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Fタームリスト

リスト再作成旧５Ｆ０４０（Ｈ１２）、１９９１年以降に発行された文献を解析対象としている
5F140 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ 電子デバイス　　　　
H10D30/00 ;30/01,101-30/01,101@Z;30/60-30/65;48/36
H01L29/78-29/78,301@Z AA AA00
目的＊ 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・周波数特性 ・低電力化 ・低雑音化 ・電気的特性（入出力特性）の変更 ・相互コンダクタンスの向上 ・しきい値電圧の安定化 ・温度特性の改善 ・内部歪の除去，防止 ・耐放射性特性の向上 ・ソース，ドレイン電極部の低抵抗化
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA19 AA20
・ゲートとＳＤ領域間の容量の低減 ・ＳＤ領域の接合容量の低減 ・接合の深さの減少 ・短絡の防止 ・表面の平坦化，段切れの防止 ・寄生ＭＯＳの防止 ・寄生バイポーラ，ラッチアップ防止 ・パンチスルーの防止 ・ゲート絶縁膜の耐圧向上 ・ドレイン接合，ソース接合の破壊防止
AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AA26 AA27 AA28 AA29 AA30
・短チャネル効果対策 ・狭チャネル効果対策 ・ホットキャリア，ホットエレクトロン効果対策 ・リーク，漏れ電流の防止 ・高耐圧化 ・エッチングダメージの防止 ・イオン注入ダメージの防止 ・突き抜け，チャネリング防止 ・大電流化 ・・低オン抵抗化
AA31 AA32 AA33 AA34 AA36 AA37 AA38 AA39 AA40
・サージ入力対策 ・サージ出力対策 ・過電流の防止 ・熱からの保護 ・実装構造の改良 ・試験，測定，検査（モニタ素子） ・ＥＳＤ対策 ・微細化 ・工程の簡略化
AB AB00
複合（回路要素） 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB05 AB06 AB07 AB08 AB09 AB10
・ＭＯＳＩＣ，ＭＩＳＩＣ ・・Ｅ／ＥＭＯＳ，Ｅ／ＤＭＯＳを構成するもの ・・ＣＭＯＳを構成するもの ・並列動作 ・三次元素子 ・ダイオード ・バイポーラトランジスタ ・Ｊ・ＦＥＴ ・Ｃ（容量） ・Ｒ（抵抗）
AC AC00
動作・用途・素子構造 		AC01 AC02 AC04 AC06 AC07 AC09 AC10
・Ｐｃｈトランジスタ ・空乏層制御型（デプレッション型） ・ＳＩＴ ・電磁波（光） ・常温以外での動作 ・電圧印加 ・・ＤＴＭＯＳ
AC11 AC12 AC13 AC14 AC16 AC18 AC19 AC20
・量子効果素子 ・・トンネルトランジスタ ・・・ＰＮ接合によるもの ・・・絶縁膜によるもの ・その他の特殊動作（パンチスルーＴｒ，磁気）＊ ・デュアルゲートＭＯＳ，四極ＭＯＳ ・ＢＯＭＯＳ（埋込み酸化膜ＭＯＳ） ・単一電子素子
AC21 AC22 AC23 AC24 AC26 AC28 AC30
・横型ＤＭＯＳ，ＤＳＡ（二重拡散Ｔｒ） ・横型ＩＧＢＴ ・縦型トランジスタ（縦型ＤＭＯＳなど） ・・縦型ＩＧＢＴ ・表面に連続した凹凸を形成するもの ・歪みを利用したもの ・素子配置
AC31 AC32 AC33 AC36 AC37 AC38 AC39 AC40
・用途 ・・メモリ ・・論理回路 ・薄膜トランジスタ，ＴＦＴ，ＳＯＩ，ＳＯＳ ・イオン感応電界効果Ｔｒ，イオンセンサ ・ＣＣＤ ・ＭＯＳダイオード，ＭＯＳキャパシタ ・ＭＯＳサイリスタ
