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Fタームリスト

リスト再作成（Ｈ１０）、１９８８年以降に発行された文献を解析対象としている
5F033 半導体集積回路装置の内部配線 電子デバイス　　　　
H01L21/88 -21/90@Z
H01L21/88-21/90@Z GG GG00
基板材料（シリコンは付与不要）　　　＊ 		GG01 GG02 GG03 GG04
・化合物半導体 ・・ＩＩＩ－Ｖ族 ・絶縁性基板 ・・透光性基板
HH HH00
単一配線層の材料，層間接続の上層配線層の材料＊ 		HH01 HH03 HH04 HH05 HH06 HH07 HH08 HH09 HH10
・半導体基板 ・半導体（基板を除く） ・・多結晶Ｓｉ ・・アモルファスＳｉ ・・単結晶Ｓｉ ・金属及びその合金（シリサイドを除く）＊ ・・Ａｌ ・・・Ａｌ合金 ・・・・Ｓｉ，Ｃｕ以外を含むもの
HH11 HH12 HH13 HH14 HH15 HH16 HH17 HH18 HH19 HH20
・・Ｃｕ ・・・Ｃｕ合金 ・・Ａｕ，Ａｕ合金 ・・Ａｇ，Ａｇ合金 ・・Ｃｏ，Ｃｏ合金 ・・Ｆｅ，Ｆｅ合金 ・・高融点金属 ・・・Ｔｉ ・・・Ｗ ・・・Ｍｏ
HH21 HH22 HH23 HH25 HH26 HH27 HH28 HH29 HH30
・・・Ｔａ ・・・高融点金属の合金 ・・・・ＴｉＷ ・シリサイド ・・高融点金属のシリサイド ・・・ＴｉＳｉ ・・・ＷＳｉ ・・・ＭｏＳｉ ・・・ＴａＳｉ
HH31 HH32 HH33 HH34 HH35 HH36 HH38 HH40
・化合物＊ ・・窒化物 ・・・ＴｉＮ ・・・ＷＮ ・・酸化物 ・・炭化物 ・透光性導電膜材料 ・超伝導材料
JJ JJ00
層間接続のコンタクト層の材料＊ 		JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06 JJ07 JJ08 JJ09 JJ10
・コンタクト層なし，上層配線と一体形成 ・半導体（基板を除く） ・・多結晶Ｓｉ ・・アモルファスＳｉ ・・単結晶Ｓｉ ・金属及びその合金（シリサイドを除く）＊ ・・Ａｌ ・・・Ａｌ合金 ・・・・Ｓｉ，Ｃｕ以外を含むもの
JJ11 JJ12 JJ13 JJ14 JJ15 JJ16 JJ17 JJ18 JJ19 JJ20
・・Ｃｕ ・・・Ｃｕ合金 ・・Ａｕ，Ａｕ合金 ・・Ａｇ，Ａｇ合金 ・・Ｃｏ，Ｃｏ合金 ・・Ｆｅ，Ｆｅ合金 ・・高融点金属 ・・・Ｔｉ ・・・Ｗ ・・・Ｍｏ
JJ21 JJ22 JJ23 JJ25 JJ26 JJ27 JJ28 JJ29 JJ30
・・・Ｔａ ・・・高融点金属の合金 ・・・・ＴｉＷ ・シリサイド ・・高融点金属のシリサイド ・・・ＴｉＳｉ ・・・ＷＳｉ ・・・ＭｏＳｉ ・・・ＴａＳｉ
JJ31 JJ32 JJ33 JJ34 JJ35 JJ36 JJ38 JJ40
・化合物＊ ・・窒化物 ・・・ＴｉＮ ・・・ＷＮ ・・酸化物 ・・炭化物 ・透光性導電膜材料 ・超伝導材料
KK KK00
層間接続の下層配線層の材料＊ 		KK01 KK03 KK04 KK05 KK06 KK07 KK08 KK09 KK10
・半導体基板 ・半導体（基板を除く） ・・多結晶Ｓｉ ・・アモルファスＳｉ ・・単結晶Ｓｉ ・金属及びその合金（シリサイドを除く）＊ ・・Ａｌ ・・・Ａｌ合金 ・・・・Ｓｉ，Ｃｕ以外を含むもの
