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5F057 | 半導体の機械的処理 | デバイスプロセス |
H01L21/304 -21/304,631;21/463 |
H01L21/304-21/304,631;21/463 | AA | AA00 課題* |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA09 | |
・精度向上 | ・・形状精度向上(厚み,反り,ダレ等) | ・・表面精度向上(粗さ,平坦度,ヘイズ等) | ・ダメージ低減 | ・・外観異常改善(割れ,欠け) | ・・歪,結晶ダメージ,変質層防止 | ・・膜損傷,剥離防止 | ・・腐食防止 | ・・・ディッシング,エロージョン等低減 | ||||
AA11 | AA12 | AA13 | AA14 | AA16 | AA17 | AA19 | AA20 | |||||
・工程改良 | ・・工程効率化,安定化 | ・・・工程数削減 | ・・・処理時間短縮(個別処理時間) | ・・加工量の面内均一性向上 | ・・・加工選択比改善 | ・・検査,評価,計測方法の改良 | ・・・検知方法の改良(モニタリング方法) | |||||
AA21 | AA23 | AA24 | AA25 | AA27 | AA28 | AA29 | ||||||
・清浄化,汚染防止 | ・工具改良 | ・・研磨布改良 | ・・・研磨布寿命向上 | ・処理液改良 | ・・加工液改良 | ・・・保存安定性 | ||||||
AA31 | AA32 | AA33 | AA34 | AA35 | AA36 | AA37 | AA39 | |||||
・設備,部材改良(除,安全対策) | ・・構成,配置 | ・・・小型,省スペース化 | ・・高スループット化(AA14検討要) | ・・操作性 | ・・稼働率 | ・・信頼性,耐久性,メンテナンス性 | ・熱,湿度対策 | |||||
AA41 | AA42 | AA43 | AA44 | AA45 | AA47 | AA48 | AA49 | |||||
・コストダウン | ・・原材料費削減(AA48検討要) | ・・・再生,再利用 | ・・ランニングコスト削減 | ・・ハードウエアコスト削減 | ・環境負荷低減 | ・・省資源,省エネ(AA42検討要) | ・・廃液処理 | |||||
AA51 | AA52 | AA53 | ||||||||||
・安全,異常対策 | ・・危険防止 | ・・異常防止 | ||||||||||
BA | BA00 ワークの種類,形態* |
BA01 | BA02 | |||||||||
・インゴット | ・・非円柱インゴット | |||||||||||
BA11 | BA12 | BA13 | BA15 | BA16 | BA17 | BA18 | BA19 | BA20 | ||||
・ウエハ | ・・ベアウエハ | ・・・非円形ウエハ | ・・表層膜を持つもの | ・・・エピ膜を持つもの | ・・・・SOSウエハ | ・・・絶縁膜,ストッパ膜を持つもの | ・・貼り合わせウエハ,積層ウエハ | ・・・SOIウエハ | ||||
BA21 | BA22 | BA24 | BA26 | BA28 | BA30 | |||||||
・・内部配線を持つもの | ・・・埋め込み配線(ダマシン) | ・・素子分離構造(STI) | ・・外部配線,凸部を持つもの(CSP等) | ・・評価用ウエハ(TEG,ダミーウエハ) | ・その他のワークの種類,形態 | |||||||
BB | BB00 被加工材料* |
BB01 | BB02 | BB03 | BB05 | BB06 | BB07 | BB08 | BB09 | |||
・基板材料*(インゴット含む) | ・・元素半導体* | ・・・シリコン(バルク状態) | ・・化合物半導体* | ・・・Ga系 | ・・・・GaAs | ・・・In系(Gaを含むものはBB06) | ・・・炭化ケイ素 | |||||
BB11 | BB12 | BB14 | BB15 | BB16 | BB17 | BB18 | BB19 | |||||
・・絶縁体基板* | ・・・サファイア | ・表層材料* | ・・シリコン膜 | ・・酸化シリコン膜 | ・・化合物半導体膜 | ・・・GaN膜 | ・・窒化ケイ素膜 | |||||
BB21 | BB22 | BB23 | BB24 | BB25 | BB26 | BB27 | BB28 | BB29 | ||||
