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付与マニュアル修正
| 5F101 | 不揮発性半導体メモリ | 電子デバイス |
| H10D30/01 ,501;30/68-30/69 | ||
| H01L29/78,371 | BA | BA00 電荷蓄積機構 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | ||
| ・ＦＧ型 | ・・ＦＧ配置 | ・・・ＳＤとの重なり→ＢＢ１３ | ・・・ＣＨ上一部重なり→ＢＢ０４ | ・・・フィールド上 | ・・・他ゲート重なり | ・・・・ＣＧ重なり | ・・・・注入ゲート（消去書込みゲート） | |||||
| BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | BA16 | BA17 | BA18 | BA19 | |||||
| ・・ＦＧ形状構造 | ・・・埋め込みＦＧ・溝→ＢＤ３０ | ・・・ＣＧ側壁→ＢＨ１４ | ・・・ＦＧの突起→ＢＣ０３ | ・・・複数ＦＧ（単一メモリセル内） | ・・・ＦＧ接続 | ・・・ＰＮ接合（ＦＧ内の） | ・・ＦＧ材料（除多結晶） | |||||
| BA22 | BA23 | BA24 | BA26 | BA27 | BA28 | BA29 | ||||||
| ・・ＦＧ周囲絶縁膜 | ・・・絶縁膜厚 | ・・・・一部薄膜化→ＢＡ３３～７ | ・・・絶縁膜材料→ＢＡ３３～７ | ・・・・シリコンリッチＳｉＯ２膜→ＢＡ３３～７ | ・・・・不純物ドープ→ＢＡ３３～７ | ・・・・窒化膜含む→ＢＡ３３～７ | ||||||
| BA33 | BA34 | BA35 | BA36 | BA37 | BA40 | |||||||
| ・・・薄膜化又は絶縁膜材料の特徴部位 | ・・・・ＳＤとＦＧ間 | ・・・・ＣＨとＦＧ間 | ・・・・ＣＧとＦＧ間 | ・・・・注入ゲートとＦＧ間 | ・・超電導体利用 | |||||||
| BA41 | BA42 | BA43 | BA44 | BA45 | BA46 | BA47 | BA48 | BA49 | ||||
| ・トラップ蓄積型 | ・・絶縁膜材料※ | ・・・単層絶縁膜 | ・・・・酸化膜→ＢＨ１０ | ・・・窒化膜含む※ | ・・・・ＭＮＯＳ型 | ・・・アルミナ含※ | ・・・不純物含有→ＢＨ１０ | ・・・バンドギャップ，傾斜構造 | ||||
| BA52 | BA53 | BA54 | ||||||||||
| ・・トラップパターン→ＢＢ０４ | ・・絶縁膜厚 | ・・クラスタ | ||||||||||
| BA61 | BA62 | BA63 | BA64 | BA65 | BA66 | BA68 | ||||||
| ・その他記憶作用※ | ・・強誘電体 | ・・非晶質 | ・・電子ガス，ヘテロ接合→ＢＤ４０ | ・・半絶縁性材料→ＢＤ４０ | ・・超格子→ＢＤ４０ | ・・磁性体 | ||||||
| BB | BB00 制御 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | BB08 | BB09 | BB10 | ||
| ・制御装置 | ・・ＣＧを有するもの | ・・・複数ゲート（除くＦＧ） | ・・・オフセットゲート→ＢＤ２２ | ・・・スタックゲート（同一端部）→ＢＨ１９ | ・・・拡散制御領域 | ・・ＣＧ材料（多結晶以外のもの） | ・・注入ゲート，消去・書込用ゲート | ・・・注入ゲート配置 | ||||
| BB12 | BB13 | BB15 | BB17 | BB20 | ||||||||
| ・・コントロールゲートなし | ・・・ＳＤとＦＧ間容量による制御 | ・・ＣＨ，ウェルによる制御 | ・容量解析 | ・その他※ | ||||||||
| BC | BC00 電荷注入 |
BC01 | BC02 | BC03 | BC04 | BC05 | BC06 | BC07 | BC08 | BC09 | BC10 | |
| ・トンネル注入 | ・・ファウラーノルトハイム・トンネル注入 | ・・突起，電界集中→ＢＡ１５ | ・アバランシェ注入 | ・・ソースドレイン接合ブレークダウン | ・高不純物濃度部形成（電荷注入部の） | ・注入領域形成 | ・・ＰＮダイオード | ・・多結晶ダイオード | ・・インジェクタ→ＢＡ２６～ | |||
| BC11 | BC12 | BC13 | BC17 | BC18 | BC20 | |||||||
| ・チャンネル注入 | ・・不均一電界→ＢＡ０１～ | ・・キャリア走行方向，段差→ＢＤ１３ | ・光書込み→ＢＥ０８ | ・電子ビーム書込み | ・その他※ | |||||||
| BD | BD00 素子構造 |
