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Fタームリスト

リスト再作成（Ｈ９）、１９８９年以降に発行された文献を解析対象としている
5F045 気相成長（金属層を除く） デバイスプロセス
H01L21/205 ;21/31-21/31@Z;21/365;21/469;21/86
H01L21/205;21/31-21/31@Z;21/365;21/469;21/86 AA AA00
成長法 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・水素還元法 ・不均化法 ・熱分解法 ・・ＭＯＣＶＤ ・・・ＭＯＭＢＥ（ガスソース分子線エピタキシー） ・減圧ＣＶＤ ・・真空ＣＶＤ ・プラズマＣＶＤ ・・マイクロ波プラズマ ・・・ＥＣＲプラズマ
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA19 AA20
・光ＣＶＤ ・・レーザＣＶＤ ・・光プラズマＣＶＤ ・電子ビームＣＶＤ ・原子層エピタキシー ・ラジカル利用のＣＶＤ ・ＨＯＭＯＣＶＤ ・真空蒸着法 ・スパッタリング法 ・拡散的成膜法
AB AB00
成長層の組成 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB05 AB06 AB07 AB08 AB09 AB10
・ＩＶ族 ＊ ・・Ｓｉ ・・・ポリＳｉ ・・・アモルファスＳｉ ・・Ｇｅ ・・ＳｉＣ ・・Ｃ ・・Ｓｎ ・ＩＩＩ‐Ｖ族 ＊ ・・ＧａＡｓ
AB11 AB12 AB13 AB14 AB15 AB17 AB18 AB19
・・ＧａＰ ・・ＩｎＰ ・・ＩｎＳｂ ・・ＧａＮ ・・ホウ素化合物 ＊ ・・３元混晶 ＊ ・・４元混晶 ＊ ・・５元以上の混晶 ＊
AB21 AB22 AB23 AB24 AB26 AB27 AB28 AB30
・ＩＩ‐ＶＩ族 ＊ ・・Ｚｎ系 ＊ ・・Ｃｄ系 ＊ ・・Ｈｇ系 ＊ ・ＩＶ‐ＶＩ族 ＊ ・・Ｐｂ系 ＊ ・カルコパイライト ＊ ・シリサイド ＊
AB31 AB32 AB33 AB34 AB35 AB36 AB37 AB38 AB39 AB40
・無機絶縁層 ＊ ・・シリコン酸化膜 ・・窒化シリコン膜 ・・酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ） ・・ＰＳＧ ・・ＢＳＧ ・・サファイア ・・スピネル ・有機絶縁体層 ＊ ・その他 ＊
AC AC00
導入ガス 		AC01 AC02 AC03 AC04 AC05 AC07 AC08 AC09
・ＳｉＨ４などの水素化合物（ＮＨ３を除く） ・ハライド化物 ＊ ・・塩化物（ＳｉＣｌ４など） ・・ヨウ化物（ＧｅＩ４など） ・ハロゲン化水素化物（ＳｉＨ２Ｃｌ２など）＊ ・有機化合物ガス＊ ・・メチル化合物 ・・エチル化合物
AC11 AC12 AC13 AC14 AC15 AC16 AC17 AC18 AC19 AC20
・Ｏ２ ・ＮＨ３ ・ＨＣｌ ・水素以外のキャリアガスを使用 ・・Ｎ２ ・・Ａｒ ・・Ｈｅ ・・２種以上の混合（Ｈ２も含む） ・ドーパントガス＊ ・・深い準位形成用＊
AD AD00
成長条件（１）成膜温度Ｔ　請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例） 		AD01 AD03 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10
・ガスの露点・分解温度に関連した温度 ・Ｔ＜０℃ ・０≦Ｔ＜１００℃ ・１００≦Ｔ＜２００℃ ・２００≦Ｔ＜３００℃ ・３００≦Ｔ＜４００℃ ・４００≦Ｔ＜５００℃ ・５００≦Ｔ＜６００℃ ・６００≦Ｔ＜７００℃
AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AD16 AD17 AD18
・７００≦Ｔ＜８００℃ ・８００≦Ｔ＜９００℃ ・９００≦Ｔ＜１０００℃ ・１０００≦Ｔ＜１１００℃ ・１１００≦Ｔ＜１２００℃ ・１２００≦Ｔ＜１３００℃ ・１３００≦Ｔ＜１４００℃ ・１４００℃≦Ｔ