・配線層材料* | ・・金属* | ・・・銅系 | ・・・アルミ系 | ・・・タングステン系 | ・・・貴金属(Pt,Pd,Ru,Ag等)* | ・・・・金(Au) | ・・シリコン系 | ・・・a-Si,p-Si | ||||
BB31 | BB32 | BB33 | BB34 | BB36 | BB37 | BB38 | BB40 | |||||
・バリア層材料* | ・・タンタル系 | ・・チタン系 | ・・タングステン系 | ・絶縁層材料* | ・・酸化物系 | ・・低誘電率材料 | ・その他の被加工材料* | |||||
BC | BC00 適用対象* |
BC01 | BC02 | BC03 | BC05 | BC06 | BC07 | BC09 | BC10 | |||
・集積回路* | ・・メモリー* | ・・撮像デバイス | ・個別半導体素子* | ・・発光デバイス | ・・・半導体レーザ | ・その他のデバイス* | ・・MEMS | |||||
CA | CA00 製造工程* |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA05 | CA06 | CA07 | CA09 | |||
・インゴット加工* | ・・スライシング | ・インゴット加工の前処理 | ・・受台,又はその取り付け | ・・結晶方向出し | ・インゴット加工の後処理 | ・・受台取り外し | ・ベベル,面取り,メサ加工 | |||||
CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | CA18 | CA19 | |||||
・ウエハ片面加工 | ・・素子面側のみ加工 | ・・背面側のみ加工 | ・・・薄化加工 | ・・面内内周部加工(リング状補強部形成) | ・・面内周辺部加工(周辺部研磨,外周切断) | ・ウエハ両面加工 | ・・両面同時加工 | |||||
CA21 | CA22 | CA24 | CA25 | CA27 | CA29 | |||||||
・ウエハ端縁仕上げ加工 | ・・OF,IF,ノッチ部加工 | ・ウエハ研磨の前処理 | ・ウエハ研磨の後処理 | ・検査,評価工程 | ・ウエハ再生処理 | |||||||
CA31 | CA32 | CA34 | CA36 | CA38 | CA40 | |||||||
・チップ化工程 | ・・先ダイシング | ・チップ化後の素子処理工程 | ・研磨,研削を含む一連の工程 | ・実装,組立工程 | ・その他の製造工程* | |||||||
DA | DA00 加工/処理方法,手段* |
DA01 | DA02 | DA03 | DA04 | DA05 | DA06 | DA07 | DA08 | DA09 | DA10 | |
・研磨 | ・・研磨布を用いるもの(固定砥粒含む) | ・・・CMP | ・・・ECMP,EMP | ・・ラッピング | ・・テープ,ベルト研磨 | ・・ブラシ研磨 | ・・多段研磨 | ・・・同一定盤上で実施するもの | ・・ワークより小さい研磨工具によるもの | |||
DA11 | DA12 | DA13 | DA14 | DA15 | DA16 | DA17 | DA18 | DA19 | DA20 | |||
・・研削 | ・・・電解研削 | ・・他の加工手段を併用するもの | ・切削 | ・ワイヤ,往復動刃加工 | ・内周刃加工 | ・外周刃加工(回転ブレード) | ・スクライビング | ・クラッキング,分離 | ・・劈開 | |||
DA21 | DA22 | DA23 | DA24 | DA26 | DA28 | DA29 | ||||||
・光照射処理(電子線,放射線処理等含む) | ・・レーザによるもの | ・噴射加工 | ・・サンドブラスト | ・超音波処理(加工液の処理はGA07) | ・エッチング | ・・ウエットエッチング | ||||||
DA31 | DA32 | DA33 | DA34 | DA35 | DA36 | DA37 | DA38 | DA39 | DA40 | |||
・改質* | ・・ドーピング | ・・・イオン注入 | ・・陽極酸化 | ・熱処理 | ・・結晶品位向上のためのもの | ・・熱処理雰囲気に特徴があるもの | ・洗浄処理(FA36~37の検討要) | ・・スクラブ洗浄(水研磨含む) | ・その他の加工,処理 | |||
EA | EA00 加工液*(EA15~18,EA31~33を除いて,原則クレーム記載のものが付与対象) |
EA01 | EA02 | EA03 | EA05 | EA06 | EA07 | EA08 | EA09 | EA10 | ||