BA BA00
基板材料 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10
・４族 ・・ＳｉＣ ・・Ｇｅ ・・ダイヤモンド ・・ＳｉＧｅ ・３―５族＊ ・・ＧａＡｓ ・・ＩｎＰ ・・三元以上＊ ・２－６族＊
BA11 BA12 BA13 BA16 BA17 BA18 BA20
・超電導材料＊ ・非単結晶半導体材料＊ ・・多結晶，ポリシリコン ・エピタキシャル基板 ・・Ｓｉ基板上に化合物半導体成長 ・有機半導体＊ ・結晶軸，面方位の選択
BB BB00
チャネル構造 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB09 BB10
・チャネル形状，配置 ・・基板表面に平行でないチャネル ・・・段差部に形成されたもの ・・・・ＶＳＶＣ（垂直表面垂直電流） ・・・・ＶＳＨＣ（垂直表面水平電流） ・・基板表面から離間したチャネル ・短チャネル効果の積極的な利用 ・狭チャネル効果の積極的な利用
BB11 BB12 BB13 BB15 BB16 BB18 BB19
・チャネル部の不純物プロファイル ・・平面分布 ・・断面分布 ・・不純物材料に特徴＊ ・・・ｎ型，ｐ型とならない不純物＊ ・超格子構造，ヘテロ構造 ・・量子細線
BC BC00
チャネルの製造 		BC01 BC02 BC05 BC06 BC07 BC08 BC09 BC10
・他の領域との関係 ・・ゲートを透過して注入 ・不純物の導入方法 ・・イオン注入 ・・・斜めイオン注入，回転イオン注入 ・・固相拡散 ・・補償拡散，カウンタードープ ・・外方拡散の利用
BC11 BC12 BC13 BC15 BC17 BC19
・成膜方法 ・・エピタキシャル成長 ・・・選択成長 ・エッチング ・熱処理 ・前処理＊
BD BD00
ゲート絶縁膜 		BD01 BD02 BD04 BD05 BD06 BD07 BD09 BD10
・２層＊ ・３層以上＊ ・材料＊ ・・ＳｉＯ ・・・材料に特徴 ・・ＳｉＮ ・・ＳｉＯＮ（酸窒化膜，窒酸化膜を含む） ・・ＳｉＮ＋ＳｉＯ（多層の場合）
BD11 BD12 BD13 BD14 BD15 BD16 BD17 BD18 BD19 BD20
・・金属酸化膜＊ ・・・ＴａＯ ・・・複合金属酸化膜＊ ・・少なくとも一部に空間を有するもの ・・材料の不均一性，不純物分布の不均一性 ・・複数種構成材料の分布 ・不純物を含有するもの＊ ・断面形状（厚さの不均一性） ・・選択酸化（ｍｉｎｉ＿ＬＯＣＯＳ） ・最上層の表面に特徴（終端原子，未結合手）
BE BE00
ゲート絶縁膜の製造 		BE01 BE02 BE03 BE05 BE06 BE07 BE08 BE09 BE10
・ゲート絶縁膜を形成前の処理＊ ・・洗浄 ・・エッチング＊ ・ゲート絶縁膜を形成するための処理 ・・直接変換 ・・・酸化 ・・・窒化 ・・堆積＊ ・・・ＣＶＤ
BE11 BE13 BE14 BE15 BE16 BE17 BE18 BE19 BE20
・・エッチング＊ ・ゲート絶縁膜を形成した後の処理＊ ・・エッチング＊ ・・イオン注入 ・・熱処理 ・・・雰囲気＊ ・加熱方法 ・・ＲＴＰ，電子線 ・その他＊
BF BF00
ゲート電極 		BF01 BF03 BF04 BF05 BF06 BF07 BF08 BF09 BF10
・単層 ・最下層材料＊ ・・半導体＊ ・・金属＊ ・・・合金＊ ・・・高融点金属＊ ・・・金属シリサイド＊ ・・・・複数種からなる金属シリサイド＊ ・・・金属化合物（窒化物，酸化物）＊
BF11 BF13 BF14 BF15 BF16 BF17 BF18 BF19 BF20
