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５Ｆ１５２へ変更（Ｈ１６）
| 5F052 | 再結晶化技術 | デバイスプロセス |
| H01L21/18 -21/20;21/34-21/36;21/84 | ||
| H01L21/18-21/20;21/34-21/36;21/84 | AA | AA00 再結晶化手段 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | ||||
| ・ビーム照射による再結晶化 | ・・レーザビームに特有 | ・・電子ビームに特有 | ・・イオンビーム | ・・中性粒子ビーム | ・・その他＊ | |||||||
| AA11 | AA12 | AA13 | AA14 | AA15 | AA17 | AA18 | ||||||
| ・ビーム照射以外の加熱手段 | ・・抵抗加熱 | ・・・基板と非接触のヒータ | ・・・・棒状ヒータ（図面） | ・・・・ホットワイヤー（図面） | ・・・電気炉加熱（図面） | ・・・サセプタから加熱（図面） | ||||||
| AA22 | AA23 | AA24 | AA25 | AA26 | AA27 | AA28 | AA30 | |||||
| ・・高周波誘導加熱 | ・・・ゾーンメルティング（ＺＭＲ） | ・・ランプ | ・・・フラッシュランプ | ・・・・ゾーンメルティング（ＺＭＲ） | ・・・連続点灯ランプ | ・・・・ゾーンメルティング（ＺＭＲ） | ・・太陽光の利用 | |||||
| BA | BA00 ビーム照射手法 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | BA10 | |
| ・ビーム走査法 | ・・オーバーラップ走査 | ・・回転走査（図面） | ・・ビーム断面形状の工夫 | ・・・双頭ビーム（図面） | ・・・ドーナツ状ビーム（図面） | ・・・線状ビーム（図面） | ・・・三日月状，くの字状（図面） | ・・・擬似線状電子ビーム | ・・・複屈折板の利用 | |||
| BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | BA16 | BA17 | BA18 | BA20 | ||||
| ・・・複数の照射源を使用 | ・・・マスク板の使用 | ・・走査速度を変更 | ・・複数ビーム | ・・・２種類以上のレーザビーム | ・・・２種類以上の電子ビーム | ・・・電子ビームとレーザビームの併用 | ・・走査システムの工夫 | ・一括照射 | ||||
| BB | BB00 照射ビームの種類 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | BB07 | BB09 | BB10 | ||
| ・Ａｒレーザ | ・Ｎｄ‐ＹＡＧレーザ | ・・Ｑスイッチパルス | ・・ＣＷ | ・ルビーレーザ | ・ＣＯ２レーザ | ・その他のレーザ | ・パルス電子ビーム | ・ＣＷ電子ビーム | ||||
| CA | CA00 課題 |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA05 | CA06 | CA07 | CA08 | CA09 | CA10 | |
| ・歪・反り防止 | ・汚染防止，基板表面の清浄化 | ・付着力の強化（剥離防止） | ・単結晶化領域の拡大 | ・局所冷却 | ・放熱性 | ・均一アニール | ・平坦化 | ・下層への熱影響・損傷回避 | ・スループットの向上 | |||
| DA | DA00 被再結晶化層の材料 |
DA01 | DA02 | DA03 | DA04 | DA05 | DA06 | DA08 | DA09 | DA10 | ||
| ・Ｓｉ | ・・ａ‐Ｓｉ：Ｈ膜 | ・Ｇｅ | ・ＩＩＩ－Ｖ族＊ | ・・ＧａＡｓ | ・ＩＩ－ＶＩ族＊ | ・シリサイド | ・絶縁体 | ・その他＊ | ||||
| DB | DB00 被再結晶化層の堆積方法 |
DB01 | DB02 | DB03 | DB04 | DB05 | DB06 | DB07 | DB08 | DB09 | DB10 | |
| ・ＣＶＤ | ・・減圧ＣＶＤ | ・・プラズマＣＶＤ | ・蒸着 | ・・単純蒸着 | ・・・ＭＢＥ | ・・スパッタリング | ・反応性スパッタリング | ・液相からの膜堆積 | ・その他＊ | |||
| EA | EA00 共通的事項 |
EA01 | EA02 | EA03 | EA04 | EA05 | EA06 | EA07 | ||||
| ・キャッピング技術 | ・・キャップ材料に特徴 | ・・層構造に特徴 | ・・・多層キャップ | ・・・・ポリシリコンキャップ | ・・・反射防止膜 | ・・・・ストライプ状 | ||||||