・砥粒を必須成分とするもの | ・砥粒を含有しないもの | ・・砥粒を入れても良いもの | ・砥粒の種類* | ・・無機粒子 | ・・・シリカ | ・・・アルミナ | ・・・セリア | ・・有機粒子 | ||||
EA11 | EA12 | EA13 | EA15 | EA16 | EA17 | EA18 | ||||||
・・複合粒子 | ・・混合粒子 | ・・磁性粒子 | ・砥粒の形状,寸法 | ・・一次粒径規定 | ・・二次粒径規定 | ・・砥粒形状に特徴 | ||||||
EA21 | EA22 | EA23 | EA24 | EA25 | EA26 | EA27 | EA28 | EA29 | EA30 | |||
・砥粒以外の成分(必須成分)* | ・・酸化剤 | ・・錯生成剤(キレート化剤) | ・・金属溶解剤(エッチング剤) | ・・防食剤(保護膜,不働態膜形成剤) | ・・pH調整剤(緩衝剤) | ・・界面活性剤 | ・・分散剤 | ・・溶媒 | ・・・アルコール | |||
EA31 | EA32 | EA33 | EA35 | EA37 | EA38 | EA40 | ||||||
・pH範囲 | ・・酸性域のみで使用 | ・・アルカリ性域のみで使用 | ・不純物濃度を規定したもの | ・希釈又は混合して用いるもの | ・・研磨液キット | ・加工液の評価方法,選定方法等に特徴 | ||||||
EB | EB00 工具* |
EB01 | EB02 | EB03 | EB04 | EB05 | EB06 | EB07 | EB08 | EB09 | EB10 | |
・研磨布* | ・・材質に特徴(クレーム記載が原則) | ・・・有機重合体をベースとするもの | ・・・不織布をベースとするもの | ・・構造,形状に特徴 | ・・・積層構造 | ・・・発泡構造 | ・・・表面溝に特徴 | ・・・粒子を含むもの | ・・・・砥粒を含有するもの | |||
EB11 | EB12 | EB13 | EB15 | EB16 | EB17 | EB18 | EB19 | EB20 | ||||
・・・開口,透光部を有するもの | ・・・・透光部材質,特性に特徴 | ・・特性に特徴(EB12優先) | ・砥石* | ・・砥粒材質に特徴 | ・・・砥粒粒度を規定したもの | ・・結合材に特徴 | ・・特性に特徴 | ・・構造,形状に特徴 | ||||
EB21 | EB22 | EB23 | EB24 | EB26 | EB27 | EB30 | ||||||
・ラップ定盤 | ・研磨テープ | ・研磨ベルト | ・ワイヤ工具 | ・その他の工具* | ・・ドレッシング用工具 | ・工具の製造方法,評価方法等に特徴 | ||||||
EC | EC00 補助材料* |
EC01 | EC02 | EC03 | EC04 | EC05 | EC06 | EC07 | EC08 | EC09 | EC10 | |
・ワーク保持材料(クレーム記載が原則) | ・・接着剤(基材無し) | ・・・材質に特徴 | ・・・特性に特徴 | ・・接着シート(基材有り) | ・・・基材(中間層)材質,特性に特徴 | ・・・接着層材質,特性に特徴 | ・・・シート全体としての特性に特徴 | ・・・シート構造,層構成等に特徴 | ・・保持板,保持治具材料(キャリア材質等) | |||
EC11 | EC12 | EC13 | EC14 | EC15 | EC16 | EC17 | EC18 | EC19 | EC20 | |||
・表面保護材料(クレーム記載が原則) | ・・溶融,昇華性材料(基材無し) | ・・・材質に特徴 | ・・・特性に特徴 | ・・粘着シート(基材有り) | ・・・基材(中間層)材質,特性に特徴 | ・・・接着層材質,特性に特徴 | ・・・シート全体としての特性に特徴 | ・・・シート構造,層構成等に特徴 | ・・保護板,保護治具材料 | |||
EC21 | EC23 | EC24 | EC25 | EC26 | EC27 | EC29 | EC30 | |||||
・ワーク固定用以外の接着材料 | ・装置構成材料 | ・・加工ヘッド構成材料 | ・・・リテーナリング材料 | ・・プラテン材料 | ・・汚染防止,防錆,摩耗防止皮膜等 | ・その他の補助材料 | ・・洗浄液 | |||||
FA | FA00 周辺技術,関連装置* |
FA01 | FA02 | |||||||||
・加工システム構造,構成に特徴 | ・・構成要素の配置に特徴 | |||||||||||
FA11 | FA12 | FA13 | FA14 | FA15 | FA16 | FA17 | FA18 | FA19 | FA20 | |||