・２層＊ ・２層目材料＊ ・・半導体＊ ・・金属＊ ・・・合金＊ ・・・高融点金属＊ ・・・金属シリサイド＊ ・・・・複数種からなる金属シリサイド＊ ・・・金属化合物（窒化物，酸化物）＊
BF21 BF22 BF23 BF24 BF25 BF26 BF27 BF28 BF29 BF30
・３層＊ ・４層以上＊ ・３層目より上層の材料＊ ・・半導体＊ ・・金属＊ ・・・合金＊ ・・・高融点金属＊ ・・・金属シリサイド＊ ・・・・複数種からなる金属シリサイド＊ ・・・金属化合物（窒化物，酸化物）＊
BF31 BF32 BF33 BF34 BF35 BF37 BF38 BF40
・構造，不純物の状態 ・・材料の不均一性 ・・結晶性，結晶粒径 ・・・アモルファス，非晶質 ・・絶縁層を埋込んだもの ・・不純物分布 ・・不純物材料に特徴＊ ・複数種類を用い単純多層でないもの
BF41 BF42 BF43 BF44 BF45 BF46 BF47
・形状，配置 ・・断面形状 ・・・溝掘りゲート ・・段差部に形成されたもの ・・埋込みゲート，チャネルの下に埋込み ・・直列複数ゲート ・・並列複数ゲート
BF51 BF52 BF53 BF54 BF56 BF58 BF59 BF60
・・平面形状，配置 ・・・メッシュ状 ・・・くし歯状，分割 ・・・リング状 ・マスク性能の向上（プロセス時を含む） ・ゲート電極への配線コンタクト構造 ・・バリアメタルを有するもの ・・コンタクトプラグを有するもの
BG BG00
ゲート電極及び側壁の製造 		BG01 BG02 BG03 BG04 BG05 BG07 BG08 BG09 BG10
・ダミーゲートを用いたゲート電極の製造 ・・ダミーゲート材料（レジスト、ポリイミド）＊ ・・・無機物＊ ・・・・多結晶Ｓｉ ・・・・ＳｉＯ ・ゲート側壁構造及び配置 ・・ゲート側壁 ・・２重ゲート側壁＊ ・・３重以上のゲート側壁＊
BG11 BG12 BG13 BG14 BG15 BG16 BG17 BG18 BG19 BG20
・・ゲート側壁材料＊ ・・・ＳｉＯ ・・・ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ ・・・ＳｉＮ ・・・多結晶Ｓｉ ・・・高融点金属珪化物（高融点金属を含む） ・・・空隙 ・イオン注入時ゲート保護層（除最外レジスト） ・・ゲート保護材料（ゲート電極以外）＊ ・・・ＳｉＯ
BG21 BG22 BG24 BG26 BG27 BG28 BG29 BG30
・・・・ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ ・・・ＳｉＮ ・ゲート電極形成前の処理→ＢＥ１３以降へ ・ゲート電極の形成処理＊ ・・堆積＊ ・・・ＣＶＤ ・・・・選択ＣＶＤ ・・・ＰＶＤ
BG31 BG32 BG33 BG34 BG35 BG36 BG37 BG38 BG39 BG40
・・不純物の導入 ・・・イオン注入 ・・熱処理 ・・・シリサイド化 ・・・・雰囲気 ・・ゲート電極の形状を形成する方法＊ ・・・エッチング ・・・・ドライエッチング ・・・エッチングマスクに特徴＊ ・・・研磨・ＣＭＰ
BG41 BG42 BG43 BG44 BG45 BG46 BG48 BG49 BG50
・ゲート電極形成後の処理＊ ・・不純物の導入 ・・・イオン注入 ・・熱処理 ・・エッチング ・・・コンタクトホールの形成 ・ゲート側壁の形成方法及び除去 ・・熱酸化，熱窒化 ・・・側壁以外の部分にも同時に形成したもの
BG51 BG52 BG53 BG54 BG56 BG57 BG58 BG60
・・堆積 ・・・ＣＶＤ ・・エッチバック ・・側壁の除去 ・加熱方法に特徴（ＲＴＡなど） ・酸化速度の差の利用 ・エッチングレートの差の利用 ・その他＊
BH BH00
ソース・ドレイン領域及びＳＤ近傍領域 		BH01 BH02 BH03 BH04 BH05 BH06 BH07 BH08 BH09 BH10