KK11 KK12 KK13 KK14 KK15 KK16 KK17 KK18 KK19 KK20
・・Ｃｕ ・・・Ｃｕ合金 ・・Ａｕ，Ａｕ合金 ・・Ａｇ，Ａｇ合金 ・・Ｃｏ，Ｃｏ合金 ・・Ｆｅ，Ｆｅ合金 ・・高融点金属 ・・・Ｔｉ ・・・Ｗ ・・・Ｍｏ
KK21 KK22 KK23 KK25 KK26 KK27 KK28 KK29 KK30
・・・Ｔａ ・・・高融点金属の合金 ・・・・ＴｉＷ ・シリサイド ・・高融点金属のシリサイド ・・・ＴｉＳｉ ・・・ＷＳｉ ・・・ＭｏＳｉ ・・・ＴａＳｉ
KK31 KK32 KK33 KK34 KK35 KK36 KK38 KK40
・化合物＊ ・・窒化物 ・・・ＴｉＮ ・・・ＷＮ ・・酸化物 ・・炭化物 ・透光性導電膜材料 ・超伝導材料
LL LL00
導電膜材料の特徴点＊ 		LL01 LL02 LL03 LL04 LL06 LL07 LL08 LL09 LL10
・不純物，イオンを含むもの＊ ・・金属 ・・酸素，窒素系 ・・Ａｓ，Ｂ，Ｐ系 ・結晶性に特徴があるもの ・・結晶面に特徴があるもの ・・結晶粒径に特徴があるもの ・組成比に特徴があるもの ・・シリサイド，化合物の組成が理論比と異なる
MM MM00
配線構造，形状の特徴点＊ 		MM01 MM02 MM03 MM04 MM05 MM07 MM08 MM09 MM10
・埋め込み型配線，ダマシン ・・デュアルダマシン ・配線の断面構造 ・・２種類以上の導電層よりなる配線 ・・・積層（図面） ・・・・ポリサイド ・・・・３層以上 ・・・・界面が水平でないもの ・・・側面（図面）
MM11 MM12 MM13 MM14 MM15 MM17 MM18 MM19 MM20
・・・上面と側面（図面） ・・・側面と底面（図面） ・・・バリア層を含むもの ・・・界面が中間層となっているもの ・・絶縁膜との積層構造 ・配線の断面形状 ・・Ｔ，Ｙ，逆Ｌ，逆Ｔ型 ・・台形 ・・部分的に厚さが異なるもの
MM21 MM22 MM23 MM25 MM26 MM28 MM29 MM30
・配線の平面形状 ・・スリットを有するもの ・・凹凸を有するもの ・表面状態 ・・配線の表面に凹凸やうねりがあるもの ・膜厚の異なる複数の配線を有するもの ・線幅の異なる複数の配線を有するもの ・基板内部や裏面に配線が有るもの
NN NN00
層間構造の特徴点＊ 		NN01 NN02 NN03 NN05 NN06 NN07 NN08 NN09
・コンタクトホ－ルへの穴埋め構造 ・・介在層を有するもの ・・・積層（図面） ・・・側面（図面） ・・・側面と底面（図面） ・・・バリア層を含むもの ・・深さの異なる複数のコンタクトホ－ルの穴埋め ・・大きさの異なるコンタクトホ－ルの穴埋め
NN11 NN12 NN13 NN14 NN15 NN16 NN17 NN19 NN20
・コンタクト部の配線構造の特徴 ・・接触構造に特徴 ・・・下層配線の凹部に接触（貫通はＮＮ１６）（図面） ・・・下層配線の凸部に接触（図面） ・・・コンタクトプラグが絶縁膜より突出（図面） ・・・下層配線，上層配線を貫通（図面） ・・・介在層の一部を除去するもの（図面） ・ピラ－，ペデスタル ・下部引き出し電極の利用
NN21 NN29 NN30
・配線の交差部に特徴のあるもの ・コンタクトホ－ルの形状に特徴 ・・断面が長方形以外
