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Fタームリスト

リスト再作成旧５Ｆ００３（Ｒ６）
5F203 バイポーラトランジスタ 電子デバイス　　　　
H10D10/00 -10/80;48/32-48/34
H10D10/00-10/80;48/32-48/34 AP AP00
目的 		AP01 AP02 AP03 AP04 AP05 AP06 AP07 AP08 AP09 AP10
・電流集中防止 ・短絡防止 ・断線，段切防止 ・誤動作，寄生効果，表面リークの防止 ・容量低減 ・二次降伏電圧，安全動作領域改善 ・雑音特性改善 ・温度特性改善 ・機械的強度改善 ・耐湿性改善
AZ AZ00
半導体本体 		AZ01 AZ03 AZ05 AZ07 AZ08 AZ09 AZ10
・結晶軸，面方位 ・薄膜トランジスタ，ＳＯＳ，ＳＯＩ ・合金 ・ウエハ関係，ウエハ処理 ・・モニタ素子 ・・測定，検査 ・・特性の変更・修正，マスタースライス
BA BA00
素子構造 		BA01 BA02 BA03 BA06 BA07 BA08 BA09
・空乏層制御構造 ・・メサ，ベベル ・・ガードリング，チャンネルストッパー ・ライフタイム制御 ・・キラー ・・ゲッター ・・結晶の非完全性
BA11 BA12 BA13 BA14
・表面保護膜，パッシベーション ・・リンガラス，ＰＳＧ膜 ・・窒化膜 ・・多結晶
BA31 BA32 BA33 BA34 BA35 BA36 BA37 BA38 BA39
・集積回路用 ・・配置 ・・素子分離 ・・・分離平面パターン ・・・分離断面形状 ・・・酸化物分離 ・・・・ＬＯＣＯＳ ・・・溝 ・・表面凹凸構造
BB BB00
ベース 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・不純物濃度分布 ・付加領域（ＰＮ接合，絶縁物，溝，キラー） ・金属ベース ・バンドギャップ ・ベース抵抗 ・・グラフトベース ・多結晶 ・リード引出し，埋込層（ラテラルの場合） ・マルチベース ・形状
BC BC00
コレクタ 		BC01 BC02 BC04 BC05 BC07 BC08 BC09 BC10
・不純物濃度分布 ・付加領域（ＰＮ接合，絶縁物，溝，キラー） ・バンドキャップ ・コレクタ抵抗 ・多結晶 ・リード引出し，埋込層 ・マルチコレクタ ・形状
BE BE00
エミッタ 		BE01 BE02 BE04 BE05 BE07 BE08 BE09 BE10
・不純物濃度分布 ・付加領域（ＰＮ接合，絶縁物，溝，キラー） ・バンドギャップ ・安定化抵抗 ・多結晶 ・リード引出し ・マルチエミッタ ・形状，段付エミッタ，エミッタメサ
BF BF00
エミッタ・ベース接合 		BF01 BF02 BF03 BF05 BF06 BF07 BF08 BF09 BF10
・ＪＥ平面パターン ・・分割，格子状，くし歯状，リング ・ＪＥ断面形状 ・ＪＥ接合に特徴のあるもの ・・ヘテロＪＥ ・・ショットキＪＥ ・・トンネルＪＥ ・ウォールドエミッタ ・・エミッタ・ベース領域分離
BG BG00
ベース・コレクタ接合 		BG01 BG03 BG05 BG06 BG07 BG08 BG10
・Ｊｃ平面パターン ・Ｊｃ断面形状 ・Ｊｃ接合に特徴のあるもの ・・ヘテロＪｃ ・・ショットキＪｃ ・・トンネルＪｃ ・ベース・コレクタ領域分離
BH BH00
電極，配線 		BH01 BH02 BH03 BH04 BH05 BH06 BH07 BH08 BH09 BH10
・電極平面パターン ・・くし歯状電極 ・層間絶縁 ・・多層オーバーレイ ・電極材料に特徴のあるもの ・・多結晶（ＢＢ，ＢＣ，ＢＥを優先） ・・金属シリサイド ・・多層構造 ・・高融点金属 ・フィールドプレート
