Fタームリスト

H01L31/04-31/06,600;H02S10/00-10/40;30/00-99/00;H10K30/00;30/50-30/57;39/00-39/18

AA00
本体材料

AA01

AA02

AA03

AA04

AA05

AA07

AA08

AA09

AA10

・ＩＶ族

・・単結晶

・・多結晶

・・微結晶＊

・・アモルファス＊

・化合物半導体＊

・・ＩＩＩ―Ｖ族（例ＧａＡｓ）＊

・・ＩＩ―ＶＩ族（例ＣｄＳ）＊

・・Ｉ―ＩＩＩ―ＶＩ族（例ＣｕＩｎＳｅ２）＊

AA11

AA12

AA14

AA16

AA18

AA20

・有機半導体＊

・・フタロシアニン色素

・電解質・半導体電極（湿式の場合）＊

・ドーパント材料＊

・バインダ材料＊

・その他の本体材料＊

BA00
用途・目的

BA01

BA02

BA03

BA04

BA05

・用途

・・衛星用

・・建材用

・・時計・電卓用

・・その他の用途＊

BA11

BA12

BA13

BA14

BA15

BA16

BA17

BA18

・目的（高効率化，低コスト化は除く）

・・大面積化

・・大電力化

・・量産性・自動化

・・可撓性

・・光の透過率の向上

・・出力の安定化

・・耐環境性の向上

CA00
アモルファス製造法（微結晶を含む）

CA01

CA02

CA03

CA04

CA05

CA06

CA07

CA08

CA09

・成長層

・・ｐ（ｐ＋）層

・・ｉ層

・・ｎ（ｎ＋）層

・・界面層

・原料

・・原料ガス＊

・・希釈ガス＊

・・希釈比率に特徴のあるもの

CA11

CA12

CA13

CA14

CA15

CA16

CA17

CA18

CA19

CA20

・物理蒸着法（ＰＶＤ）

・・真空蒸着法

・・スパッタ法

・化学的蒸着法（ＣＶＤ）

・・プラズマＣＶＤ法（グロー放電法）

・・・高周波利用

・・・マイクロ波利用

・・熱ＣＶＤ法

・・光ＣＶＤ法

・その他の製造法

CA21

CA22

CA23

CA24

CA26

CA27

・装置構造

・・成膜室分離・連続成膜型

・・放電電極構造

・・基板ホルダー・加熱手段形状・配置

・付加機構

・・磁界印加

CA31

CA32

CA34

CA35

CA36

CA37

CA40

・工程

・・アニール・プラズマ処理

・製造条件

・・圧力・真空度

・・基板温度

・・ガス流量

・その他，本観点に関する事項

CB00
アモルファス以外の製造法

CB01

CB02

CB03

CB04

CB05

CB06

CB08

CB09

CB10

・シリコン結晶成長法

・・単結晶成長法

・・・ＣＺ法（引上げ法）

・・多結晶成長法

・・・キャスト法

・・・リボン法（ＥＦＧ法を含む）

・ＩＩＩ－Ｖ族成長法

・・単結晶Ｓｉ基板上

・・はくり単結晶膜

CB11

CB12

CB13

CB14

CB15

CB18

CB19

CB20

・薄膜形成

・・ＣＶＤ法

・・塗布・焼成

・・真空蒸着法

・・スパッタ法

・ドーピング法（濃度限定も含む）

・・イオン注入法

・・熱拡散法

CB21

CB22

CB24

CB25

CB27

CB28

CB29

CB30

・エッチング法

・・ドライエッチング法

・熱処理法

・・光アニール

・電極形成法

・素子分割法

・製造条件に特徴のあるもの

・他の製造プロセスに特徴のあるもの

DA00
素子構造（細部はＥＡ～ＨＡ参照）

DA01

DA02

DA03

DA04

DA05

DA06

DA07

DA08

DA09

DA10

・素子形状

・接合形態

・・ｐｎ

・・ｐｉｎ

・・ショットキー

・・・ショットキー金属＊

・・ヘテロ

・・ＭＩＳ

・・・絶縁膜材料＊

・・バックコンタクト型

DA11

DA12

DA13

DA15

DA16

DA17

DA18

DA19

DA20

・バンド構造

・・グレーデッド

・・超格子

・タンデム構造

・・形態

・・・同じ接合形態の繰り返し

・・層間結合中間層

・・・ｐｎトンネル層

・その他の素子構造に特徴のあるもの

EA00
モジュール化（集積化）

EA01

EA02

EA03

EA04

EA05

EA06

EA07

EA08

EA09

EA10

・モジュール形状

・接続構造

・・側部接続

・・端部接続

・・瓦積み接続

・・ダイオードを接続