BD01 | BD02 | BD03 | BD04 | BD05 | BD06 | BD07 | BD09 | BD10 | ||
| ・メモリセル（センサ） | ・・ＭＯＳトランジスタ | ・・・ＳＤ領域 | ・・・・Ｓ・Ｄ平面形状 | ・・・・Ｓ・Ｄ断面形状 | ・・・・Ｓ・Ｄ深さ | ・・・・ＬＤＤ等高耐圧構造（メモリセルの）→ＢＤ２７ | ・・・・不純物ドープ，不純物濃度分布（ＳＤの） | ・・・・ソースドレイン共用又は入れ替え | ||||
| BD12 | BD13 | BD14 | BD15 | BD16 | BD17 | BD18 | BD19 | BD20 | ||||
| ・・・チャンネル領域 | ・・・・チャンネル形状 | ・・・・チャンネルドープ→ＢＦ０１ | ・・・・・部分的チャンネルドープ→ＢＦ０１ | ・・・縦型ＭＯＳ | ・・ＭＯＳトランジスタ以外のセンサ | ・・・バイポーラトランジスタ | ・・・ＣＣＤ | ・・・容量，キャパシタ | ||||
| BD21 | BD22 | BD23 | BD24 | BD25 | BD26 | BD27 | BD29 | BD30 | ||||
| ・組合せ | ・・アドレスゲートトランジスタ→ＢＢ０４ | ・・書込，消去用トランジスタ | ・・ＣＭＯＳ構造 | ・・ＢｉＣＭＯＳ構造 | ・・ＥＤＭＯＳ | ・・高耐圧トランジスタ（周辺回路の）→ＢＤ０７ | ・ＳＯＳ | ・ＳＯＩ，薄膜トランジスタ，三次元素子 | ||||
| BD31 | BD32 | BD33 | BD34 | BD35 | BD36 | BD37 | BD38 | BD39 | BD40 | |||
| ・アレイ | ・・稠密アレイ構造 | ・セル配置，セル構造 | ・・ＡＮＤゲート，ＮＡＮＤゲート構造 | ・分離 | ・・ウェル | ・・ＬＯＣＯＳ | ・・ガードリング寄生チャンネル防止拡散 | ・基体材料 | ・・３・５族 | |||
| BD41 | BD42 | BD43 | BD44 | BD45 | BD46 | BD47 | BD50 | |||||
| ・表面保護膜 | ・・透明膜 | ・・遮光膜 | ・・ＰＳＧ | ・・窒化膜 | ・・金属膜 | ・・シールド | ・その他 | |||||
| BE | BE00 周辺技術 |
BE01 | BE02 | BE03 | BE05 | BE06 | BE07 | BE08 | BE10 | |||
| ・アドレス回路デコード回路 | ・読み出し回路読み出し方法 | ・・ダイナミック読み出し | ・書き込み回路書き込み方法 | ・消去 | ・・電気消去消去回路 | ・・光消去→ＢＣ１７ | ・容器 | |||||
| BE11 | BE12 | BE13 | BE14 | BE17 | BE20 | |||||||
| ・電源回路 | ・・単極性電源 | ・・単一電源 | ・・昇圧，昇圧回路 | ・保護 | ・その他※ | |||||||
| BF | BF00 動作 |
BF01 | BF02 | BF03 | BF05 | BF07 | BF08 | BF09 | BF10 | |||
| ・特性ヒステリシスしきい値 | ・・記憶保持 | ・・劣化防止書換回数 | ・複数ビット記憶 | ・寄生 | ・・寄生容量 | ・・リーク短絡防止→ＢＤ３８ | ・その他※ | |||||
| BG | BG00 応用 |
BG01 | BG02 | BG03 | BG04 | BG07 | BG08 | BG09 | BG10 | |||
| ・アナログメモリ | ・可変抵抗 | ・ＡＤ・ＤＡ変換 | ・負荷抵抗 | ・回路切り替え冗長回路等 | ・製品情報記憶シグニチャ | ・揮発性メモリのバックアップ | ・その他※ | |||||
| BH | BH00 製造方法 |
BH01 | BH02 | BH03 | BH04 | BH05 | BH06 | BH07 | BH08 | BH09 | BH10 | |
| ・絶縁膜形成 | ・・ＣＶＤ | ・・熱酸化 | ・・トンネル絶縁膜形成 | ・・窒化膜形成 | ・・・熱窒化 | ・拡散 | ・・二重拡散 | ・イオン注入 | ・・イオン注入によるトラップ形成 | |||
| BH11 | BH12 | BH13 | BH14 | BH15 | BH16 | BH17 | BH18 | BH19 | ||||
| ・エピタキシャル | ・・分子線エピタキシャル，ＭＯＣＶＤ等 | ・エッチング | ・・ドライエッチング（方向性エッチング） | ・・ウェットエッチング（異方性エッチング） | ・熱処理 | ・水素処理 | ・減圧処理加圧処理 | ・セルフアライン→ＢＢ０５ | ||||
| BH21 | BH23 | BH26 | BH30 | |||||||||
| ・周辺素子同時形成→ＢＤ２１～ | ・多層配線技術 | ・テストエージング | ・その他※ |