Fタームリスト

H01L31/00-31/02@Z;31/08-31/08@Z;31/10-31/10@Z;31/18;H10K30/60-30/65;39/30

AA00
受光素子、放射線検出素子の種類

AA01

AA02

AA03

AA04

AA05

AA06

AA07

AA08

AA09

・フォトダイオード（ＰＤ）

・・ＰＮ接合型

・・ＰＮヘテロ接合型

・・ＰＩＮ接合型

・・ショットキー障壁型

・・・ＭＳＭショットキー障壁型

・・アバランシェ―フォトダイオード（ＡＰＤ）

・・・吸収／増倍分離型ＡＰＤ

・・・超格子ＡＰＤ

AA11

AA12

AA13

AA14

AA15

AA17

AA18

AA20

・フォトトランジスタ（ＰＴ）

・・バイポーラ型

・・・ヘテロ接合型

・・電界効果型（ＦＥＴ）

・・・ＭＩＳ（ＭＯＳ）型ＦＥＴ

・フォトコンダクタ（光導電型）

・・Ｐ型

・その他の型の素子

AB00
素子本体材料（基板，電極等はＦＡ～ＨＡ）

AB01

AB02

AB03

AB04

AB05

AB07

AB09

・材料

・・ＩＶ族

・・・単結晶、多結晶

・・・微結晶

・・・アモルファス

・・ＩＩＩ－Ｖ族

・・ＩＩ－ＶＩ族（ＨｇＣｄＴｅ等）

AB11

AB12

AB13

AB14

AB16

AB17

AB19

・・有機材料

・・・アゾ染料

・・・フタロシアニン化合物

・・・ヒドラゾン化合物

・ドーパント材料

・・導電型決定用

・バインダ材料（素子本体用のみ）

BA00
目的、効果

BA01

BA02

BA03

BA04

BA05

BA06

BA07

BA08

BA09

BA10

・感度向上（量子効率向上）

・・表面反射の減少、防止

・レスポンス向上（周波数特性向上）

・Ｓ／Ｎ比向上

・暗電流の減少

・ダイナミックレンジ「拡大」（高コントラスト比）

・エネルギー分解能向上（放射線、粒子線）

・エッジブレイクダウン防止

・分光特性の改善

・性能安定化（特性変動防止）

BA11

BA12

BA13

BA14

BA15

BA16

BA17

BA18

・バンドギャップの制御

・不純物濃度の制御

・格子定数の制御

・電気抵抗の低減

・容量の低減

・容量の増加

・誤動作防止、外乱対策

・生産性向上、低コスト化

BA21

BA23

BA25

BA26

BA28

BA30

・耐環境特性の向上（熱、水、塵、振動等）

・長寿命化

・小型化、軽量化

・設置、固定に関するもの

・製造工程に関するもの（歩留まり向上等）

・その他の目的、効果

BB00
用途

BB01

BB02

BB03

BB05

BB06

BB07

BB08

BB09

BB10

・光通信用

・ラインセンサ用

・イメージセンサ用

・撮像管用ターゲット

・太陽電池用

・計測用

・医療用

・電子写真用光導電体

・光ピックアップ用

BB11

BB20

・リモコン用

・その他の用途

CA00
アモルファス（微結晶も含む）製造法、工程

CA01

CA02

CA04

CA05

CA07

CA08

CA09

CA10

・化学的蒸着法（ＣＶＤ）

・・プラズマＣＶＤ法（グロー放電法）

・物理的蒸着法（ＰＶＤ）

・・真空蒸着法

・製造装置

・・成膜室構造

・付加的工程（ドーピング、熱処理など）

・その他、アモルファス製造に関するもの

CB00
アモルファス以外の製造法、工程

CB01

CB02

CB03

CB04

CB05

CB06

CB07

CB08

CB09

CB10

・結晶成長

・・液相エピタキシャル法（ＬＰＥ）

・・気相エピタキシャル法（ＶＰＥ）

・・・ＭＯＣＶＤ法

・薄膜技術（ＣＢ０１～０４が優先）

・・真空蒸着法

・・スパッタ法

・ドーピング

・・熱拡散

・・イオン注入

CB11

CB12

CB14

CB15

CB17

CB18

CB20

・熱処理

・・光アニール

・エッチング

・電極形成法

・素子分割（ダイシング、スクライブ）

・製造条件に特徴（温度、圧力、時間など）

・その他、本項に関する事項

DA00
素子構造一般（型別はＡＡ、細部はＦＡ等）