AE AE00
成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ　請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例） 		AE01 AE02 AE03 AE05 AE07 AE09
・減圧（圧力が明示されていない） ・・Ｐ＜１０＾－９Ｔｏｒｒ（Ｐ＜１．３３×１０＾－７Ｐａ） ・・１０＾－９≦Ｐ＜１０＾－８Ｔｏｒｒ（１．３３×１０＾－７≦Ｐ＜１．３３×１０＾－６Ｐａ） ・・１０＾－８≦Ｐ＜１０＾－７Ｔｏｒｒ（１．３３×１０＾－６≦Ｐ＜１．３３×１０＾－５Ｐａ） ・・１０＾－７≦Ｐ＜１０＾－６Ｔｏｒｒ（１．３３×１０＾－５≦Ｐ＜１．３３×１０＾－４Ｐａ） ・・１０＾－６≦Ｐ＜１０＾－５Ｔｏｒｒ（１．３３×１０＾－４≦Ｐ＜１．３３×１０＾－３Ｐａ）
AE11 AE13 AE15 AE17 AE19
・・１０＾－５≦Ｐ＜１０＾－４Ｔｏｒｒ（０．０１≦Ｐ＜０．１ｍＴｏｒｒ　１．３３×１０＾－３≦Ｐ＜１．３３×１０＾－２Ｐａ） ・・１０＾－４≦Ｐ＜１０＾－３Ｔｏｒｒ（０．１≦Ｐ＜１ｍＴｏｒｒ　０．０１３３≦Ｐ＜０．１３３Ｐａ） ・・１０＾－３≦Ｐ＜１０＾－２Ｔｏｒｒ（１≦Ｐ＜１０ｍＴｏｒｒ　０．１３３≦Ｐ＜１．３３Ｐａ） ・・１０＾－２≦Ｐ＜０．１Ｔｏｒｒ（１０≦Ｐ＜１００ｍＴｏｒｒ　１．３３≦Ｐ＜１３．３Ｐａ） ・・０．１≦Ｐ＜１Ｔｏｒｒ（１００≦Ｐ＜１０００ｍＴｏｒｒ　１３．３≦Ｐ＜１３３Ｐａ）
AE21 AE23 AE25 AE27 AE29 AE30
・・１≦Ｐ＜７．６Ｔｏｒｒ（０．００１３≦Ｐ＜０．０１気圧　１３３≦Ｐ＜１０１３Ｐａ） ・・７．６≦Ｐ＜７６Ｔｏｒｒ（０．０１≦Ｐ＜０．１気圧　１０．１３≦Ｐ＜１０１．３ｈＰａ） ・・７６≦Ｐ＜７６０Ｔｏｒｒ（０．１≦Ｐ＜１気圧　１０１．３≦Ｐ＜１０１３ｈＰａ） ・・Ｔｏｒｒ、気圧、Ｐａ以外の単位　＊ ・常圧（１気圧、７６０Ｔｏｒｒ、１０１３ｈ） ・加圧
AF AF00
被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク 		AF01 AF02 AF03 AF04 AF05 AF06 AF07 AF08 AF09 AF10
・被成膜面が半導体であるもの ・・ＩＶ族（Ｇｅ，ＳｉＣ，Ｃ，Ｓｎ等）面への成膜 ・・・Ｓｉ面への成膜 ・・ＩＩＩ―Ｖ族（ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ，ＧａＮ等）面への成膜 ・・・３元以上の混晶（ＧａＡｌＡｓ等）面への成膜 ・・ＩＩ―ＶＩ族（ＺｎＳｅ等）面への成膜 ・被成膜面が絶縁体であるもの ・・被成膜面の表面のみが絶縁体であるもの ・・アルミナ・サファイア・スピネル・ベリリア基板への成膜 ・被成膜面が金属であるもの
AF11 AF12 AF13 AF14 AF16 AF17 AF19 AF20
・基板の形状・構造・大きさ・厚み等に特徴 ・・基板表面の状態（面粗さ・ステップ等）に特徴 ・・・結晶方位（面方位）・オリフラ・ノッチに特徴 ・・・膜形成の核を被成膜面上に有するもの ・基板の物性に特徴を有するもの ・・酸素濃度に特徴 ・ダミー基板の構造・ダミー基板の使用に特徴 ・選択成長用マスクの形状・材質に特徴
BB BB00
目的 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・膜厚の均一性（平坦化を含む） ・・ウエハ面内の膜厚の均一性を向上 ・・ウエハ毎の膜厚のばらつきを防止 ・組成精度の向上・不純物濃度の精度向上 ・・膜間の組成の変化の急峻性の確保 ・オートドープ防止 ・低温化 ・生産性向上（装置の稼働率向上・低コスト化等） ・・高速成長 ・・省力化（自動化・作業の容易化等）
BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19 BB20
