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5F058 絶縁膜の形成 デバイスプロセス　　
H01L21/312 -21/32;21/47-21/475
H01L21/312;21/47 AA AA00
有機絶縁膜形成目的、効果 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA10
・耐放射線性向上 ・歪、クラック等の防止 ・膜厚の制御 ・耐湿性向上 ・耐薬品性向上 ・段差被覆性の改善 ・キャパシタンスの形成 ・密着性向上 ・その他＊
AB AB00
有機絶縁膜形成基板、処理対象 		AB01 AB02 AB04 AB05 AB06 AB07 AB10
・化合物半導体 ・・ＧａＡｓ ・多結晶シリコン（非晶質を含む） ・金属 ・絶縁体 ・・ガラス ・その他＊
AC AC00
有機単層構造絶縁膜の材料 		AC01 AC02 AC03 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AC10
・エポキシ系樹脂 ・ポリイミド系樹脂（前駆体を含む） ・シリコン系樹脂 ・ポリイミドシリコン樹脂 ・弗素樹脂 ・混合、添加物あり＊ ・感光性のあるもの ・・ホトレジスト ・その他＊
AD AD00
有機積層絶縁膜の構造、材料 		AD01 AD02 AD03 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10
・全ての層が有機物 ・無機物層あり ・少くとも一層がエポキシ系樹脂 ・少くとも一層がポリイミド系樹脂 ・少くとも一層がシリコン系樹脂 ・少くとも一層が弗素樹脂 ・少くとも一層に混合、添加物あり＊ ・少くとも一層が感光性あり ・少くとも一層がその他の有機物層 ・少くとも一層が無機物酸化膜
AD11 AD12
・少くとも一層が無機物窒化膜 ・少くとも一層がその他の無機物層
AE AE00
有機絶縁膜の形成前の処理 		AE01 AE02 AE03 AE04 AE05 AE06 AE10
・介在層 ・プラズマ処理（前処理） ・エッチング（前処理） ・・ウエットエッチング（前処理） ・・ドライエッチング（前処理） ・・ウエット，ドライ併用（前処理） ・その他＊
AF AF00
有機絶縁膜の形成法 		AF01 AF02 AF04 AF06 AF08 AF10
・気相堆積＊ ・・プラズマ重合 ・塗布（回転，浸漬等） ・印刷 ・Ｌ．Ｂ法 ・その他＊
AG AG00
有機絶縁膜形成後の処理 		AG01 AG02 AG03 AG04 AG05 AG06 AG07 AG08 AG09 AG10
・熱処理（後処理）＊ ・エッチング（後処理） ・・ウエットエッチング（後処理） ・・ドライエッチング（後処理） ・・ウエット，ドライ併用（後処理） ・イオン照射（後処理） ・プラズマ処理（後処理） ・無機物混入 ・光照射 ・その他＊
AH AH00
有機絶縁膜形成箇所 		AH01 AH02 AH03 AH04 AH05 AH06 AH07 AH10
・半導体基板上 ・配線層間 ・最上層（最終保護膜） ・特定箇所 ・・コンタクトホール部 ・・溝（メサ部等） ・・側壁 ・その他＊
H01L21/314-21/318;21/471-21/473 BA BA00
無機絶縁膜形成目的、効果 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10
・高耐圧 ・素子分離 ・耐放射線性向上 ・歪、クラック等の防止 ・イオン汚染防止 ・膜厚の制御 ・耐湿性向上 ・耐薬品性向上 ・段差被覆性の改善 ・密着性向上
BA11 BA12 BA20
・キャパシタンスの形成 ・ダイヤモンド膜の形成 ・その他＊
BB BB00
無機絶縁膜形成基板、処理対象 		BB01 BB02 BB04 BB05 BB06 BB07 BB10
・化合物半導体 ・・ＧａＡｓ ・多結晶シリコン（非晶質を含む） ・金属 ・絶縁体 ・・ガラス ・その他＊
BC BC00
無機単層構造絶縁膜の材料 		BC01 BC02 BC03 BC04 BC05 BC07 BC08 BC09 BC10
・酸化物 ・・半導体酸化物 ・・金属酸化物 ・・添加物含有 ・・ガラス ・窒化物 ・・半導体窒化物 ・・金属窒化物 ・・添加物含有
BC11 BC12 BC14 BC20
・シリコン酸化窒化物 ・・添加物含有 ・ダイヤモンド（ダイヤモンド状炭素を含む） ・その他＊
BD BD00