NN31 NN32 NN33 NN34 NN37 NN38 NN39 NN40
・・・上部を拡大，コンタクトパッド ・・・・順テ－パ－部を有する ・・コンタクトホ－ルの平面形状 ・・・コンタクトホ－ルの大きさ，数に特徴 ・配線層が３層以上に跨がるコンタクトホ－ル ・・中継パッドの利用 ・・３層以上を同時接続 ・・中間層を電気的に絶縁
PP PP00
導電膜の成膜方法＊ 		PP01 PP02 PP03 PP04 PP06 PP07 PP08 PP09 PP10
・原料ガス＊ ・・有機系ガス＊ ・・無機系ガス＊ ・・・ハロゲン化物＊ ・ＣＶＤ（化学的気相成長法） ・・選択ＣＶＤ ・・・選択性を向上させておくもの ・・ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ） ・・光ＣＶＤ
PP11 PP12 PP14 PP15 PP16 PP17 PP18 PP19 PP20
・・ＭＯＣＶＤ（有機金属ＣＶＤ） ・・プラズマＣＶＤ ・ＰＶＤ（物理的気相成長法） ・・スパッタ ・・・反応性スパッタ ・・・バイアススパッタ ・・・高温スパッタ，リフロ－スパッタ ・・真空蒸着 ・・イオンビ－ム蒸着，イオンプレ－ティング
PP21 PP22 PP23 PP24 PP26 PP27 PP28
・成膜の方向性制御 ・・コリメ－タを用いるもの ・・バイアスを印加するもの ・・化学的エッチングを伴うもの ・塗布又は液体からの成膜 ・・電解メッキ ・・無電解メッキ
PP31 PP33 PP35 PP36
・エネルギ－ビ－ムを用いるもの ・同一膜を２段階以上で成長させるもの ・他物質から置換，交換するもの ・・Ｓｉから置換，交換
QQ QQ00
パタ－ン形成方法，基板，導電膜，絶縁膜の処理方法＊ 		QQ01 QQ02 QQ03 QQ04 QQ06 QQ07 QQ08 QQ09 QQ10
・露光 ・・反射防止に関するもの ・・・導電膜の反射防止膜を用いるもの ・・・絶縁膜の反射防止膜を用いるもの ・エッチング ・・エッチングの対象 ・・・導電膜 ・・・絶縁膜 ・・・積層膜
QQ11 QQ12 QQ13 QQ14 QQ15 QQ16 QQ17 QQ18 QQ19 QQ20
・・ドライエッチング ・・・プラズマエッチング ・・・反応性イオンエッチング（ＲＩＥ） ・・・イオンミリング，スパッタエッチング ・・・エッチングガスに特徴（請求項限定） ・・・異方性エッチング ・・・・斜めエッチング ・・・等方性エッチング ・・ウエットエッチング ・・・エッチング液に特徴（請求項限定）
QQ21 QQ22 QQ23 QQ24 QQ25 QQ26 QQ27 QQ28 QQ29 QQ30
・・多段階エッチング ・・・異方性エッチングと等方性エッチング併用 ・・エッチングストッパ－ ・・・導電膜 ・・・絶縁膜 ・・エッチングマスク ・・・導電膜 ・・・絶縁膜 ・・・多層レジスト ・・・エッチング後も残存させるもの
QQ31 QQ32 QQ33 QQ34 QQ35 QQ37 QQ38 QQ39
・・エッチバック ・・凸部除去（エッチバック，研磨以外） ・・サイドエッチング，アンダ－エッチング ・・テ－パ－エッチング ・・エッチングの速度差を利用 ・・コンタクトホ－ルの形成 ・・・深さの異なる複数の孔のエッチング ・・・・同時にエッチング
QQ41 QQ42 QQ43 QQ44 QQ46 QQ47 QQ48 QQ49 QQ50