・歪・反り防止 ・・結晶性・格子整合性の向上・結晶欠陥の防止 ・・スリップライン、クラックの発生防止 ・汚染防止・不純物濃度の低減 ・・ダストの発生防止 ・電気的特性の向上・膜損傷の回避 ・膜の緻密化・密着性の向上 ・・粒子経（グレインサイズ）に特徴 ・ステップカバリッジの向上 ・安全性の向上・異常時の対処
CA CA00
半導体素子等への用途 		CA01 CA02 CA03 CA05 CA06 CA07 CA09 CA10
・バイポーラトランジスタ ・・ＨＢＴ（ヘテロバイポーラトランジスタ） ・・・ＨＥＴ（ホットエレクトロントランジスタ） ・ＭＩＳトランジスタ（ＴＦＴを除く） ・ＭＥＳトランジスタ ・ＨＥＭＴ（高移動度トランジスタ） ・発光素子 ・・ＬＥＤ（発光ダイオード）
CA11 CA12 CA13 CA15 CA16 CA18 CA19
・・・青色用 ・・半導体レーザ ・受光素子（太陽電池など） ・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ・感光ドラム（電子写真用感光体） ・ホール素子 ・インパットダイオード，ガンダイオード
CB CB00
機能的用途 		CB01 CB02 CB04 CB05 CB06 CB07 CB10
・能動層〔ターム付与せず〕 ・中間層（バッファ層） ・ファイナルパッシベイション用 ・層間絶縁層 ・エッチングマスク用 ・拡散源用 ・電極配線用
DA DA00
半導体成長層の構造
DA51 DA52 DA53 DA54 DA55 DA56 DA57 DA58 DA59 DA60
・半導体成長層の形状・構造に特徴 ・・多層成長層 ・・・バッファ層・中間層・遷移層を有するもの ・・・超格子（歪超格子・変調ドープ超格子を含む） ・・・量子井戸 ・・・量子細線・量子箱 ・半導体成長層の組成に特徴を有するもの ・・組成が傾斜（勾配）を有するもの ・・請求項で不純物濃度を規定するもの ・・・請求項でドナー・アクセプタの濃度を規定するもの
DA61 DA62 DA63 DA64 DA65 DA66 DA67 DA68 DA69 DA70
・結晶構造（微結晶・柱状晶・粒径等）に特徴 ・半導体成長層の物性に特徴を有するもの ・・バンドギャップに特徴 ・・屈折率に特徴 ・・光導電率・暗導電率に特徴 ・・抵抗値に特徴 ・・結晶欠陥密度・エッチピット密度・表面の面粗さに特徴 ・・水素含有量・結合水素量に特徴 ・・応力（圧縮・引っ張り）に特徴 ・・密度に特徴
DB DB00
半導体層の選択成長 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB08 DB09
・絶縁体マスク ・・開口部のみに成長 ・・単結晶と非晶質・多結晶の同時成長 ・・基板面方位の選択 ・・埋込エピ層の形成 ・絶縁体以外のマスク ・分離マスク ・マスクレス成長
DC DC00
絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
DC51 DC52 DC53 DC55 DC56 DC57
・２層　＊ ・３層　＊ ・４層以上　＊ ・組成に特徴を有するもの ・・組成が傾斜を有するもの ・・不純物濃度に特徴
DC61 DC62 DC63 DC64 DC65 DC66 DC68 DC69 DC70
・絶縁体成長層の物性に特徴を有するもの ・・屈折率に特徴 ・・誘電率に特徴 ・・水素含有量に特徴 ・・応力（圧縮・引っ張り）に特徴 ・・密度に特徴 ・絶縁体層の選択成長 ・・分離マスク ・・マスクレス成長
DP DP00
装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動　図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例） 		DP01 DP02 DP03 DP04 DP05 DP07 DP09
・基板を成膜室内に一枚保持するもの（枚葉式等） ・・基板を水平に保持 ・・・基板の上方から原料ガスを供給するもの ・・・基板の側方から原料ガスを供給するもの ・・・基板の下方から原料ガスを供給するもの（図面） ・・基板を傾けて保持（図面） ・・基板を垂直に保持（図面）