無機積層絶縁膜の構造，材料 		BD01 BD02 BD03 BD04 BD05 BD06 BD07 BD09 BD10
・二層構造 ・三層以上 ・少くとも一層が酸化物 ・・半導体酸化物 ・・金属酸化物 ・・添加物含有 ・・ガラス ・少くとも一層が窒化物 ・・半導体窒化物
BD12 BD13 BD15 BD16 BD18 BD19
・・金属窒化物 ・・添加物含有 ・少くとも一層がシリコン酸化窒化物 ・・添加物含有 ・少くとも一層がその他の無機物層＊ ・少くとも一層が有機物層
BE BE00
無機絶縁膜の形成前の処理 		BE01 BE02 BE03 BE04 BE05 BE07 BE10
・熱処理（前処理）＊ ・エッチング（前処理） ・・ウエットエッチング（前処理） ・・ドライエッチング（前処理） ・・ウエット，ドライ併用（前処理） ・イオン注入（前処理） ・その他＊
BF BF00
無機絶縁膜の形成法 		BF01 BF02 BF03 BF04 BF05 BF06 BF07 BF08 BF09
・気相堆積 ・・化学気相堆積 ・・・常圧ＣＶＤ ・・・減圧ＣＶＤ ・・・光ＣＶＤ ・・・ＭＯＣＶＤ ・・・プラズマＣＶＤ ・・・・マイクロ波ＣＶＤ ・・・・ＥＣＲ　ＣＶＤ
BF11 BF12 BF13 BF14 BF15 BF17 BF18 BF19 BF20
・・物理的気相堆積 ・・・スパッタ ・・・・反応性スパッタ ・・・・・酸化 ・・・・・窒化 ・・・蒸着（電子ビーム加熱等を含む） ・・・イオンプレーティング ・・・イオンビーム蒸着 ・・・ＭＢＥ
BF21 BF22 BF23 BF24 BF25 BF26 BF27 BF29 BF30
・・堆積物形成反応ガス ・・・主構成元素の化合物 ・・・・シラン（ＳｉｎＨ２ｎ＋２） ・・・・ハロゲン化物 ・・・・ＴＥＯＳ ・・・・炭化水素 ・・・・有機金属化合物 ・・・酸化剤 ・・・窒化剤
BF31 BF32 BF33 BF34 BF36 BF37 BF38 BF39 BF40
・・・添加物 ・・・・２，３族元素 ・・・・５，６族元素 ・・・・ハロゲン ・・堆積条件制御 ・・・反応ガス流量制御 ・・・印加エネルギー制御 ・・・・電力 ・・・・光線
BF41 BF42 BF43 BF44 BF46 BF47
・固体又は液体からの堆積 ・・電気泳動 ・・・溶媒 ・・・電解質 ・・塗布（回転，浸漬等） ・・印刷
BF51 BF52 BF53 BF54 BF55 BF56 BF57 BF58 BF59 BF60
・基板，処理対象等の直接変換 ・・加熱変換 ・・・温度＊ ・・・・５００度未満 ・・・・５００～１０００度 ・・・・１０００度超過 ・・・圧力 ・・・・高圧 ・・・・常圧 ・・・・減圧
BF61 BF62 BF63 BF64 BF65 BF66 BF67 BF68 BF69 BF70
・・・雰囲気 ・・・・乾式酸化 ・・・・湿式酸化 ・・・・窒化 ・・・・添加成分含む ・・・・・２，３族元素 ・・・・・５，６族元素 ・・・・・ハロゲン ・・液中に浸漬 ・・陽極化成
BF71 BF72 BF73 BF74 BF75 BF76 BF77 BF78 BF80
・・・電解質 ・・プラズマ処理 ・・・酸化 ・・・窒化 ・・エネルギービームの利用 ・・・イオンビーム ・・・レーザー ・・・紫外線 ・その他＊
BG BG00
無機絶縁膜の形成装置 		BG01 BG02 BG03 BG04 BG10
・反応室 ・ガス導入，排出部 ・基板加熱手段 ・基板の保持，移動 ・その他＊
BH BH00
無機絶縁膜形成後の処理 		BH01 BH02 BH03 BH04 BH05 BH07 BH08 BH10
・熱処理（後処理）＊ ・・雰囲気 ・・・酸化雰囲気 ・・・窒素 ・・・水素，窒素混合 ・・緻密化 ・・リフロー ・エッチング（後処理）
BH11 BH12 BH13 BH15 BH16 BH17 BH20
・・ウエットエッチング（後処理） ・・ドライエッチング（後処理） ・・ウエット，ドライ併用（後処理） ・イオン注入（後処理） ・プラズマ処理（後処理） ・紫外線照射（後処後） ・その他＊
BJ BJ00
無機絶縁膜形成箇所 		BJ01 BJ02 BJ03 BJ04 BJ05 BJ06 BJ07 BJ10
・半導体基板上 ・配線層間 ・最上層（最終保護膜） ・特定箇所 ・・コンタクトホール部 ・・溝（メサ部等） ・・側壁 ・その他＊
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