・パターニング

・・対象

・・・表面電極

・・・素子本体

EA11

EA13

EA14

EA15

EA16

EA17

EA18

EA19

EA20

・・・裏面電極

・・手段

・・・マスク成膜

・・・スクリーン印刷

・・・レーザスクライバ

・接続端子処理

・保護膜＊

・インターコネクタ

・その他，モジュール化に関する事項

FA00
電極

FA01

FA02

FA03

FA04

FA06

FA07

FA08

FA09

FA10

・材料

・・透明電極＊

・・・ＳｎＯ２

・・・ＩＴＯ

・・金属電極＊

・・有機材料＊

・・ドーパント部材＊

・・ブロック層部材＊

・・ペースト部材＊

FA11

FA12

FA13

FA14

FA15

FA16

FA17

FA18

FA19

・構造

・・種別

・・・表面電極

・・・・集電極

・・・裏面電極

・・形状

・・構造

・・・２層構造

・・・凹凸構造

FA21

FA22

FA23

FA24

FA25

FA30

・・機能

・・・表面反射防止

・・・反射層兼用

・・・低抵抗化

・・・ドーピング兼用（裏面電場）

・その他，電極に関する事項

GA00
基板

GA01

GA02

GA03

GA04

GA05

GA06

・材料

・・導電性基板＊

・・絶縁性基板＊

・・半導体基板＊

・・フレキシブル基板＊

・・被膜部材＊

GA11

GA12

GA13

GA14

GA15

GA16

GA20

・構造・処理

・・表面の平滑化

・・・被膜による

・・表面の粗面化

・・・ケミカルエッチ

・・・被膜による

・その他，基板に関する事項

HA00
その他の要素

HA01

HA02

HA03

HA04

HA05

HA06

HA07

・反射防止膜

・・材料

・・・無機材料＊

・・・有機材料＊

・・構造

・・・光学多層膜

・・・凹凸構造

HA11

HA12

HA13

HA14

HA15

HA16

HA17

HA18

HA19

HA20

・フィルタ膜

・・種類

・・・蛍光体膜

・・・光学多層膜

・・・色フィルタ，インク

・・機能

・・・波長変換

・・・波長分割

・窓層（ウィンドウ層）

・その他，本観点に関する事項

JA00
発電装置

JA01

JA02

JA03

JA04

JA05

JA06

JA07

JA08

JA09

・アレイ（パネル）

・・パネル構造

・・・窓材＊

・・・充填材＊

・・・裏面シート

・・・ラミネート

・・・モジュール間接続

・・・・ダイオード接続（逆流防止用等）

・・・フレーム

JA12

JA13

JA14

JA15

・・パネル間接続

・・支持構造

・・・角度調整（太陽追尾装置を含む）

・・洗浄装置・防雪構造

JA21

JA22

JA23

JA24

JA25

JA27

JA28

JA29

JA30

・集光装置

・・レンズ

・・反射鏡，反射板

・・光ファイバ

・・光学フィルタを有するもの

・端子箱

・二次電池との組合せ

・太陽熱利用装置との組合せ

・その他の発電装置に関する事項

KA00
制御・試験

KA01

KA02

KA03

KA04

KA05

KA06

KA07

KA08

KA09

KA10

・出力の安定化

・・モニタ

・・制御

・・・定電圧回路（ＤＣ・ＤＣコンバータ）

・・・電源切換え

・・・入射光量制御

・保守

・・故障検知・警報

・機能試験装置

・その他，制御・試験に関する事項

H10K30/00;30/50-30/57;39/00-39/18

XA00
有機太陽電池

XA01

・赤外，可視，短波長，粒子線の有機太陽電池

XA31

XA32

XA33

・材料の選択

・・有機半導体材料に特徴

・・・高分子化合物に特徴

XA43

・・・低分子化合物に特徴

XA51

XA52

XA53

XA54

XA55

XA56

・・装置の特定部位又は要素材料に特徴

・・・添加剤に特徴

・・・光電変換層材料の組み合わせに特徴

・・・電子輸送層用材料に特徴

・・・正孔輸送層用材料に特徴

・・・電極用材料

XA61

・製造，処理のための方法または装置に特徴

5F251	光起電力装置	光デバイス
	H02S10/00 -10/40;30/00-99/00;H10F10/00-19/90;99/00,100;H10K30/00;30/50-30/57;39/00-39/18