| EA11 | EA12 | EA13 | EA15 | EA16 | ||||||||
| ・下地層に関する工夫 | ・・２層以上の絶縁体膜 | ・・金属層を介在させるもの | ・前処理に特徴 | ・後処理に特徴 | ||||||||
| FA | FA00 種無し再結晶化技術 |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA07 | FA08 | |||
| ・結晶核制御 | ・・平面形状の工夫 | ・・・ネッキング | ・・局所冷却 | ・・アモルファス化 | ・・高不純物濃度化 | ・・薄膜化 | ・・液相上再結晶化（レオタキシャル） | |||||
| FA12 | FA13 | FA14 | FA15 | FA16 | FA17 | FA19 | ||||||
| ・・エッジ効果エピタキシ | ・・・周期溝形成（図面） | ・・・非周期溝形成 | ・・・・単一溝 | ・・・凹部埋込み法（図面） | ・・・凹部流込み法（図面） | ・・複合化，多段階処理 | ||||||
| FA21 | FA22 | FA23 | FA24 | FA25 | FA26 | FA27 | FA28 | FA29 | ||||
| ・選択技術 | ・・メサアイランド（図面） | ・・ＬＯＣＯＳアイランド（図面） | ・・選択ドープ | ・・反射板の利用（反射膜を含む） | ・・下地層の膜厚差利用 | ・・反射防止膜の利用 | ・・選択スキャン | ・・フィルター使用 | ||||
| GA | GA00 種有り再結晶化技術 |
GA01 | GA02 | |||||||||
| ・基板シーディング技術 | ・別体の種を利用 | |||||||||||
| GB | GB00 ラテラルシーディング技術 |
GB01 | GB02 | GB03 | GB04 | GB05 | GB06 | GB07 | GB08 | GB09 | ||
| ・各部構造に特徴 | ・・被処理膜に特徴 | ・・シード構造の工夫 | ・・・凸部シード（図面） | ・・・金属，シリサイド層を挿入 | ・・開口部の形状に特徴 | ・・・テーパー状のもの | ・・シード部のキャップ層に特徴 | ・・基板面方位の選択 | ||||
| GB11 | GB13 | GB14 | GB16 | |||||||||
| ・照射・加熱手法に特徴 | ・過剰加熱対策 | ・・構造に特徴 | ・層間分離構造 | |||||||||
| GC | GC00 バーティカルシーディング技術 |
GC01 | GC02 | GC03 | GC04 | GC05 | GC06 | GC07 | GC08 | GC09 | GC10 | |
| ・半導体／半導体単結晶 | ・・ｉ層基板の使用 | ・・・Ｓｉ基板 | ・・・ＧａＡｓ基板 | ・半導体／絶縁体単結晶 | ・・サファイア | ・・スピネル | ・・ＭｇＯ | ・・ＣａＦ２ | ・・その他＊ | |||
| HA | HA00 複合化，多段階処理 |
HA01 | HA03 | HA04 | HA05 | HA06 | HA07 | HA08 | ||||
| ・多段階処理 | ・他技術との複合化 | ・・ＳＩＭＯＸ技術と | ・・ＦＩＰＯＳ技術と | ・・イオン注入と | ・・拡散と | ・・再結晶化＋エピ | ||||||
| JA | JA00 デバイスへの用途 |
JA01 | JA02 | JA03 | JA04 | JA05 | JA06 | JA07 | JA08 | JA09 | JA10 | |
| ・ＭＯＳＦＥＴ | ・・下層ゲート | ・・ダブルゲート | ・・ＣＭＯＳ | ・バイポーラトランジスタ | ・抵抗素子 | ・ダイオード | ・・フォトダイオード | ・太陽電池 | ・その他＊ | |||
| JB | JB00 各部構造 |
JB01 | JB02 | JB03 | JB04 | JB05 | JB06 | JB07 | JB08 | JB09 | JB10 | |
| ・接続構造に特徴 | ・・直接接続 | ・・・内部接続 | ・・・・金属 | ・・・・不純物 | ・・・側部接続 | ・・・・階段状接続 | ・・間接接続 | ・放熱・シールド | ・平坦化構造 | |||
| KA | KA00 直接的成膜技術 |
KA01 | KA02 | KA03 | KA05 | KA06 | KA07 | KA08 | KA10 | |||
| ・格子整合技術 | ・・超格子バッファ | ・超格子層（活性領域） | ・一般的成膜技術 | ・２種の成膜技術 | ・・気相成長と液相成長 | ・・気相成長と蒸着 | ・その他＊ | |||||
| KB | KB00 接着型 |
KB01 | KB02 | KB04 | KB05 | KB06 | KB09 | |||||
| ・半導体と半導体 | ・・ヘテロ構造 | ・絶縁体層を介在 | ・・酸化膜のみ | ・・酸化膜以外の膜も使用 | ・接着用装置 |