・リフトオフ ・・リフトオフ材 ・・・フォトレジスト以外 ・・・エッチングマスクと兼用 ・研磨 ・・機械的研磨 ・・化学的機械的研磨（ＣＭＰ） ・・ストッパ－膜，研磨速度調整膜 ・・研磨材，研磨液に特徴（請求項限定）
QQ51 QQ52 QQ53 QQ54 QQ56 QQ57 QQ58 QQ59 QQ60
・エネルギ－ビ－ムの照射（成膜はＰＰ３１） ・・照射の対象 ・・・基板，導電膜 ・・・絶縁膜 ・不純物導入，イオン注入 ・・導入，注入の対象 ・・・基板 ・・・導電膜 ・・・絶縁膜
QQ61 QQ62 QQ63 QQ64 QQ65 QQ66 QQ68 QQ69 QQ70
・・導入，注入するもの ・・・金属 ・・・酸素系 ・・・窒素系 ・・・Ａｓ，Ｐ，Ｂ系 ・・・ハロゲン ・選択導電化，絶縁化によるパタ－ン形成 ・合金化処理（熱処理にも付与） ・・シリサイド化
QQ71 QQ72 QQ73 QQ74 QQ75 QQ76 QQ77 QQ78 QQ79 QQ80
・熱処理 ・・熱処理の対象 ・・・導電膜，基板 ・・・絶縁膜 ・・リフロ－ ・・熱酸化（熱酸化以外はＱＱ８９へ） ・・・選択酸化 ・・熱窒化（熱窒化以外はＱＱ９０へ） ・・熱拡散 ・・・固相拡散
QQ81 QQ82 QQ83 QQ84 QQ85 QQ86 QQ88 QQ89 QQ90
・・加熱手段 ・・・ランプアニ－ル ・・・レ－ザ－アニ－ル ・・熱処理を続けて２回以上行うもの ・・真空，減圧下での熱処理 ・・高圧下での熱処理 ・冷却（自然冷却は除く） ・酸化処理（熱酸化はＱＱ７６） ・窒化処理（熱窒化はＱＱ７８）
QQ91 QQ92 QQ93 QQ94 QQ95 QQ96 QQ98 QQ99
・清浄化 ・・コンタクトホ－ル部の清浄化 ・・除去対象 ・・・酸化物，酸化膜 ・・・フッ化物，フッ素 ・・・有機物 ・空気，大気に晒さない連続処理 ・外力を加えて形状を変化させるもの
RR RR00
絶縁膜の材料＊ 		RR01 RR02 RR03 RR04 RR05 RR06 RR07 RR08 RR09
・無機材料＊ ・・酸化物 ・・・金属酸化物 ・・・ＳｉＯ２ ・・窒化物 ・・・ＳｉＮ ・・酸化窒化物 ・・・ＳｉＯＮ ・・無機ＳＯＧ膜（無機物質又は不明な場合）
RR11 RR12 RR13 RR14 RR15 RR20
・・ハロゲンを含むもの（ＳｉＯＦを含む） ・・不純物を含むもの ・・・ＢＳＧ ・・・ＰＳＧ ・・・ＢＰＳＧ ・・組成比に特徴のあるもの
RR21 RR22 RR23 RR24 RR25 RR26 RR27 RR29 RR30
・有機材料＊ ・・ポリイミド系樹脂 ・・シリコン系樹脂 ・・フッ素系樹脂 ・・有機ＳＯＧ膜（有機物質） ・・不純物を含むもの ・・感光性を有するもの ・気孔，空洞等，一部空気を混入させたもの ・空気絶縁，エアブリッジ
SS SS00
絶縁膜の成膜方法＊ 		SS01 SS02 SS03 SS04 SS07 SS08 SS09 SS10
・原料ガス＊ ・・無機シラン系ガス＊ ・・有機シラン系ガス＊ ・・・ＴＥＯＳ ・ＰＶＤ（物理的気相成長法） ・・スパッタ ・・・反応性スパッタ ・・真空蒸着
SS11 SS12 SS13 SS14 SS15 SS17 SS18 SS19 SS20