BH11 BH12 BH13 BH14 BH16 BH18
・特殊電極 ・・ＭＯＳ電極 ・・短絡電極 ・・圧接電極，圧着電極 ・ボンディングパッド，リード ・断面形状
BJ BJ00
複合 		BJ01 BJ02 BJ03 BJ04 BJ05 BJ06 BJ08 BJ09 BJ10
・バイポーラトランジスタの組合せ ・・ダーリントントランジスタ ・・ＰＮＰ相補 ・・ツイントランジスタ ・・互いに特性を異ならせたもの ・・並列接続 ・回路 ・・応用回路 ・・・保護回路（ＢＪ２１－３０を優先）
BJ21 BJ22 BJ23 BJ24 BJ25 BJ26 BJ27 BJ28 BJ29 BJ30
・他素子との組合せ ・・ダイオード ・・・ショットキー ・・・コレクタランプ ・・ＭＯＳＦＥＴ ・・・ＩＧＢＴ ・・ＪＦＥＴ ・・ＳＣＲ ・・受動素子（具体的構造のないものはＢＪ０８－１０） ・・・抵抗
BM BM00
構成材料 		BM01 BM02 BM03 BM04 BM06 BM07 BM08 BM10
・４族 ・３－５族 ・・三元以上 ・２－６族 ・非単結晶，マイクロクリスタル ・・非晶質，アモルファス ・多孔質 ・有機材料
BN BN00
動作 		BN01 BN02 BN03 BN04 BN06 BN07 BN08 BN09
・ラテラルトランジスタ ・逆トランジスタ ・ＩＩＬ，ＳＩＴＬ ・双方向トランジスタ ・ホットエレクトロントランジスタ ・トンネルトランジスタ ・パンチスルートランジスタ ・超格子素子
BP BP00
製法 		BP01 BP02 BP03 BP04 BP05 BP06 BP07 BP08 BP09 BP10
・拡散 ・・同一開口部を用いる二重拡散 ・・複数の物質による同時拡散 ・・複数の領域を同時に形成する拡散 ・・拡散源に特徴のあるもの ・・・多結晶 ・・・酸化膜 ・・ドーピング物質に特徴のあるもの ・・外方拡散，アウトディフュージョン ・・不均一なマスク能力を利用するもの
BP11 BP12 BP13 BP14 BP15 BP16 BP17
・エッチング ・・イオンエッチング，プラズマエッチング ・・異方性エッチング ・・多工程のエッチング方法に特徴のあるもの ・・・リフトオフ ・・・エッチングレートの差を利用するもの ・・・酸化後のエッチング
BP21 BP22 BP23 BP24 BP25 BP26
・イオン注入 ・・斜方向 ・・ドーピング物質に特徴のあるもの ・・同一開口部を用いる二重イオン注入 ・・不均一なマスク能力を利用するもの ・中性子，電子線照射
BP31 BP32 BP33 BP34 BP36
・エピタキシャル ・・分子線エピタキシャル ・・選択エピタキシャル ・・多結晶，単結晶同時成長 ・接着
BP41 BP42 BP43 BP44 BP46 BP47 BP48 BP49
・熱処理，アニール ・・非酸化性雰囲気中 ・・局部的アニール（レーザー，電子線） ・・単結晶化 ・酸化 ・・陽極酸化 ・・選択酸化 ・・・多孔質の酸化
BS BS00
セルフアライン 		BS01 BS02 BS03 BS04 BS05 BS06 BS07 BS08 BS09
・永久マスク ・反転（リバース）マスク ・同時開孔 ・サイドエッチ ・窒化膜利用 ・多結晶利用 ・レジスト ・電極利用 ・・ウォッシュドエミッタ
BZ BZ00
その他の素子（バイポーラを含まない場合） 		BZ01 BZ02 BZ03 BZ04 BZ05
・ダイオード ・ＭＯＳＦＥＴ ・ＪＦＥＴ ・ＳＣＲ ・Ｌ，Ｃ，Ｒ
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