・形状，配置 ・・平面形状 ・・・くし歯状 ・・・リング状 ・・断面形状 ・・・せり上げＳＤ ・・・せり下げＳＤ（エッチングしているもの） ・・コンタクト部との関連 ・・複数ドレイン ・・複数ソース
BH11 BH12 BH13 BH14 BH15 BH16 BH17 BH18 BH19
・不純物分布 ・・平面分布の形状，配置 ・・断面分布の形状，配置 ・・・追加領域（エクステンション領域を含む） ・・・・ＬＤＤ ・・・・ＧＤＤ ・・・・ＤＤＤ ・・・オフセットゲート ・・コンタクト部との関連
BH21 BH22 BH25 BH26 BH27 BH28 BH30
・不純物材料に特徴＊ ・・ｎ，ｐ型とならないもの＊ ・埋込みドレイン ・埋込みソース ・ソース，ドレイン材料＊ ・・多結晶 ・ソース・ドレイン領域の非対称性
BH31 BH32 BH33 BH34 BH35 BH36 BH38 BH39 BH40
・ＳＤ近傍領域（ＳＤ領域と同導電型は除く） ・・形状，配置（詳細はマニュアル参照） ・・・領域１（全体） ・・・領域２（下部） ・・・領域３（上部） ・・・領域４（角部） ・・・領域５（接触） ・・・領域６（非接触） ・・・領域７（離間）
BH41 BH42 BH43 BH45 BH47 BH49 BH50
・・・ＳＤ領域中に形成されているもの ・・不純物分布 ・・基板（ウエル）コンタクト領域 ・・ｎ，ｐ型以外の領域（絶縁膜，ｉ層など） ・ＳＤ領域以外の領域の非対称性 ・不純物濃度が規定されているもの ・空乏層が規定されているもの
BJ BJ00
ソース・ドレイン電極 		BJ01 BJ03 BJ04 BJ05 BJ06 BJ07 BJ08 BJ09 BJ10
・単層 ・最下層材料＊ ・・半導体＊ ・・金属＊ ・・・合金＊ ・・・高融点金属＊ ・・・金属シリサイド＊ ・・・・複数種からなる金属シリサイド＊ ・・・金属化合物（窒化物、酸化物）＊
BJ11 BJ13 BJ14 BJ15 BJ16 BJ17 BJ18 BJ19 BJ20
・２層以上＊ ・２層目より上層の材料＊ ・・半導体＊ ・・金属＊ ・・・合金＊ ・・・高融点金属＊ ・・・金属シリサイド＊ ・・・・複数種からなる金属シリサイド＊ ・・・金属化合物（窒化物，酸化物）＊
BJ21 BJ23 BJ25 BJ26 BJ27 BJ28 BJ29 BJ30
・結晶性，不純物に特徴 ・配線を兼ねるもの ・電極の形状，配置 ・コンタクト構造 ・・プラグを有するもの ・・コンタクトホールの形状，配置 ・・引出し電極を有するもの ・ショットキー電極
BK BK00
ソース・ドレイン領域，電極及びＳＤ近傍領域の製造 		BK01 BK02 BK03 BK05 BK06 BK07 BK08 BK09 BK10
・ＬＤＤ領域，エクステンション領域の形成 ・・内側（低不純物）領域→外側（高不純物）領域 ・・外側（高不純物）領域→内側（低不純物）領域 ・ダミーゲートをマスクにしてＳＤ領域の形成 ・マスク能力の不均一性の利用 ・拡散速度の差の利用 ・ソース・ドレイン領域形成前の処理＊ ・・エッチング＊ ・・イオン注入
BK11 BK12 BK13 BK14 BK15 BK16 BK17 BK18 BK19 BK20
・ソース・ドレイン領域の形成 ・・不純物の導入 ・・・イオン注入 ・・・・斜めイオン注入，回転イオン注入 ・・・固相拡散 ・・・・固相拡散源＊ ・・成長 ・・・選択成長 ・ソース・ドレイン領域形成後の処理 ・・熱処理
BK21 BK22 BK23 BK24 BK25 BK26 BK27 BK28 BK29 BK30
・・・活性化 ・・イオン注入 ・・エッチング ・ソース・ドレイン電極形成前の処理 ・・コンタクトホールの形成 ・・・エッチング ・・・・ＳＡＣ（セルフアラインコンタクト） ・ソース・ドレイン電極の形成 ・・ＰＶＤ ・・ＣＶＤ
