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５Ｆ１４６へ変更（Ｈ２２）
5F046 半導体の露光（電子、イオン線露光を除く） 応用物理　　　　　　
H01L21/30 -21/30,531@Z;21/30,561-21/30,579;21/46
H01L21/30-21/30,531@Z;21/30,561-21/30,579;21/46 AA AA00
半導体の露光の共通事項 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・複数種類の露光を行うもの ・・紫外線，光露光 ・・・密着露光 ・・・プロキシミティ（近接）露光 ・・・投影露光 ・・・ビーム走査露光 ・・・遠紫外線露光 ・・Ｘ線露光 ・・電子線露光 ・・イオン線露光
AA11 AA12 AA13 AA15 AA16 AA17 AA18 AA20
・２度以上の同一種類の露光を行うもの ・・欠陥の回避 ・・パターンの微細化 ・ウェハ両面の露光 ・基板情報の露光 ・他の処理機能との組合わせ （＊） ・・パターン，異物検査装置との組合わせ ・ウェハ形状，構造の工夫
AA21 AA22 AA23 AA25 AA26 AA28
・ウェハ又はマスクの収納 ・露光装置内の雰囲気 （＊） ・防振 ・マスクパターンの形状，構造の調整 ・・ウェハの表面形状，構造の影響による ・その他 （＊）
H01L21/30,505-21/30,528 BA BA00
紫外線，光露光の種類 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10
・密着露光 ・プロキシミティ（近接）露光 ・投影露光 ・・縮小投影露光 ・・走査形投影露光，反射形投影露光 ・・パターンジェネレータ ・ビーム走査露光 ・干渉露光 ・ホログラム露光 ・その他 （＊）
H01L21/30,527 CA CA00
紫外線，光露光用光源 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA09 CA10
・ランプ ＊ ・・放電灯 （＊） ・レーザ ＊ ・・エキシマレーザ ・・スペックル防止 ・光源の移動，回転，位置決め ・光源の光波長 （＊） ・・遠紫外線 （＊） ・ＣＲＴ，マトリクス状 ・その他 （＊）
H01L21/30-21/30,531@Z;21/30,561-21/30,579;21/46 CB CB00
光学系 		CB01 CB02 CB03 CB04 CB05 CB06 CB07 CB08 CB09 CB10
・光学系要素 ・・反射鏡 ・・・凸面，凹面鏡 ・・光ファイバ ・・アパーチャ，マスキングブレード ・・シャッタ ・・ハーフミラー ・・フィルタ ・・・空間周波数フィルタ ・・プリズム
CB11 CB12 CB13 CB14 CB15 CB17 CB18 CB19 CB20
・・１／４波長板 ・・レンズ ・・・光インテグレータ，フライアイレンズ ・・・コリメータ ・・偏光板 ・・マスク，レチクル ・・・液晶等によるマスクパターンの変更 ・・ガラス板 ・・鏡筒
CB21 CB22 CB23 CB24 CB25 CB26 CB27
・光学系の位置 ・・光源近傍 ・・光源とマスク（レチクル）間 ・・マスク（レチクル）とウェハ間 ・・・投影光学系 ・・・・鏡筒近傍 ・その他 （＊）
CC CC00
ステージ，チャック機構，及びそれらの動作 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC08 CC09 CC10
・ウェハステージ ・マスクステージ ・ＸＹステージ，ＸＹ軸方向 ・・ステップアンドリピート用 ・Ｚステージ，Ｚ軸方向 ・θステージ，θ方向 ・ウェハチャック ・マスクチャック，マスクの保持 ・真空チャック
CC11 CC13 CC14 CC15 CC16 CC17 CC18 CC19 CC20
・チャックによるウェハ，マスクの平面調整 ・ステージ，チャックの動作 ・・ステップアンドリピート露光の順序，位置 ・ステージと相対的な，鏡筒，光源等の移動 ・レーザ測長計を用いるもの ・ステージの移動機構 ・・機械的 ・・静圧（空圧）的 ・その他 （＊）
H01L21/30,502@J CD CD00
ウェハ，マスクの搬送 		CD01 CD02 CD03 CD04 CD05 CD06 CD07 CD08 CD10
・ウェハの搬送 ・マスクの搬送 ・搬送を行う部分 ・・ウェハ，マスクの収納部と露光装置間 ・・露光とその前後のプロセス間 ・搬送手段 ・・空気の噴出 ・・ベルトコンベア ・その他 （＊）