DP11 DP13 DP14 DP15 DP16 DP18 DP19 DP20
・基板を成膜室内に二枚保持するもの ・基板を成膜室内に三枚以上保持するもの（バッチ式） ・・基板・基板列を円形状に配置 ・・・基板を円盤上面に配置（パンケーキ型等） ・・・基板を円筒・円錐側面に配置（バレル型等）（図面） ・・基板を直線上に一列に配置 ・・・基板を水平に保持して垂直方向に積層するも（図面） ・・・基板を垂直に保持して水平方向に並べたもの（図面）
DP21 DP22 DP23 DP25 DP27 DP28
・基板を成膜室内に連続的に供給するもの ・・帯状の連続基板を使用するもの ・・ベルトコンベア等を使用して基板を連続供給（図面） ・板状以外の基材形態（円筒等）に適する成膜装置 ・成膜中に基板が運動（公転・往復運動等）するもの ・・基板が基板中心点を中心に回転（自転）するもの
DQ DQ00
装置の形式（２）成膜室の形態　図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例） 		DQ01 DQ03 DQ04 DQ05 DQ06 DQ08 DQ10
・封管を使用するもの（図面） ・成膜室が管状のもの（除く封管） ・・反応管を縦に配するもの ・・・下から基板・基板支持機構を保持するもの ・・反応管を横に配するもの（図面） ・成膜室内に原料供給源（ソースポート等）を有するもの（図面） ・成膜室が管状でないもの（図面）
DQ11 DQ12 DQ14 DQ15 DQ16 DQ17
・成膜室内にガス流を分離する隔壁を有するも ・・基板が各ガス流域を移動するもの ・複数の成膜室を有するもの ・・成膜室を直線上に配するもの ・・・常圧ＣＶＤでディスパージョンヘッドを有するもの ・・複数の成膜室に通じる共通室を有するもの（図面）
EB EB00
成膜一般 		EB01 EB02 EB03 EB05 EB06 EB08 EB09 EB10
・成膜一般 ・・成膜装置の構造（装置内の構成単位の配置等） ・・成膜装置の材質 ・・成膜装置の保守 ・・・成膜室・反応管のクリーニング ・・予備室・ロード室・搬送室・中間室 ・・ゲートバルブ ・・シール機構・気密を保つ方法
EB11 EB12 EB13 EB14 EB15 EB17 EB19 EB20
・成膜準備作業（成膜室内壁等への予備成膜等） ・・大気パージの方法・真空の引き方 ・・基板表面の清浄化・予熱 ・・・真空中での加熱による清浄化（サーマルエッチ等）・予熱 ・・・ガス中での加熱による清浄化・予熱 ・成膜終了作業（リーク機構・方法等） ・塗布装置 ・・スピンコーター
EC EC00
成膜室・配管構造・配管方法 		EC01 EC02 EC03 EC05 EC07 EC08 EC09 EC10
・成膜室の形状・構造 ・・多重管構造（インナーチューブ・内挿管等） ・・光透過窓 ・成膜室の材質・成膜室の内壁表面の状態に特徴 ・配管構造・配管システム・配管方法 ・・配管の長さ・管径・材質に特徴があるもの ・・配管の加熱・冷却 ・・ダミーガスの配管系を有するもの
EE EE00
ガス供給・圧力制御 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08 EE10
・ガス供給機構 ・・ボンベ・気化機構・原料供給機構 ・・・バブラー ・・マスフローメーター・バルブ・流量調整機構 ・・ガス混合器 ・・成膜室外でガスを活性化するもの（プラズマ化はＥＨ１８） ・・・熱を用いるもの ・・・光を用いるもの ・・ガス供給系のフィルター（排気系はＥＧ０８）
EE11 EE12 EE13 EE14 EE15 EE17 EE18 EE19 EE20
・ガス供給方法 ・・ガス供給流量・流量比・配合比に特徴 ・・膜成分以外のガス（エッチングガス・水素等）の供給に特徴 ・・・不活性ガスの供給機構・供給方法に特徴 ・・ドーパントガスの供給機構・供給方法に特徴 ・・ガスの供給流量変化・圧力変化の制御に特徴 ・・・ガスの供給開始（終了）のタイミングに特徴 ・・・パルス状のガス供給・交互供給 ・・ガスの流れ方（層流・渦回転・ガスの速度等）に特徴
