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5F073 | 半導体レーザ | 光デバイス |
H01S5/00 -5/50,630 |
H01S5/00-5/50,630 | AA | AA00 基本構造 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA09 | AA10 |
・ストライプ構造 | ・・利得導波型 | ・・・電流通路形成型 | ・・・・狭電極型 | ・・・・プレーナストライプ型 | ・・・・溝と全面拡散の組合せ | ・・・電流阻止部形成型 | ・・・・プロトン照射型 | ・・・・ISP | ・・・空乏層制御型 | |||
AA11 | AA12 | AA13 | AA14 | AA15 | AA16 | AA17 | AA18 | AA19 | AA20 | |||
・・・メサストライプ型 | ・・屈折率分布導波型 | ・・・リブ型 | ・・・・基板ストライプ型 | ・・・・・CSP | ・・・・・PCW | ・・・・・TS | ・・・・・VSIS | ・・・・・TRS | ・・・・溝を利用したもの | |||
AA21 | AA22 | AA23 | AA24 | AA25 | AA26 | |||||||
・・・埋込型 | ・・・・BH | ・・・・DC―PBH | ・・・・V溝に埋込むもの | ・・・・U溝に埋込むもの | ・・・・メサを利用するもの | |||||||
AA31 | AA32 | AA33 | AA34 | AA35 | AA36 | |||||||
・・・活性層に分布を設けるもの | ・・・・不純物分布型 | ・・・・・TJS | ・・・・・DDS | ・・・・形状分布型 | ・・・その他の屈折率分布導波型* | |||||||
AA41 | AA42 | AA43 | AA44 | AA45 | AA46 | AA47 | ||||||
・接合構造* | ・層構造 | ・・光ガイド層 | ・・・活性層の片側に配設されたもの(LOC) | ・・・活性層の両側に配設されたもの(SCH) | ・・・・GRIN―SCH | ・・・広禁制帯で活性層から分離されているもの | ||||||
AA51 | AA52 | AA53 | AA54 | AA55 | ||||||||
・・他の介在層 | ・・・拡散停止層 | ・・・エッチング停止層 | ・・・アンチメルトバック層 | ・・・バッファ層 | ||||||||
AA61 | AA62 | AA63 | AA64 | AA65 | AA66 | AA67 | ||||||
・電極構造 | ・共振器構造 | ・・回折格子型 | ・・・DFB | ・・・DBR | ・・リング共振器型 | ・・複合共振器型 | ||||||
AA71 | AA72 | AA73 | AA74 | AA75 | AA76 | AA77 | ||||||
・超格子 | ・・活性層 | ・・・SQW | ・・・MQW | ・・・量子細線・量子箱 | ・・光ガイド層 | ・・クラッド層 | ||||||
AA81 | AA82 | AA83 | AA84 | AA85 | AA86 | AA87 | AA88 | AA89 | ||||
・端部構造 | ・・端面被覆構造 | ・・・反射膜・反射防止膜 | ・・・保護膜 | ・・・その他の端面被覆構造* | ・・窓構造 | ・・・非励起領域とする | ・・・活性層埋込構造 | ・その他の基本構造* | ||||
AB | AB00 付加・組合せ機能 |
AB01 | AB02 | AB03 | AB04 | AB05 | AB06 | |||||
・集積化 | ・・アレイ化 | ・・・位相同期型 | ・・・マルチビーム型 | ・・・・同一波長 | ・・・・多波長 | |||||||
AB11 | AB12 | AB13 | AB14 | AB15 | AB16 | AB17 | AB18 | AB19 | AB20 | |||
・・OEIC | ・・・モノリシック型 | ・・・・モニタ一体型 | ・・・・駆動回路一体型* | ・・・ハイブリッド型 | ・面発光 | ・・垂直共振器型 | ・・水平共振器型 | ・・・反射鏡にを用いるもの | ・・・回折格子を用いるもの | |||