H01L21/30-21/30,531@Z;21/30,561-21/30,579;21/46 DA DA00
露光の制御，調整の対象，内容 		DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA09
・光線（Ｘ線源を含む） ・露光量，露光時間 ・シャッタ ・露光装置内全体 ・ウェハ，マスクの平坦度，傾き ・マスク又はマスク近傍 ・ウェハ又はウェハ近傍 ・ウェハ及びマスク近傍 ・露光装置の周辺
DA11 DA12 DA13 DA14 DA16 DA17 DA20
・投影露光 ・・投影光学系 ・・・倍率，光路長，歪 ・・・焦点 ・プロキシミティ露光 ・・ウェハとマスクの間隔，平行度 ・密着露光
DA21 DA22 DA23 DA24 DA26 DA27 DA29 DA30
・・ウェハとマスクの密着度 ・・・Ｚ軸方向の機械的な調整 ・・・空間の真空度，気圧調整 ・・露光後のウェハとマスクの引きはがし ・温度 ・圧力，雰囲気 ・露光前後のプロセス （＊） ・その他 （＊）
DB DB00
検知機能 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB07 DB08 DB09 DB10
・光，光量（Ｘ線を含む） ・温度 ・圧力，雰囲気 ・距離，長さ，幅，位置，傾き ・・光学的 ・・空圧的 ・間隔 ・・光学的 ・・空圧的 ・複数個，複数種類の検知機能
DB11 DB12 DB14
・検知機能の補助手段 ＊ ・・ハーフミラー ・その他 （＊）
DC DC00
検知機能の取付場所 		DC01 DC02 DC03 DC04 DC05 DC06 DC07 DC08 DC09 DC10
・光源，Ｘ線源近傍 ・光源，Ｘ線源からマスク間 ・マスク基板 ・マスク近傍 ・・マスクチャック，マスクステージ ・マスクからウェハ間 ・鏡筒又はその近傍 ・・鏡筒内部 ・・鏡筒下部又はその近傍 ・ウェハ近傍
DC11 DC12 DC14
・・ウェハチャック ・・ウェハステージ ・その他 （＊）
DD DD00
制御，調整に関する表示，情報 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD06
・表示手段 ・・ＣＲＴ ・ウェハ，マスク表面の情報 ・マスクフレームの情報 ・その他 （＊）
EA EA00
位置合わせマーク 		EA01 EA02 EA03 EA04 EA05 EA06 EA07 EA08 EA09 EA10
・表面形状 ・・十字（図面） ・・棒（図面） ・・角形，円形（図面） ・・ハの字，山（図面） ・・カギ（図面） ・・回折格子，モアレ縞（図面） ・・フレネルゾーンプレート ・・同一位置に複数個の同一マーク，多重形状 ・・複数種類のマークの寄せ集め
EA11 EA12 EA13 EA14 EA15 EA16 EA17 EA18 EA19 EA20
・断面形状，断面構造，材質 ・・マークが凹部（図面） ・・マークが凸部（図面） ・・マーク表面材質 （＊） ・・・ＳｉＯ２層 ・・・エピタキシャル層 ・・・シリコン等の基板 ・・・金属層 （＊） ・・複数の積層した材質層からなるもの （＊） ・・マークが結晶面で構成されているもの
EA21 EA22 EA23 EA24 EA26 EA27 EA28 EA30
・・貫通穴（図面） ・マークの製造 ・・エッチング ・・エピタキシャル成長，ＣＶＤ ・・リソグラフィー ・・拡散，イオン注入 ・・酸化 ・その他 （＊）
EB EB00
位置合わせマークの配置 		EB01 EB02 EB03 EB05 EB06 EB07 EB08 EB09 EB10
・ウェハ上 ・マスク上，マスクフレーム上 ・ステージ上，チャック上 ・各チップ上 ・代表チップ上 ・スクライブライン上 ・ウェハ，マスクの周辺上 ・配線上，電極上，ボンディングパッド上 ・その他 （＊）
EC EC00
位置合わせマークの特殊用途 		EC01 EC02 EC03 EC05
・マスクステージ，チャックとの位置合わせ用 ・ウェハステージ，チャックとの位置合わせ用 ・Ｚ軸方向調整用 ・その他 （＊）
ED ED00
位置を合わせるべき２物体上のマーク 		ED01 ED02 ED03 ED05
・ウェハマークとマスクマーク ・ウェハマークと基準マーク ・マスクマークと基準マーク ・その他 （＊）
FA FA00
位置合わせマークの光学的検出 		FA01 FA02 FA03 FA04 FA05 FA06 FA07 FA08 FA09 FA10
