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ターム名の変更、付与マニュアルの変更（Ｈ１６）
5F048 ＭＯＳＩＣ，バイポーラ・ＭＯＳＩＣ 電子デバイス　　　　
H10D84/40 -84/40@Z;84/80-84/80,102@Z;84/82-84/85@Z;84/90;84/90,102;87/00
H01L27/06,102-27/06,331;27/07,102;27/085-27/092@Z;27/118;27/118,102 AA AA00
目的 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・高集積化 ・ＭＯＳゲート過電圧保護 ・ラッチアップ防止，寄生バイポーラ防止 ・素子分離 ・高耐圧化 ・耐放射線（耐アルファ線）性向上 ・信頼性の向上 ・ＭＯＳの相互コンダクタンスの向上 ・製造工程の短縮 ・バイポーラトランジスタの特性改善
AB AB00
用途 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB05 AB06 AB07 AB08 AB10
・メモリ ・マスタースライス，ゲートアレイ ・論理回路 ・・インバータ回路 ・・バッファ回路 ・入力回路 ・出力回路 ・基準電圧発生回路 ・その他
AC AC00
集積回路要素 		AC01 AC02 AC03 AC04 AC05 AC06 AC07 AC08 AC09 AC10
・ＭＯＳ＋ＭＯＳ ・・Ｅ－Ｄ・ＭＯＳ，Ｅ－Ｅ・ＭＯＳ ・・ＣＭＯＳ ・・・ＴＦＴ・ＣＭＯＳ ・・Ｂｉ－ＣＭＯＳ ・・パワーＭＯＳを含む ・バイポーラを含む（ＢｉＣＭＯＳはＡＣ０５） ・・Ｂｉ－ＭＯＳ複合素子 ・ＳＩＴ，ＪＦＥＴ，ＭＥＳＦＥＴ等を含む ・Ｌ，Ｃ，Ｒ，ダイオード等を含む
BA BA00
基板 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA09 BA10
・単層基板 ・多層基板（２層） ・・３層以上 ・・・１エピ層と２エピ層が同型 ・・・１エピ層と２エピ層が異型 ・・基板と直上の層が同型 ・・基板と直上の層が異型 ・基板中に絶縁層 ・結晶面・結晶軸に特徴
BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17 BA19 BA20
・基板中にキャリア再結合中心を添加したもの ・埋め込み層 ・・二重埋め込み層 ・素子形成領域，能動領域がＳｉ以外の材料 ・・ＩＩＩ－Ｖ族半導体 ・絶縁性基板 ・・ＳＯＳ ・複数ＭＯＳの素子電極が同一平面でないもの ・一部のＭＯＳを絶縁膜上に形成
BB BB00
ゲート 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・形状 ・・分割ゲート（複数ゲート） ・・ゲート長（幅）の異なる複数ＭＯＳ ・材料 ・・多結晶Ｓｉ ・・・Ｎ型ドープ多結晶Ｓｉ ・・・Ｐ型ドープ多結晶Ｓｉ ・・シリサイド ・・金属，合金，金属化合物（除シリサイド） ・・異なるゲート電極材料を用いた複数ＭＯＳ
BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19 BB20
・・ゲート絶縁膜材料に特徴 ・多層（２層）ゲート ・・３層以上 ・閾値制御 ・・閾値電圧が異なる複数ＭＯＳ ・・・絶縁膜厚が異なるもの ・・・絶縁材料が異なるもの ・・・注入量，注入物質が異なるもの ・埋め込みゲート ・特殊構造ゲート（Ｖ字ゲート）
BC BC00
ソース・ドレイン 		BC01 BC02 BC03 BC05 BC06 BC07
・形状 ・・分割ドレイン（ソース） ・非対称構造 ・追加領域の形成 ・・ＬＤＤ ・・二重拡散
BC11 BC12 BC15 BC16 BC18 BC19 BC20
・ソース・ドレイン下に絶縁層 ・裏面電極取り出し ・材料 ・・多結晶Ｓｉ（ＳＯＩ） ・複数ＭＯＳの相互のＳ・Ｄ領域が異なるもの ・・深さが異なるもの ・・濃度が異なるもの
BD BD00
チャネル 		BD01 BD02 BD04 BD05 BD06 BD07 BD09 BD10
・形状 ・・チャネル長（幅）に特徴 ・チャネル中に追加のイオンを注入したもの ・埋め込みチャネル ・電流方向に特徴 ・・垂直チャネル（→ＣＢ０７） ・チャネル領域をエピ成長によって別個に形成 ・複数ＭＯＳ間のチャネル長（幅）に特徴
BE BE00
ウェル 		BE01 BE02 BE03 BE04 BE05 BE06 BE07 BE08 BE09 BE10
・濃度分布に特徴のあるウェル ・二重ウェル ・両ウェル〔Ｐ・Ｎ〕 ・同型多ウェル ・深さの異なる複数ウェル ・濃度の異なる複数ウェル ・表面エピ層より深いウェル ・ウェルなしＣＭＯＳ ・ウェルに電圧印加 ・その他
BF BF00
配線・電極・コンタクト 		BF01 BF02 BF03 BF04 BF05 BF06 BF07 BF08
・材料 ・・Ａｌ ・・多結晶Ｓｉ ・・・Ｎ型ドープ多結晶Ｓｉ ・・・Ｐ型ドープ多結晶Ｓｉ ・・シリサイド ・・金属，合金，金属化合物（除シリサイド） ・・超電導材料