AB21 | AB22 | AB23 | AB24 | AB25 | AB26 | AB27 | AB28 | AB29 | AB30 | |||
・他の機能素子との結合※ | ・付加機能 | ・・SHG | ・・双安定 | ・組合せ光学要素 | ・・LD一体化レンズ | ・・外部レンズ | ・・ファイバ | ・・外部ミラー | ・・光アイソレータ | |||
BA | BA00 用途 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | ||
・光通信 | ・・光源 | ・・中継用 | ・光ピックアップ | ・・VD,DAD,CD用 | ・・光ディスクファイル用 | ・レーザプリンタ | ・光論理素子 | ・その他の用途* | ||||
CA | CA00 活性層/クラッド材料 |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA05 | CA06 | CA07 | ||||
・III―V族 | ・・2元* | ・・3元 | ・・・GaAs/GaAlAs | ・・・GaAlAs/GaAlAs | ・・・InGaP/InAlP | ・・・その他の3元材料* | ||||||
CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | CA17 | CA18 | CA19 | CA20 | |||
・・4元 | ・・・InGaAsP/InP | ・・・InGaAsP系(可視光用) | ・・・InGaAlP系 | ・・・InGaAlAs系 | ・・・GaAlAsP系 | ・・・その他の4元材料* | ・・5元以上 | ・・・InGaAlAsP | ・・・その他の5元以上材料* | |||
CA21 | CA22 | CA23 | CA24 | |||||||||
・IV―VI族* | ・II―VI族* | ・I―III―VI2族* | ・その他の活性層/クラッド材料* | |||||||||
CB | CB00 それ以外の材料 |
CB01 | CB02 | CB03 | CB04 | CB05 | CB06 | CB07 | CB08 | CB09 | CB10 | |
・基板 | ・・III―V族 | ・・・半絶縁性基板 | ・・4族* | ・・その他の基板材料* | ・バッファ層 | ・・均一層* | ・・グレーデッド層* | ・・歪超格子層* | ・キャップ層* | |||
CB11 | CB12 | CB13 | CB14 | CB15 | CB16 | CB17 | CB18 | CB19 | CB20 | |||
・埋込層 | ・ドーパント | ・・活性層用 | ・・・導電型決定不純物 | ・・・・両性不純物* | ・・・・複合ドープ* | ・・・・その他の導電型決定不純物* | ・・・その他の活性層用* | ・・その他の層用* | ・端面被膜部材* | |||
CB21 | CB22 | CB23 | ||||||||||
・電極 | ・・素子電極* | ・・マウント用* | ||||||||||
DA | DA00 製造法 |
DA01 | DA02 | DA03 | DA04 | DA05 | DA06 | DA07 | ||||
・結晶成長 | ・・LPE | ・・・メルトバックを利用するもの | ・・VPE | ・・・MOCVD | ・・MBE | ・・その他の結晶成長法* | ||||||
DA11 | DA12 | DA13 | DA14 | DA15 | DA16 | DA17 | ||||||
・ドーピング | ・・熱拡散 | ・・・固相拡散 | ・・イオン注入 | ・・超格子構造の無秩序化 | ・熱処理 | ・・レーザアニール | ||||||
DA21 | DA22 | DA23 | DA24 | DA25 | DA26 | DA27 | DA28 | DA29 | DA30 | |||
・エッチング | ・・ウェットエッチング | ・・・エッチャント* | ・・ドライエッチング | ・・・反応性イオンエッチング(RIE) | ・・・その他のドライエッチング法* | ・酸化処理 | ・・陽極酸化 | ・・プラズマ酸化 | ・電極形成 | |||
DA31 | DA32 | DA33 | DA34 | DA35 | ||||||||
・共振器面形成 | ・・へき開面形成 | ・端面被膜 | ・素子分割 | ・その他,製造法,製造条件に関する事項* | ||||||||
