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Fタームリスト

ターム名の変更、付与マニュアルの変更、階層の変更（Ｈ１６）
5F032 素子分離 電子デバイス　　　　
H01L21/70 -21/76@Z
H01L21/76-21/76@Z AA AA00
絶縁物を用いる分離 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・素子領域側面・底面を絶縁物で分離するもの ・・支持基板を堆積で形成するもの→ＣＡ０９～１１ ・・・支持基板と素子領域の間に絶縁物が存在するもの→ＣＡ０９～１１ ・・・支持基板が複数の層からなるもの→ＣＡ０９～１１ ・・支持基板を接着で形成するもの→ＤＡ７１ ・・絶縁物をイオン注入で形成するもの ・・絶縁物を回り込み酸化で形成するもの ・・絶縁物上に素子領域を成長させるもの ・・・単結晶絶縁物を用いるもの（ｅ．ｇ．ＳＯＳ）
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA18 AA19
・素子領域側面を絶縁物で分離するもの ・・絶縁化分離 ・・・選択酸化（ＬＯＣＯＳ）分離 ・・・・溝内を酸化するもの ・・・・・耐酸化マスクが溝内にも存在するもの ・・・・・深い溝（トレンチ）内を酸化するもの ・・・・耐酸化マスクが直接基板と接しているもの ・・・・多孔質酸化を用いるもの
AA23 AA25 AA26 AA28
・・・耐酸化マスクを用いない酸化分離 ・・・複数の溝間を全て酸化しその酸化物で分離するもの ・・・・他の埋込み手段を付加するもの ・・・絶縁物をイオン注入で形成するもの
AA32 AA33 AA34 AA35 AA36 AA37 AA39 AA40
・・溝内埋込み分離 ・・・溝の断面形状 ・・・・垂直側面を有するもの ・・・・・深い溝（トレンチ） ・・・・・溝上部にテーパのあるもの ・・・・・溝底部にテーパのあるもの ・・・・垂直側面を有しないもの ・・・・・Ｖ溝およびその変形
AA43 AA44 AA45 AA46 AA47 AA48 AA49 AA50
・・・埋込み材料 ・・・・酸化シリコン ・・・・・溝の表面に直接層状に形成されているもの ・・・・窒化シリコン ・・・・多結晶シリコン・非晶質シリコン ・・・・・不純物がドープされているもの ・・・・ガラス（ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＡＳＧ） ・・・・有機材料
AA54
・・・・その他　　　　　　　　　　　　　　　　＊
AA63 AA64 AA66 AA67 AA69 AA70
・・・溝内の導電層に電位を与えるもの ・・・・基板に電位を与えるもの ・・・溝堀りに工夫（ＤＡで具体的に） ・・・・数回の溝堀りをするもの（ＤＡで具体的に） ・・・埋込み方法に工夫（ＤＡで具体的に） ・・・・数回の埋込みをするもの（ＤＡで具体的に）
AA74 AA75 AA76 AA77 AA78 AA79 AA80
・・・・埋込み材料を酸化するもの ・・・・・埋込み材料の一部を酸化するもの ・・・・溝内への選択的埋込み　　　　　　　　　＊ ・・・・・研摩・ポリッシュ→ＤＡ３３ ・・・・・全面エッチング→ＤＡ３４ ・・・・・選択エッチング→ＤＡ２２～３０ ・・・・・リフトオフ→ＤＡ３２
AA82 AA84
・・素子領域が後で形成されるもの（選択エピタキシャル） ・・素子領域と分離領域を同時に形成するもの
AA91
・素子領域底面のみを絶縁物で分離するもの
AB AB00
ＰＮ接合を用いる分離 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB05
・素子領域側面・底面をＰＮ接合で分離するもの ・素子領域側面のみをＰＮ接合で分離するもの ・素子領域底面のみをＰＮ接合で分離するもの ・逆導電型多結晶半導体・非晶質半導体を用いるもの ・分離領域に電位を与えるもの