BK31 BK32 BK33 BK34 BK35 BK37 BK38 BK39 BK40
・・・選択ＣＶＤ ・・イオン注入 ・・熱処理 ・・・シリサイド化 ・・・・雰囲気 ・ソース・ドレイン電極形成後の処理 ・・熱処理 ・・エッチング ・その他＊
CA CA00
配線 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA10
・配置，形状 ・多層＊ ・材料＊ ・・多結晶 ・・超電導材料 ・多層配線 ・配線－電極，電極－電極間の絶縁構造 ・・側壁による絶縁 ・ボンディングパッド
CB CB00
素子分離構造 		CB01 CB02 CB03 CB04 CB06 CB07 CB08 CB10
・フィールド絶縁膜 ・チャネルストッパ ・・不純物分布 ・溝掘り構造 ・電極による分離 ・ガードリング ・ウエル ・他の領域と素子分離領域との関係
CC CC00
層間膜，保護膜 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC07 CC08 CC09 CC10
・多層（下層より順番にＦＷ付与）＊ ・材料＊ ・・ＳｉＯ ・・・不純物含有 ・・・・ＰＳＧ ・・・・ＢＳＧ ・・・・ＢＰＳＧ ・・ＳｉＮ ・・ＳｉＯＮ ・・有機物
CC11 CC12 CC13 CC14 CC15 CC16 CC19 CC20
・製法＊ ・・ＣＶＤ ・・・プラズマＣＶＤ ・・・反応ガス＊ ・・・・有機系（ＴＥＯＳなど） ・・塗布 ・熱処理＊ ・・レジスト，ガラスの軟化
CD CD00
その他の領域，その他の素子構造及び製造 		CD01 CD02 CD04 CD05 CD06 CD08 CD09 CD10
・埋込み領域 ・・埋込み高濃度領域 ・ライフタイムを制御しているもの ・・結晶性の不完全性 ・内部ストレスの存在する領域 ・フィールドプレート（内部電界の緩和以外） ・・内部電界の緩和 ・製造方法＊
CE CE00
製造工程一般＊ 		CE01 CE02 CE03 CE05 CE06 CE07 CE08 CE10
・多孔質化 ・リフトオフ ・ゲッタリング ・平坦化 ・・エッチバック ・・ＣＭＰ ・・ＳＤ領域／ＳＤ電極とＧ電極上面の平坦化 ・同一真空処理
CE11 CE12 CE13 CE14 CE16 CE18 CE19 CE20
・露光 ・・位置合わせ ・・マスク工程 ・・・マスク材料 ・還元反応 ・局所的アニール ・マスク能力の不均一性の利用 ・側壁の形成（ゲート側壁は除く）
CF CF00
同時工程 		CF01 CF02 CF03 CF04 CF05 CF07 CF09
・配線とゲート電極 ・抵抗とゲート電極 ・多結晶と単結晶の同時成長 ・ＳＤ上とゲート電極上のシリサイド ・ＳＤ上とゲート電極上のプラグ ・ＳＤ拡散領域とゲート電極への拡散・注入 ・チャネルとパンチスルーストッパ
DA DA00
保護 		DA01 DA03 DA04 DA05 DA06 DA08 DA10
・保護素子の配置・レイアウト ・ウエルによる分離 ・ソース－ドレイン一体化抵抗 ・ソース－ドレインでパンチスルー ・基板との間でブレークダウン ・保護を素子で行うもの→観点ＡＢ以降へ ・センサー，温度，電流検知
DB DB00
シミュレーション 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB07 DB08 DB10
・計算方法＊ ・・メッシュ ・・モンテカルロ法 ・パラメータ＊ ・・不純物 ・実測値による補正を行うもの ・しきい値に関するもの ・プロセスシミュレーション＊ ・その他＊
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