・検出用光源，位置合わせマーク照射光 ・・露光光，露光光に近い波長の光 ・・露光安全光，露光光と遠い波長の光 ・・光の走査 ・・レーザ ・・２以上の波長 ・・２以上の波長からの選択 ・・Ｘ線，電子線，イオン線 ・検出用受光装置 ・・撮像手段，ＴＶカメラ
FA11 FA14 FA16 FA17 FA18 FA19 FA20
・・直線状受光センサアレイ ・透過形 ・ＴＴＬ ・顕微鏡，目視 ・ステージによる光の反射，吸収 ・振動の利用 ・その他 （＊）
FB FB00
検出用光学系 		FB01 FB02 FB03 FB04 FB06 FB07 FB08 FB09 FB10
・検出用光学系の配置場所 ・・検出用光源と該光源に近い方のマーク間 ・・２物体上のマーク間 ・・検出用受光装置に近いマークと受光装置間 ・光学系の要素 ・・１／４波長板 ・・ハーフミラー ・・プリズム ・・ミラー
FB11 FB12 FB13 FB14 FB15 FB16 FB17 FB18 FB19 FB20
・・ガラス板 ・・レンズ ・・フィルタ ・・・空間周波数フィルタ ・・フレネルゾーンプレート ・・スリット，スリットの走査 ・色収差，光路長の補正 ・暗視野系 ・検出用光学系の移動 ・その他 （＊）
FC FC00
位置合わせマークの検出一般及び検出の補助 		FC01 FC02 FC03 FC04 FC05 FC06 FC07 FC08 FC09 FC10
・ウェハマーク部の保護，保存 ・ウェハマーク部のレジスト除去 ・位置合わせ状態（結果）の表示 ・検出されたマーク情報のデータ処理 ・マーク検出結果によるステージ等の移動 ・・複数マークの位置記憶，各チップ位置演算 ・２種類以上の位置合わせを行うもの ・プリアライメントも行うもの ・両面露光のためのもの ・その他　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（＊）
H01L21/30,531@A-21/30,531@Z GA GA00
Ｘ線露光 		GA01 GA02 GA03 GA04 GA06 GA07 GA08 GA09
・露光の種類 ・・プロキシミティ（近接）露光 ・・投影露光 ・・ステップアンドリピート露光 ・Ｘ線の走査 ・露光装置内の雰囲気，チェンバー （＊） ・・ウェハ近傍 （＊） ・・Ｘ線源近傍 （＊）
GA11 GA12 GA14 GA16 GA18 GA20
・ウェハチャック，ウェハステージ ・マスクチャック，マスクステージ ・制御，調整，検知，表示 ・レジスト処理，パターン形成 ・位置合わせ ・その他 （＊）
GB GB00
Ｘ線光学系 		GB01 GB02 GB03 GB04 GB05 GB07 GB09
・ミラー ・レンズ，フレネルゾーンプレート ・スリット ・Ｘ線透過膜，Ｘ線取出し窓 ・シャッタ ・不要な線の排除，フィルタ ・その他 （＊）
H01L21/30,531@S GC GC00
Ｘ線源 		GC01 GC02 GC03 GC04 GC05
・電子線をターゲットに当てるもの ・・回転ターゲット ・プラズマＸ線源 ・シンクロトロン（ＳＯＲ） ・その他 （＊）
H01L21/30,531@M GD GD00
Ｘ線露光用マスク 		GD01 GD02 GD03 GD04 GD05 GD06 GD07 GD08 GD09 GD10
・Ｘ線吸収層，吸収層材料 （＊） ・Ｘ線吸収層と支持膜との特殊な配置関係 ・Ｘ線吸収層の支持膜，支持膜材料 （＊） ・フレーム，補強体，支持枠，及びその材料（＊） ・応力の低減，調整 ・熱膨張率の調整 ・保護層，表面層，吸収層の埋設 （＊） ・スペーサ ・位置合わせ用のマーク又は光等の透過部 ・ステンシル形，反射（螢光Ｘ線発生）形
GD11 GD12 GD13 GD14 GD15 GD16 GD17 GD18 GD19 GD20
・欠陥検査，欠陥修正 ・工程 ・製造 （＊） ・・電気メッキ ・・エッチング ・・ＣＶＤ，スパッタリング，蒸着 ・・リソグラフィー ・・リフトオフ ・・接着 ・その他 （＊）
H01L21/30,563 HA HA00
レジスト塗布以前のウェハの表面処理 		HA01 HA02 HA03 HA04 HA05 HA07
・レジストの接着強化膜の形成 （＊） ・・そのための装置 （＊） ・洗浄 ・エッチング ・エッチング以外のプラズマ処理 ・その他 （＊）
H01L21/30,564@C-21/30,564@Z JA JA00