AC AC00
特殊分離 		AC01 AC02 AC03 AC04
・チャンネルストッパで分離するもの ・空気（空間）で分離するもの ・上下の素子領域を分離するもの ・その他の分離技術（フィールドシールド電極等）＊
BA BA00
形状・配置 		BA01 BA02 BA03 BA05 BA06 BA08 BA10
・分離領域の形状（断面・平面） ・・幅の異なる分離領域 ・・厚さの異なる分離領域 ・素子領域の形状（断面・平面） ・・厚さの異なる素子領域 ・素子領域の配置 ・入れ子構造のもの
BB BB00
組み合せ 		BB01 BB03 BB04 BB06 BB08
・異種の分離技術の組み合せ ・分離と受動素子の組み合せ ・・受動素子がコンデンサであるもの ・分離と能動素子の組み合せ ・分離と配線の組み合せ
CA CA00
関連技術 		CA01 CA03 CA05 CA06 CA07 CA09 CA10
・埋込み層 ・ウエル ・素子領域の材質（単結晶シリコンは不要）＊ ・・砒化ガリウム ・・多結晶シリコン・非晶質シリコン ・基板の材質（単結晶シリコンは不要）　　＊ ・・砒化ガリウム
CA11 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18 CA19 CA20
・・多結晶シリコン・非晶質シリコン ・素子領域に形成される素子の種類 ・・受動素子（Ｌ，Ｃ，Ｒ） ・・ダイオード ・・電界効果トランジスタ ・・・ＭＯＳトランジスタ ・・バイポーラトランジスタ ・・サイリスタ ・・相補型
CA21 CA23 CA24 CA25
・・その他の素子　　　　　　　　　　　　　＊ ・素子領域の用途　　　　　　　　　　　　＊ ・・高電圧用（高耐圧用） ・・低電圧用（低耐圧用）
DA DA00
製造方法 		DA01 DA02 DA03 DA04 DA06 DA07 DA09 DA10
・被着，成長　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・ＣＶＤ ・・・減圧ＣＶＤ ・・・プラズマＣＶＤ ・・物理蒸着 ・・・スパッタ ・・塗布 ・・・スピン塗布
DA12 DA13 DA14 DA16
・・エピタキシャル ・・・異種物質のエピタキシャル ・・・多結晶・非晶質と単結晶の同時成長 ・・選択被着，成長
DA21 DA22 DA23 DA24 DA25 DA26 DA27 DA28 DA29 DA30
・除去　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・エッチング ・・・ドライエッチング ・・・ウェットエッチング ・・・異方性エッチング ・・・等方性エッチング ・・・サイドエッチング ・・・エッチングレートの相違を利用した選択エッチング ・・・・導電型・不純物濃度の相違の利用 ・・・側壁部を残すエッチング
DA32 DA33 DA34
・・リフトオフ→ＡＡ８０ ・・研摩・ポリッシュ→ＡＡ７７ ・・全面エッチング→ＡＡ７８
DA41 DA42 DA43 DA44 DA45 DA47 DA48
・変質　　　　　　　　　　　　　　　　　＊ ・・不純物拡散 ・・・イオン注入 ・・・・溝内へのイオン注入 ・・・気相拡散 ・・・固相拡散 ・・・・絶縁物からの拡散
DA52 DA53 DA54 DA55 DA57 DA58 DA60
・・絶縁化 ・・・酸化 ・・・・陽極酸化 ・・・・多孔質酸化 ・・・窒化 ・・・・熱窒化 ・・イオン注入の利用
DA63 DA67
・・結晶欠陥・ライフタイムキラーの利用 ・・多孔質化
DA71 DA74 DA77 DA78 DA80
・ウエハの接合・接着→ＡＡ０６ ・熱処理（熱酸化，熱窒化を除く） ・斜方向の処理（例，イオン注入，エッチング） ・平坦化 ・マスク工程の省略（セルファライン）
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