窒素，不活性ガス ・・ハロゲン ・・その他のもの ・メンテナンス，クリーニング ・その他＊
FF FF00
結晶化のための手段 		FF01 FF02 FF03 FF04 FF05 FF06 FF07 FF08 FF09 FF10
・レーザ＊ ・・気体レーザ＊ ・・・エキシマレーザ ・・・希ガスレーザ，ＣＯ２レーザ ・・固体レーザ＊ ・・・ＹＡＧ ・・・ＹＬＦ，ＹＶＯ４，ＹＡｌＯ３ ・・・ルビー，アレキサンドライト，サファイア ・・・半導体レーザ ・・その他のもの
FF11 FF12 FF13 FF14 FF15 FF16 FF17 FF18 FF19 FF20
・ランプ，ＲＴＡ＊ ・・連続点灯ランプ ・・フラッシュランプ，パルス点灯ランプ ・・ハロゲンランプ ・・キセノンランプ ・・水銀ランプ ・・メタルハライドランプ ・・その他のもの ・電子（ビーム等） ・イオン，プラズマ，中性粒子（ビーム等）
FF21 FF22 FF23 FF24 FF25 FF26 FF27 FF28 FF29 FF30
・熱処理，ヒータ＊ ・・電気炉加熱 ・・誘導炉加熱，誘導加熱 ・・サセプタから加熱 ・・その他のもの ・温度プロファイルに特徴 ・・昇温，降温速度 ・溶融結晶化 ・固相成長 ・多段階結晶化
FF31 FF32 FF33 FF34 FF35 FF36 FF37 FF38 FF39 FF40
・複数種類の手段を使用 ・・２種類以上のレーザ ・・・レーザ光を分割して使用 ・・２種類以上のランプ ・・レーザとランプ ・・レーザとヒータ ・・ランプとヒータ ・・レーザとランプとヒータ ・・複数種類の手段を同時に使用 ・・その他のもの
FF41 FF42 FF43 FF44 FF45 FF46 FF47 FF48 FF49 FF50
・波長のみで特定 ・・Ｘ線 ・・紫外光 ・・可視光 ・・赤外光 ・・マイクロ波 ・波長を変換（高調波等） ・その他の補助手段（磁界，電界，冷却等） ・・その他のもの ・その他＊
FG FG00
照射方法 		FG01 FG02 FG03 FG04 FG05 FG06 FG07 FG08 FG09
・連続照射 ・・その他のもの ・パルス照射 ・・パルス幅，間隔が規定 ・・・パルス幅，間隔に特徴（パルス変調等） ・・パルス波形に特徴（マルチピーク等） ・・その他のもの ・照射回数が規定（単数，複数） ・・照射回数に特徴
FG11 FG12 FG13 FG14 FG15 FG18 FG19
・照射方向 ・・斜め照射 ・・裏面照射 ・・・両面照射 ・・その他のもの ・エネルギー密度，強度，分布が規定 ・・エネルギー密度，強度，分布に特徴
FG21 FG22 FG23 FG24 FG25 FG27 FG28 FG29 FG30
・断面形状，大きさが規定 ・・断面形状，大きさに特徴 ・・・線状，帯状 ・・・三日月型，くの字型，波型，山型 ・・その他のもの ・複数箇所の同時照射（マスク利用除く） ・一括照射 ・コンピュータ制御 ・その他＊
FH FH00
走査方法 		FH01 FH02 FH03 FH04 FH05 FH06 FH07 FH08 FH10
・走査 ・・ビーム走査 ・・ステージ走査 ・・ステップ走査 ・・オーバーラップ走査 ・・・走査列が重複 ・・その他のもの ・必要な箇所のみ走査（結晶化） ・複数回走査
FH11 FH12 FH13 FH14 FH15 FH16 FH17 FH18 FH19 FH20
・走査方向に特徴 ・・斜め走査 ・・走査方向の変更 ・・その他のもの ・走査速度に特徴 ・・走査速度の変更 ・・その他のもの ・位置合わせ，マーカー ・コンピュータ制御 ・その他＊
LL LL00
半導体膜成長技術（半導体層） 		LL01 LL02 LL03 LL04 LL05 LL07 LL08 LL09 LL10
・成長技術 ・・気相 ・・・ＣＶＤ，ＶＰＥ ・・・・プラズマＣＶＤ ・・・・ＭＯＣＶＤ，ＭＯＶＰＥ ・・・ＰＶＤ ・・・・蒸着 ・・・・ＭＢＥ，ＣＢＥ ・・・・スパッタリング
LL12 LL13 LL14 LL16 LL18 LL20
・・液相 ・・・ＬＰＥ ・・・水溶液からの析出 ・・溶融 ・・固相 ・その他＊
LM LM00
一般エピタキシャル成長技術 		LM01 LM02 LM03 LM04 LM05 LM06 LM08 LM09 LM10
・選択成長＊ ・・マスクを用いる ・・マスクを利用しない（基板を改質，加工） ・・マスク，基板の加工等に特徴 ・・横方向成長するもの（ＬａｔｅｒａｌＯｖｅｒｇｒｏｗｔｈ） ・・その他のもの ・成長技術に特徴＊ ・成長技術以外に特徴＊ ・その他＊
LN LN00