EA | EA00 特性・目的 |
EA01 | EA02 | EA03 | EA04 | EA05 | EA06 | EA07 | EA08 | |||
・縦モードの多モード化 | ・波長 | ・・安定化 | ・・多波長化 | ・・短波長化 | ・・・600nm帯 | ・・・600nm帯以下 | ・・遠赤外化(2μm以上) | |||||
EA11 | EA12 | EA13 | EA14 | EA15 | EA16 | EA17 | EA18 | EA19 | EA20 | |||
・光出力 | ・・変調 | ・・・変調時の安定化 | ・・・高速化 | ・・安定化 | ・・・キンク発生防止 | ・・・波形の安定化 | ・・ビーム形状の制御 | ・・・放射角 | ・・・円形ビーム | |||
EA21 | EA22 | EA23 | EA24 | EA25 | EA26 | EA27 | EA28 | EA29 | ||||
・・偏向制御 | ・・偏光制御 | ・しきい値制御 | ・大出力化 | ・緩和振動防止 | ・戻り光防止 | ・雑音・異常現象防止 | ・劣化防止 | ・その他の特性・目的* | ||||
FA | FA00 ハウジング構造 |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA07 | FA08 | |||
・モニタ | ・・PD内蔵型 | ・・・マルチビーム用 | ・・・支持構造に特徴のあるもの | ・・PD外付け型 | ・モジュール構造 | ・・ファイバの支持構造に特徴のあるもの | ・・レンズの支持構造に特徴のあるもの | |||||
FA11 | FA12 | FA13 | FA14 | FA15 | FA16 | FA17 | FA18 | |||||
・マウント(ヒートシンク) | ・・材料 | ・・・Si | ・・・Cu | ・・・その他のマウント材料* | ・・形状 | ・・・反射防止構造 | ・・メタライズ電極* | |||||
FA21 | FA22 | FA23 | FA24 | FA25 | FA26 | FA27 | FA28 | FA29 | FA30 | |||
・・接着・固定 | ・・・材料* | ・・・位置決め | ・・温度制御手段 | ・・・熱電素子 | ・・・液冷* | ・ワイヤボンディング | ・リード電極構造 | ・封止構造 | ・その他,ハウジング構造に関する事項 | |||
GA | GA00 駆動回路 |
GA01 | GA02 | GA03 | GA04 | |||||||
・APC | ・・制御回路 | ・・・定バイアス電流 | ・・・パルス電流 | |||||||||
GA11 | GA12 | GA13 | GA14 | GA15 | GA16 | GA17 | GA18 | GA19 | GA20 | |||
・・検知回路 | ・・・光出力 | ・・・波長 | ・・・温度 | ・・・電圧・電流 | ・・・信号の有無 | ・・・雑音・劣化・障害 | ・・基準値 | ・・・温度依存値 | ・・・多値 | |||
GA21 | GA22 | GA23 | GA24 | GA25 | GA26 | GA27 | ||||||
・温度制御装置 | ・・光出力による制御 | ・・温度検知による制御 | ・変調手段 | ・過渡特性の制御手段 | ・・プレヒーティングパルス | ・・電圧off時のタイミング調整 | ||||||
GA31 | GA32 | GA33 | GA34 | GA35 | GA36 | GA37 | GA38 | |||||
・破壊防止手段 | ・・保護回路 | ・・・過大電流検知回路 | ・・・サージ除去回路 | ・・警報 | ・電流以外の励起手段 | ・複数光源の制御 | ・その他の駆動回路* | |||||
HA | HA00 測定・検査 |
HA01 | HA02 | HA03 | HA04 | HA05 | HA06 | HA07 | HA08 | HA09 | HA10 | |
・被検査形状 | ・・ウェハ | ・・アレイ | ・・チップ | ・・パッケージ | ・測定・検査項目 | ・・しきい値電流 | ・・スペクトル | ・・外観検査 | ・・その他の測定・検査項目* | |||
HA11 | HA12 | |||||||||||
・測定・検査方法 | ・その他の測定・検査要素* |