・ＣＶＤ（化学的気相成長法） ・・常圧ＣＶＤ ・・ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ） ・・光ＣＶＤ ・・プラズマＣＶＤ ・成膜の方向性制御 ・・コリメ－タを用いるもの ・・バイアスを印加するもの ・・化学的エッチングを伴うもの
SS21 SS22 SS24 SS25 SS26 SS27 SS30
・塗布 ・・塗布後に焼成するもの ・基板，導電膜からの変換 ・・半導体からの変換 ・・金属からの変換 ・・熱酸化による変換（ＱＱ７３，７６も付与） ・液相からの析出
TT TT00
絶縁膜の構造，形状＊ 		TT01 TT02 TT03 TT04 TT06 TT07 TT08
・積層構造 ・・全てが無機材料 ・・全てが有機材料 ・・無機材料と有機材料 ・側壁絶縁膜 ・・コンタクトホ－ルの側壁 ・・電極，配線の側壁
UU UU00
レイアウト，シミュレ－ション 		UU01 UU02 UU03 UU04 UU05 UU07
・配線の設計，レイアウト ・・マスタスライス用 ・・同一層のみのもの ・・多層に跨がるもの ・・・３層以上 ・シミュレ－ション
VV VV00
配線の用途＊ 		VV01 VV02 VV03 VV04 VV05 VV06 VV07 VV08 VV09 VV10
・ダミ－配線 ・・段差の緩和 ・シ－ルド ・電源線 ・接地線 ・ゲ－ト電極配線 ・ボンディングパッド，バンプ電極 ・受動素子 ・・抵抗 ・・容量
VV11 VV12 VV13 VV15 VV16 VV17
・ヒュ－ズ，アンチヒュ－ズ ・検査，試験 ・マイクロマシン ・ＴＦＴ用 ・メモリ用 ・ゲ－トアレイ用
WW WW00
数値限定（請求項にあるもの）＊ 		WW01 WW02 WW03 WW04 WW05 WW06 WW07 WW08 WW09 WW10
・長さ，寸法 ・・厚さ ・温度 ・濃度 ・圧力 ・流量 ・エネルギ－ ・電圧，電流 ・誘電率，容量 ・パラメ－タを工程途中で変化させるもの
XX XX00
目的，効果＊ 		XX01 XX02 XX03 XX04 XX05 XX06 XX07 XX08 XX09 XX10
・平坦化 ・段差被覆性改善，段切れ防止 ・微細化 ・・高アスペクト化 ・エレクトロマイグレ－ション防止 ・ストレスマイグレ－ション防止 ・オ－ミック性向上 ・低抵抗化 ・・コンタクト抵抗の低減 ・・シ－ト抵抗の低減
XX11 XX12 XX13 XX14 XX15 XX16 XX17 XX18 XX19 XX20
・低融点化 ・密着性改善 ・・基板と配線又は配線間の密着性改善 ・・配線と絶縁膜との密着性改善 ・エッチングマスクのずれ対策 ・ヒロック防止 ・クラック防止，歪み防止 ・腐食防止 ・応力の利用，応力の低減 ・酸化防止
XX21 XX22 XX23 XX24 XX25 XX26 XX27 XX28 XX29 XX30
・残さの除去 ・放熱 ・基板と配線又は配線間の干渉防止 ・・基板と配線又は配線間の容量の低減 ・・・同層間の容量の低減 ・・寄生チャネルの防止 ・信号の遅延防止，伝達の同時化 ・拡散、突き抜け防止 ・・シリコンの拡散，突き抜け防止 ・・アルミニウムの拡散，突き抜け防止
XX31 XX32 XX33 XX34 XX35 XX36 XX37
・短絡防止 ・遮光 ・製造工程の簡略化 ・製造コストの低下 ・成膜時の膜厚の制御 ・配線修理 ・検査，試験
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