レジスト塗布 		JA01 JA02 JA03 JA04 JA05 JA06 JA07 JA08 JA09 JA10
・レジスト液の供給，及びその制御，調整 ・・供給ノズル ・・供給配管 ・回転塗布 ・・処理容器，又は処理容器の洗浄，清浄 ・・レジストの再付着防止 ・・気体の導入 ・・排気，排液系 ・・溶媒の供給 ・・回転チャック本体
JA11 JA12 JA13 JA14 JA15 JA16 JA19 JA20
・・回転機構の特殊化 ・・レジスト液にウェハを浸すもの ・・回転，回転数の調整 ・・ウェハ表面を下向きにして塗布，又は乾燥 ・・塗布中のウェハ裏面又は端面の洗浄，清浄 ・・ＪＡ０５～１５以外の回転塗布方法 ・ロールコート ・ウェハ表面へのレジストの堆積
JA21 JA22 JA24 JA25 JA27
・レジスト膜の特性検知，膜厚検知 ・他のプロセス処理との組合せ （＊） ・温度調整 ・静電気除去 ・その他 （＊）
H01L21/30,567 KA KA00
ベーキング装置 		KA01 KA02 KA03 KA04 KA05 KA07 KA08 KA09 KA10
・加熱手段 ・・赤外線ランプ ・・マグネトロン，マイクロ波 ・・ヒーター，熱板 ・・加熱気体 ・ウェハの搬送を伴うもの ・・ベルトコンベア ・・ウォーキングビーム ・その他 （＊）
H01L21/30,569@A-21/30,569@Z LA LA00
湿式現像，リンス 		LA01 LA02 LA03 LA04 LA05 LA06 LA07 LA08 LA09
・回転処理 ・・処理中のウェハ裏面，端面の清浄 ・・処理液の供給，及びその調整 ・・供給ノズル ・・回転チャック ・・処理容器 ・・吸気，排気，排液系 ・・ＬＡ０２～０７以外の回転処理方法 ・現像槽（浸漬）
LA11 LA12 LA13 LA14 LA15 LA17 LA18 LA19
・ウェハの搬送を伴うもの ・現像液，リンス液 （＊） ・温度調整 ・現像，リンス方法 ・現像終点の検知 ・ドライ現像との組合せ ・他のプロセス処理との組合せ （＊） ・その他 （＊）
H01L21/30,569@H LB LB00
ドライ現像 		LB01 LB02 LB03 LB06 LB07 LB09 LB10
・プラズマ処理 ・露光によるレジストの直接除去 ・・紫外線，光露光による ・紫外線処理 ・加熱処理 ・他の処理との組合せ （＊） ・その他 （＊）
H01L21/30,572@A-21/30,572@Z MA MA00
レジスト膜の剥離 		MA01 MA02 MA03 MA04 MA05 MA06 MA07 MA10
・湿式剥離 ・・剥離液，剥離剤 （＊） ・・加熱，煮沸 ・・紫外線処理との組合せ ・・気体の供給 ・・制御，調整，検知，表示 ・・ＭＡ０２～０６以外の湿式剥離方法 ・・湿式剥離装置
MA11 MA12 MA13 MA17 MA18 MA19
・ドライ剥離 ・・プラズマ処理 ・・紫外線，酸素，オゾン処理 ・２以上の剥離処理の組合せ ・他のプロセス処理との組合せ （＊） ・その他 （＊）
H01L21/30,573 NA NA00
多層レジスト膜及びその処理 		NA01 NA02 NA03 NA04 NA05 NA06 NA07 NA08 NA09
・２層レジスト膜 ・・下層がネガ形，上層がポジ形 （＊） ・・下層がネガ形，上層もネガ形 （＊） ・・下層がポジ形，上層がネガ形 （＊） ・・下層がポジ形，上層もポジ形 （＊） ・３層以上のレジスト膜 ・２層のレジスト間にレジスト以外の中間層（＊） ・下層のレジストが露光済 ・同一レジストによる多層膜
NA11 NA12 NA13 NA14 NA15 NA16 NA17 NA18 NA19
・処理方法 ・・塗布，ベーキング ・・現像 ・・・上層レジストの ・・・下層レジストの ・・レジストのエッチング除去 ・・・ドライエッチング ・・・下層レジストの ・その他 （＊）
H01L21/30,574 PA PA00
光の吸収膜，反射膜 		PA01 PA02 PA03 PA04 PA05 PA06 PA07 PA08 PA09 PA10
・吸収膜 ・・シリコン（ポリ，アモルファスを含む） ・・酸化膜 ・・窒化膜 ・・金属 （＊） ・・粗面化 ・・有機，高分子膜 （＊） ・・・レジスト ・・染料，光吸収剤 ・・黒色化
PA11 PA12 PA13 PA17 PA18 PA19
・・炭素，炭化物の膜 ・・屈折率の調整 ・・・多層膜 ・反射膜 ・・金属 （＊） ・その他 （＊）
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