・保持* | ・・ワーク保持(インゴット用含む) | ・・・吸着によるもの | ・・・・水貼り(バッキング材使用等) | ・・・接着によるもの | ・・・・粘着シートによるもの | ・・・側面挟持するもの(キャリア構造等) | ・・・基板押圧調整 | ・・・・圧力付与構造に特徴 | ・・・リテーナリング | |||
FA21 | FA22 | FA23 | FA24 | FA25 | FA27 | FA28 | FA30 | |||||
・・・・上下可動構造に特徴 | ・・・支持プレートを介在するもの | ・・・スペーサ,ダミー材を用いるもの | ・・工具保持 | ・・・研磨布の保持に特徴 | ・保護* | ・・ワーク保護(材料EC11~20) | ・貼着,剥離 | |||||
FA31 | FA32 | FA33 | FA34 | FA35 | FA36 | FA37 | FA39 | |||||
・ワーク搬送 | ・・加工装置への搬出入,着脱(FA34優先) | ・・ワークアライメント | ・・カセットへの搬出入,又はカセット構造 | ・・特殊環境下での搬送,保管(水中保管等) | ・洗浄機構(乾燥含む) | ・・ワーク洗浄機構 | ・工具コンディショニング,ドレッシング機構 | |||||
FA41 | FA42 | FA43 | FA44 | FA45 | FA46 | FA48 | FA50 | |||||
・液供給,回収 | ・・加工点への加工液供給機構(方法GA07) | ・・加工液循環,廃液処理 | ・・・加工液再生処理 | ・・加工液以外の液処理 | ・観察,認識機構(終点検知用は除く) | ・設備環境と雰囲気管理(熱処理DA37) | ・その他の周辺技術,関連装置* | |||||
GA | GA00 制御* |
GA01 | GA02 | GA03 | GA04 | GA05 | GA06 | GA07 | GA08 | GA09 | GA10 | |
・加工条件制御* | ・・圧力,荷重制御 | ・・速度,回転数制御 | ・・温湿度制御(加工液用GA07) | ・・・冷却 | ・・時間制御 | ・・加工液供給制御(量,温度,超音波等) | ・・研磨トルク制御 | ・・表裏で処理条件が異なるもの | ・・・表裏で異なる研磨布を使用するもの | |||
GA11 | GA12 | GA13 | GA15 | GA16 | GA17 | |||||||
・加工状態監視 | ・・加工の終点検知を行うもの | ・・加工状態の監視位置に特徴 | ・加工条件設定方法に特徴 | ・・取得済みデータに基づくもの | ・・シミュレーションを利用するもの | |||||||
GA21 | GA22 | GA23 | GA24 | GA25 | GA27 | GA28 | GA29 | GA30 | ||||
・加工面凹凸を補正しておくもの | ・・凹部に膜を形成するもの | ・・凸部を部分的に除去しておくもの | ・・パターンレイアウト設計による補正 | ・・・ダミーパターンを配置するもの | ・装置の運転制御(ドレッシングGA28) | ・ドレッシングの制御 | ・・研磨布のドレッシング制御 | ・その他の制御* | ||||
GB | GB00 検知,計測* |
GB01 | GB02 | GB03 | GB04 | GB05 | GB06 | GB07 | ||||
・検知方法*(GB11以降の検討要) | ・・光学的検知 | ・・電気的検知 | ・・負荷検知 | ・・・駆動電流,電圧検知 | ・・化学的検知 | ・・熱的検知 | ||||||
GB11 | GB12 | GB13 | GB14 | GB15 | GB16 | GB17 | GB18 | GB19 | GB20 | |||
・計測量* | ・・寸法,形状 | ・・・厚さ(膜厚) | ・・・反り | ・・表面精度* | ・・・粗さ,平坦度 | ・・表面状態* | ・・・欠陥数 | ・・・輝度,光沢度(透過率含む) | ・・光強度,スペクトル,吸光度等 | |||
GB21 | GB22 | GB23 | GB24 | GB25 | GB26 | GB27 | GB28 | GB30 | ||||
・・速度,回転数 | ・・振動(音響振動はGB34) | ・・・加速度 | ・・圧力,荷重 | ・・トルク | ・・摩擦力(摩擦係数) | ・・張力 | ・・摩耗量(ワーク以外) | ・・距離,角度 | ||||
GB31 | GB32 | GB34 | GB35 | GB37 | GB38 | GB39 | GB40 | |||||
・・変位,位置 | ・・体積,重量 | ・・音,AE(弾性波含む) | ・・結晶性,歪 | ・・化学量 | ・・・濃度 | ・・・試薬等の発色 | ・・温湿度,熱量(赤外線放射量) |