EF EF00
ノズル・整流・遮蔽・排気口 		EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EF07 EF08 EF09 EF10
・ノズルの形状・構造 ・・筒状部材の先端からガスを噴出するもの ・・筒状部材の側面にガス噴出孔を有するもの ・・・ノズルがリング状のもの ・・板状部材の表面に多数のガス噴出孔（シャワープレート） ・・噴出孔の大きさに大小があるもの ・・ノズルが複数あるもの ・・・ノズル毎にガス供給流量を制御するもの ・・ノズルの位置が可変のもの
EF11 EF13 EF14 EF15 EF17 EF18 EF20
・ノズルの材質 ・ガスの流れを変える整流部材を成膜室に有するもの ・・整流部材が板状・円錐状のもの（整流板、邪魔板等） ・・整流部材が筒状・リング状のもの ・ガス遮蔽機構 ・・シャッター機構を有するもの ・排気口の位置・排気口の構造
EG EG00
排気・排気制御・廃ガス処理 		EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 EG06 EG07 EG08 EG09 EG10
・排気機構に特徴 ・・排気弁・排気調整弁・コンダクタンス調整機構 ・・真空ポンプ・真空ポンプの組み合わせに特徴 ・・逆流防止・ポンプの破損防止のための機構 ・排気方法に特徴 ・・排気速度・排気流量変化の制御 ・廃ガス処理機構・廃ガスの処理方法 ・・トラップ・ダストフィルター・捕集機構 ・・循環利用・再利用 ・・ダクト
EH EH00
プラズマ処理・プラズマ制御 		EH01 EH02 EH03 EH04 EH05 EH06 EH07 EH08 EH09 EH10
・プラズマ処理機構・プラズマ発生機構 ・・アンテナ ・・導波管・誘電体窓 ・・電極の形状・構造 ・・・電極がガス供給ノズルを兼ねるもの ・・・中間電極・補助電極・シールド ・・・電極の位置が可変のもの ・・電極の材料 ・・直流グロー放電型プラズマＣＶＤ装置 ・・アーク放電型プラズマＣＶＤ装置
EH11 EH12 EH13 EH14 EH15 EH16 EH17 EH18 EH19 EH20
・・誘導結合型プラズマＣＶＤ装置（図面） ・・容量結合型プラズマＣＶＤ装置 ・・・平行平板型（図面） ・・・・基板と電極が平行な位置関係にあるもの ・・・感光ドラム型（図面） ・・磁界を利用するプラズマＣＶＤ装置 ・・・ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ装置 ・・成膜室外でガスをプラズマ化（単なるＥＣＲは除く） ・プラズマの制御 ・・電位の設定（バイアスの設定・極性の反転等）
EJ EJ00
冷却 		EJ01 EJ02 EJ03 EJ04 EJ05 EJ06 EJ08 EJ09 EJ10
・冷却機構・冷却方法 ・・基板の冷却 ・・・サセプタ（ホルダ・支持台）に冷却機構を内蔵 ・・成膜室壁面・反応管の冷却 ・・電極の冷却 ・・ヒーターの冷却 ・・冷却流体を使用しないもの（ペルチェ素子等を使用） ・・冷却流体として液体を使用するもの（水冷等） ・・冷却流体として気体を使用するもの（ガス冷却）
EK EK00
加熱（照射）・温度制御 		EK01 EK02 EK03 EK05 EK06 EK07 EK08 EK09 EK10
・加熱（照射）機構 ・・高周波誘導加熱 ・・・高周波誘導加熱法によるサセプタの加熱 ・・抵抗加熱 ・・・成膜室の外部に抵抗加熱型ヒーターを有するもの ・・・成膜室の内部に抵抗加熱型ヒーターを有するもの ・・・ヒーターの形状・構造・材質に特徴 ・・・・セラミックスヒーター（ヒーターをセラミックスに埋設するもの） ・・加熱流体を使用するもの
EK11 EK12 EK13 EK14 EK15 EK17 EK18 EK19 EK20