DA01

DA02

DA03

DA04

DA05

DA06

・フォトダイオードの構造に関するもの

・・メサ型

・・基板型（バルク型）

・・リーチスルー型

・・裏面入射型

・・導波路型

DA11

DA12

DA16

・フォトトランジスタの構造に関するもの

・・ベース無端子型

・フォトコンダクタの構造に関するもの

DA21

DA22

DA23

DA24

DA25

DA26

DA27

DA28

DA29

DA30

・素子本体の構成要素

・・ガードリング

・・・ガードリングの構造

・・チャネルストッパ

・・埋込み層

・・窓（ウインドウ）層

・・結合層（層－層間、基板－層間を含む）

・・・バッファ層（格子定数整合用など）

・・・・グレーデッドバッファ層

・・・ブロック層

DA31

DA32

DA33

DA34

DA35

DA36

DA39

・・バンド構造

・・・量子構造

・・・・量子ドット

・・・・量子ワイヤーまたはナノロッド

・・・・超格子，多重量子井戸

・・・グレーデッド

・・フォトニック結晶

DA41

DA44

DA50

・積層型（タンデム型）

・素子の形状に特徴（表面形状含）

・その他、本項に関する事項

EA00
モジュール化

EA01

EA02

EA03

EA04

EA05

EA06

EA07

・同種複数素子

・・アレイ

・・・一次元（ラインセンサ）

・・・二次元（固体撮像素子など）

・・・素子間分離

・・・・ＰＮ分離

・・・・絶縁分離

EA11

EA12

EA13

EA14

EA16

EA18

EA20

・異種複合素子

・・増幅用素子との複合

・・スイッチング素子との複合

・・発光素子との複合

・素子の配置

・素子間の電気的接続

・その他モジュール化に関する事項

FA00
電極（端子はＪＡ）

FA01

FA02

FA03

FA04

FA05

FA06

FA07

・材料

・・透明電極

・・・ＳｎＯ２

・・・ＩＴＯ

・・金属電極

・・有機材料

・・ペースト部材

FA11

FA12

FA13

FA15

FA16

FA17

FA18

FA20

・構造

・・平面形状、配置

・・多層構造

・機能

・・反射膜兼用

・・マウント用

・・遮光膜兼用

・その他、電極に関する事項

GA00
基板（その上に素子本体が形成されるもの）

GA01

GA02

GA03

GA04

GA05

GA06

GA07

・材料（ＡＢが優先）

・・絶縁性基板（ガラス等）

・・半導体基板

・・・ＩＶ族

・・・・ＳＯＩ基板

・・・ＩＩＩ－Ｖ族

・・・ヘテロ接合を目的としたもの

GA11

GA12

GA13

GA17

GA20

・構造

・・表面形状

・・多層構造

・面方位

・その他、基板に関する事項

HA00
その他の素子構成要素

HA01

HA02

HA03

HA04

HA05

HA06

HA07

HA09

HA10

・反射防止膜

・・材料

・・・無機材料

・・構造

・フィルタ膜（波長変換等を含む）

・・材料

・・構造

・反射膜（電極は除く）

・遮光膜、放射線遮へい膜（電極は除く）

HA11

HA12

HA13

HA15

HA17

HA20

・表面保護膜

・・材料

・・・ＳｉＯ２

・プラズモン共鳴（ＨＡ内でＨＡ１５を優先）

・シンチレータ（素子と別体はＪＡ１８）

・その他、本項に関する事項

JA00
ケース、実装

JA01

JA02

JA03

JA05

JA06

JA07

JA08

JA09

JA10

・素子のマウント

・・端子、リードフレーム上

・・基台上

・ケース、基台、パッケージ

・・モールディング型

・・キャン封止

・ボンディング

・・ワイヤボンディング

・・フリップチップボンディング

JA11

JA12

JA13

JA14

JA17

JA18

JA19

JA20

・光学部材との結合

・・レンズ

・・光学フィルタ

・・ライトガイド（光ファイバ等）

・放射線遮へい板

・シンチレータ板

・端子、リードフレーム

・その他、ケース、実装に関する事項