BF11 BF12 BF15 BF16 BF17 BF18 BF19
・多層配線（２層） ・・３層以上配線 ・ゲート電極と配線とのコンタクト ・ソース・ドレインと配線とのコンタクト ・Ｓ・Ｄとのコンタクト抵抗低減領域 ・基板（ウェル）コンタクト領域 ・ゲート・ゲート接続コンタクト
BG BG00
絶縁体分離 		BG01 BG02 BG03 BG05 BG06 BG07
・材料 ・・ＰＳＧ ・・Ｓｉ３Ｎ４ ・素子領域側面・底面を絶縁物で分離するもの ・・複数ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）で一部のみ ・・複数ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）ですべて
BG11 BG12 BG13 BG14 BG15 BG16
・素子領域側面のみを絶縁物で分離するもの ・・選択酸化（ＬＯＣＯＳ）分離 ・・トレンチ（溝）分離 ・・・溝内部にＳｉＯ２以外を埋め込んだもの ・・・溝下基板層にイオン注入 ・・Ｖ溝
BH BH00
ＰＮ接合分離 		BH01 BH02 BH03 BH04 BH05 BH06 BH07 BH08 BH09
・素子領域側面・底面共にＰＮ接合分離 ・素子領域側面のみにＰＮ接合分離 ・素子領域底面のみにＰＮ接合分離 ・分離領域に電位を与えるもの ・ガードリング（ガードバンド） ・・ガードリングが複数形成されたもの ・チャネルストッパ ・・二重チャネルストッパ ・カット層
CA CA00
バイポーラトランジスタの構造 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA09 CA10
・ウェル内に形成 ・単層基板上に形成 ・基板上のエピ層に形成 ・絶縁分離領域に形成 ・ＰＮ接合分離領域に形成 ・ＭＯＳと異なる平面に形成 ・バイポーラトランジスタの下に埋め込み層 ・埋め込みベース ・二重拡散ベース ・分割ベース
CA12 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17
・ウェルコレクタ ・シリサイドコンタクト（Ｅ，Ｂ，Ｃ） ・多結晶Ｓｉ配線（Ｅ，Ｂ，Ｃ） ・エミッタ側壁 ・複数の耐圧が異なるバイポーラトランジスタ ・多層配線
CB CB00
３次元ＭＯＳＩＣ（含ＢｉＭＯＳ） 		CB01 CB02 CB03 CB04 CB06 CB07 CB08 CB10
・積層型ＭＯＳＩＣ（２層） ・・３層以上 ・・層間コンタクト ・・層間配線 ・縦型ＭＯＳＩＣ，ダブルゲートＭＯＳ ・・垂直チャネル（→ＢＤ０７） ・・縦方向に対向する二重ゲート ・ゲート電極上に対応して他のＭＯＳ形成
CC CC00
保護回路の構成 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC07 CC08 CC09 CC10
・抵抗 ・・配置及び形状 ・・材料 ・・・多結晶Ｓｉ ・容量 ・ダイオード ・・保護対象素子の間 ・ＭＯＳ ・・２以上のＭＯＳ ・バイポーラ，サイリスタ
CC11 CC12 CC13 CC14 CC15 CC16 CC17 CC18 CC19 CC20
・配置（抵抗のみの配置・形状はＣＣ０２） ・定電圧・定電流回路を設けたもの ・ウェルまたは基板に電圧を印加したもの ・ラッチアップの検出・解除用回路 ・入力側 ・出力側 ・保護対象 ・・ＭＯＳＩＣ ・・ＣＭＯＳＩＣ ・・Ｂｉ－ＭＯＳ（Ｂｉ－ＣＭＯＳ）ＩＣ
DA DA00
製造方法 		DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA09 DA10
・１ＭＯＳソース・ドレインとの同時形成 ・・２ＭＯＳのガードリング ・・２ＭＯＳのチャネルストッパ ・・１または２ＭＯＳのゲート（多結晶Ｓｉ） ・・２ＭＯＳのウェル ・・バイポーラのコレクタ ・・バイポーラのベース ・・バイポーラのエミッタ ・２以上の要素の同時形成（Ｓ・Ｄは除く） ・・ウェル
DA11 DA12 DA13 DA14 DA15 DA17 DA18 DA19 DA20
・・ガードリング ・・チャネルストッパ ・・ベース ・・コレクタ ・・エミッタ ・イオン注入時ゲート保護層（除最外レジスト） ・・ＳｉＯ２ ・・Ｓｉ３Ｎ４ ・・高融点金属
DA21 DA22 DA23 DA24 DA25 DA26 DA27 DA28 DA29 DA30
・・高融点金属硅化物 ・・Ａｌ２Ｏ３ ・ゲート側壁（サイドウォール） ・・材料 ・・・ＳｉＯ２ ・・・高融点金属硅化物 ・・・Ｓｉ３Ｎ４ ・・・多結晶Ｓｉ ・・・ＰＳＧ ・・二重側壁
DB DB00
拡散層形成（イオン注入以外） 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB07 DB08 DB09 DB10
・拡散源 ・・ＰＳＧ ・・ＢＳＧ ・・不純物ドープ多結晶Ｓｉ ・形成領域 ・・ソース・ドレイン ・・チャネルストッパ ・・ベース ・・エミッタ ・・コレクタ
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