格子整合，格子不整合技術 		LN01 LN02 LN03 LN04 LN05 LN07 LN08 LN09 LN10
・目的＊ ・・歪みによる悪影響防止 ・・・転位，クラック等の低減又は抑制 ・・・凹凸の低減 ・・・反りの低減 ・・歪を積極的に利用するもの ・・・移動度の向上等 ・・・自己組織化 ・・その他のもの
LN11 LN12 LN13 LN14 LN15 LN16 LN17 LN18 LN19 LN20
・バッファ層，動作層＊ ・・超格子 ・・組成変化 ・・・連続的に変化 ・・・階段状に変化 ・・多結晶，非晶質 ・・・低温成長 ・・結晶方位に特徴 ・・材料に特徴 ・・その他のもの
LN21 LN22 LN23 LN24 LN26 LN27 LN28 LN29 LN30
・熱処理＊ ・・高温 ・・熱サイクル ・・その他のもの ・平坦化 ・・研磨 ・・・ＣＭＰ ・・エッチング ・・その他のもの
LN31 LN32 LN33 LN34 LN35 LN36 LN37 LN40
・選択成長＊ ・・マスクを用いる ・・マスクを利用しない（基板を改質，加工） ・・マスク，基板の加工等に特徴 ・・横方向成長するもの（ＬａｔｅｒａｌＯｖｅｒｇｒｏｗｔｈ） ・・空洞を有するもの ・・その他のもの ・その他＊
LP LP00
その他技術（接着，分離） 		LP01 LP02 LP04 LP05 LP06 LP07 LP08 LP09 LP10
・支持基板の接着 ・・介在層なし ・支持基板分離技術＊ ・・融解 ・・・レーザ ・・・加熱 ・・エッチング ・・機械的除去 ・その他＊
MM MM00
半導体素子等への用途 		MM01 MM02 MM03 MM04 MM05 MM06 MM07 MM08 MM09 MM10
・電子素子＊ ・・ダイオード ・・トランジスタ ・・・ＭＯＳＦＥＴ ・・・ＭＥＳＦＥＴ，ＨＥＭＴ ・・・ＪＦＥＴ ・・・バイポーラトランジスタ ・発光素子＊ ・・レーザ ・・発光ダイオード
MM11 MM12 MM13 MM14 MM15 MM16 MM18 MM19 MM20
・受光素子＊ ・・フォトダイオード ・・・太陽電池 ・・フォトトランジスタ ・特殊な構造，動作の素子＊ ・・量子構造 ・エピタキシャルウエーハ ・ＳＯＩ基板 ・その他＊
NN NN00
基板材料（積層体を基板として扱う場合も含む） 		NN01 NN02 NN03 NN04 NN05 NN06 NN07 NN08 NN09 NN10
・半導体＊ ・・４族＊ ・・・Ｓｉ ・・・Ｇｅ，ＳｉＧｅ ・・・ＳｉＣ ・・３－５族＊ ・・・ＧａＡｓ ・・・ＩｎＰ ・・・窒化物 ・・２－６族＊
NN11 NN12 NN13 NN14 NN15 NN16 NN17 NN18 NN19 NN20
・絶縁体＊ ・・絶縁性金属化合物＊ ・・・サファイア ・・ガラス ・・ＳｉＯ ・・・石英 ・・ＳｉＮ，ＳｉＯＮ ・・その他のもの ・金属，導電性金属化合物＊ ・プラスチック，有機材料
NN21 NN22 NN23 NN24 NN25 NN27 NN29 NN30
・結晶性＊ ・・多結晶 ・・非晶質 ・・多孔質 ・・その他のもの ・結晶方位＊ ・多層構造 ・その他＊
NP NP00
基板と活性層の間の層（バッファ層，マスク等）の材料 		NP01 NP02 NP03 NP04 NP05 NP06 NP07 NP08 NP09 NP10
・半導体＊ ・・４族＊ ・・・Ｓｉ ・・・Ｇｅ，ＳｉＧｅ ・・３－５族＊ ・・・ＧａＡｓ ・・・ＩｎＡｓ ・・・ＩｎＧａＡｓ ・・・窒化物 ・・２－６族＊
NP11 NP12 NP13 NP14 NP15 NP17 NP19
・絶縁体＊ ・・酸化物＊ ・・・ＳｉＯ ・・ＳｉＮ，ＳｉＯＮ ・・その他のもの ・金属，導電性金属化合物＊ ・プラスチック，有機材料
NP21 NP22 NP23 NP24 NP25 NP27 NP29 NP30
・結晶性＊ ・・多結晶 ・・非晶質 ・・多孔質 ・・その他のもの ・結晶方位＊ ・単一層 ・その他＊
NQ NQ00
動作層，活性層，素子構成層の材料 		NQ01 NQ02 NQ03 NQ04 NQ05 NQ06 NQ07 NQ08 NQ09 NQ10
・半導体＊ ・・４族＊ ・・・Ｓｉ ・・・Ｇｅ，ＳｉＧｅ ・・３－５族＊ ・・・ＧａＡｓ ・・・ＩｎＡｓ ・・・ＩｎＧａＡｓ ・・・窒化物 ・・２－６族＊
NQ11 NQ12 NQ13 NQ14 NQ17 NQ20
・結晶性＊ ・・多結晶 ・・非晶質 ・・その他のもの ・結晶方位＊ ・その他＊
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