KA00
周辺回路

KA01

KA02

KA04

KA05

KA06

KA07

・複数の受光素子を対象とするもの

・バイアス光を照射するもの

・回路の機能

・・利得制御

・・温度補償

・・高速応答

KA11

KA12

KA13

KA14

KA15

KA16

KA17

KA20

・バイアス回路

・・電流電圧変換部

・・増幅部

・・スイッチング部

・帰還のための検出回路

・・受光素子の出力電流電圧検出

・・温度検出

・その他周辺回路に関する事項（読出回路等）

LA00
受光波長帯域、検出対象

LA01

LA02

LA03

LA04

LA06

LA07

LA08

LA09

・赤外光

・可視光

・紫外光

・テラヘルツ帯

・放射線

・・Ｘ線

・受光波長可変

・広帯域受光（多色受光を含む）

H10K30/60-30/65;39/30

XA00
有機光電変換素子

XA01

・赤外，可視，短波長，粒子線の感応装置

XA31

XA32

XA33

・材料の選択

・・有機半導体材料に特徴

・・・高分子化合物に特徴

XA43

・・・低分子化合物に特徴

XA51

XA52

XA53

XA54

XA55

XA56

・・装置の特定部位又は要素材料に特徴

・・・添加剤に特徴

・・・光電変換層材料の組み合わせに特徴

・・・電子輸送層用材料に特徴

・・・正孔輸送層用材料に特徴

・・・電極用材料

XA61

・製造，処理のための方法または装置に特徴

H01L31/00-31/02@Z;31/08-31/08@Z;31/10-31/10@Z;31/18

XB00
無機光電変換素子

XB01

XB02

XB03

XB04

XB05

XB06

XB07

XB08

・細部

・・容器，封緘

・・被覆

・・電極

・・装置と結合した光学素子または光学装置

・・特別の表面構造

・・冷却，加熱，換気または温度補償装置

・・支持基板に特徴

XB11

XB12

XB13

XB14

XB15

XB16

XB17

XB18

XB19

XB20

・半導体本体に特徴

・・材料に特徴

・・・無機物材料

・・・・セレンまたはテルル

・・・・周期表の第ＩＶ族の元素のみを含むもの

・・・・・ドーピング材料に特徴

・・・・ＩＩ－ＶＩ化合物のみを含むもの

・・・・ＩＩＩ－Ｖ化合物のみを含むもの

・・・・ＩＶ－ＩＶ化合物のみを含むもの

・・・・その他の化合物のみを含むもの

XB21

XB22

XB24

XB25

XB26

XB27

XB28

・・・・ＸＢ１４からＸＢ２０の２以上を含むもの

・・・・・異なる半導体領域におけるもの

・・半導体形状または半導体領域の形状等に特徴

・・結晶構造または結晶面の方向に特徴

・・・多結晶の半導体（ＸＢ０８優先）

・・・アモルファス半導体（ＸＢ０８優先）

・・・他の非単結晶材料（ＸＢ０８優先）

XB31

XB32

XB33

XB34

XB35

XB36

XB37

XB38

XB39

XB40

・輻射線が装置内を流れる電流を制御

・・赤外，可視，紫外に感応（ＸＢ３４優先）

・・少なくとも１つの電位障壁に特徴

・・・赤外，可視または紫外に感応

・・・・唯一の電位障壁に特徴

・・・・・電位障壁がＰＮホモ接合型

・・・・・電位障壁がＰＩＮ型

・・・・・電位障壁がアバランシェモードで作用

・・・・・電位障壁がショットキー型

・・・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合型

XB41

XB42

XB43

XB44

XB45

XB46

XB47

XB48

・・・・２つの電位障壁に特徴

・・・・少なくとも３つの電位障壁に特徴

・・・・電界効果作用に特徴

・・・・・導体－絶縁体－半導体型

・・・超短波に感応する装置

・・・・バルク効果放射検知器型

・・・・表面障壁または薄いＰＮ接合検知器型

・・・・電界効果作用に特徴

XB51

・製造または処理の方法または装置

5F149	受光素子	光デバイス
	H10F30/00 -30/298;39/90;77/00;99/00;H10K30/60-30/65;39/30