・・ランプ加熱・光照射（光励起のための照射等） ・・・成膜面（基板表面）に光を照射するもの ・・・基板裏面に光を照射するもの ・・・基板支持部材に光を照射するもの ・・・成膜面と平行に光を照射するもの（図面） ・・・光がレーザー光であるもの ・・・光の波長に特徴があるもの（マイクロ波等） ・・・・波長が可視光より短いもの（紫外線・放射光等） ・・分子線・クラスタビーム・電子ビーム・イオンビーム照射
EK21 EK22 EK23 EK24 EK25 EK26 EK27 EK28 EK29 EK30
・・均熱機構 ・・・分割ヒーター・複数ヒーター ・・・加熱機構の位置が可変のもの ・・断熱機構・加熱部の隔離 ・加熱方法 ・・成膜温度に特徴 ・・加熱エネルギー量の変化・温度変化の制御に特徴 ・・・温度変化の開始（終了）のタイミングに特徴 ・・・パルス状の加熱（照射） ・・空間的な温度（照射）分布に特徴
EM EM00
基板支持 		EM01 EM02 EM03 EM04 EM05 EM06 EM07 EM08 EM09 EM10
・基板支持機構・基板支持の方法に特徴 ・・サセプタの構造 ・・・固定片・リング等で機械的に固定 ・・・真空チャック ・・・静電チャック ・・・スペーサ等を用いて基板を浮かすもの ・・・基板裏面・縁部にガスを供給するもの ・・ウエハボートの構造 ・基板支持機構（サセプタ・ウエハボート等）の材質・表面の状態 ・基板・基板支持機構の上下動・回転・振動付与機構
EN EN00
搬出入口・蓋・搬送・搬出入 		EN01 EN02 EN04 EN05 EN06 EN08 EN10
・搬出入口・蓋の構造 ・・大気の巻き込み防止 ・ウエハの搬送・搬出入 ・ウエハ＋キャリア（ウエハボート等）の搬送・搬出入 ・ウエハの検出・ウエハの位置合わせ ・交換部材（交換用の反応管等）の搬送 ・その他の物の搬送
GB GB00
測定・測定結果に基づく制御・制御一般 		GB01 GB02 GB04 GB05 GB06 GB07 GB08 GB09 GB10
・成膜前の測定・測定結果に基づく成膜条件設定 ・・成膜装置の評価・調整・検査（リーク検査等） ・成膜中の測定・測定結果に基づく制御 ・・温度を測定するもの ・・圧力を測定するもの ・・ガス濃度を測定するもの ・・プラズマの状態を測定するもの ・・膜厚を測定するもの ・・膜の物性を測定するもの
GB11 GB12 GB13 GB15 GB16 GB17 GB19 GB20
・成膜後の測定・測定結果に基づく制御 ・・電気的特性を測定するもの ・・膜厚を測定するもの ・制御一般・制御装置・表示に特徴 ・・データベースを用いるもの ・・数値計算を用いるもの（シミュレーション等） ・成膜速度に特徴 ・・成膜中に成膜速度が変化するもの
GH GH00
機械加工プロセスとの組み合わせ 		GH01 GH02 GH03 GH05 GH06 GH08 GH09 GH10
・機械加工による前処理（膜形成が後） ・・研磨 ・・・化学的機械研磨（ＣＭＰ） ・膜形成工程と膜形成工程の間の機械加工・研磨 ・・化学的機械研磨（ＣＭＰ） ・機械加工による後処理（膜形成が先） ・・研磨 ・・・化学的機械研磨（ＣＭＰ）
HA HA00
他プロセスとの組合せ 		HA01 HA02 HA03 HA04 HA05 HA06 HA07 HA08 HA09 HA10
・前処理（膜形成が後） ・・エッチング ・・・ドライエッチ ・・・ウェットエッチ ・・イオン注入 ・・熱処理（アニール） ・・ビームアニール ・・・光ビーム（レーザ光など） ・・・電子ビーム ・・不純物拡散
HA11 HA12 HA13 HA14 HA15 HA16 HA17 HA18 HA19 HA20
・後処理（膜形成が先） ・・エッチング ・・・ドライエッチ ・・・ウェットエッチ ・・イオン注入 ・・熱処理（アニール） ・・ビームアニール ・・・光ビーム（レーザ光など） ・・・電子ビーム ・・不純物拡散
HA21 HA22 HA23 HA24 HA25
・連続処理（エッチング処理工程を除く） ・・一室連続処理 ・・・成膜工程以外との組合せ ・・多室連続処理 ・・・成膜工程以外との組合せ
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