English
閉じる

Fタームリスト

リスト再作成旧５Ｆ０７３（Ｈ１５）
5F173 半導体レーザ 光デバイス　　　　　
H01S5/00 -5/50,630
H01S5/00-5/50,630 AA AA00
半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）－（１） 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09
・活性層がプレーナ－（平坦層で切れ目の無い形状）であるもの ・・光閉じ込め（電流狭窄）のための半導体層の構造を有するもの ・・・埋め込み層によるもの ・・・・活性層上部に埋め込み層を備えるもの ・・・・・埋め込みリッジ構造 ・・・・・溝を埋め込んだ構造（ＳＡＳ構造） ・・・・活性層下部に埋め込み層を備えるもの ・・・活性層上部にリッジ形状を有するもの（埋め込み層によるものを除く） ・・・活性層下部の構造を利用するもの（埋め込み層によるものを除く）
AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17
・・半導体層以外の構成によって光閉じ込め（電流狭窄）を実現するもの ・・・不純物の導入による電流通路（電流狭窄部）を利用するもの ・・・・不純物が活性層まで達しているもの ・・・不純物の導入により横方向にｐｎ接合を形成するもの（ＴＪＳ） ・・・絶縁体を利用するもの ・・・・選択酸化によるもの
AA21 AA22 AA23 AA24 AA26 AA27 AA29 AA30
・活性層がプレーナーでないもの（活性層が構造、形状分布を有するもの） ・・活性層の両側に設けられた半導体層により導波機構を実現するもの ・・・選択成長により活性層を含むメサ部を形成してから埋め込んだＢＨ構造 ・・・・２つの溝に挟まれた領域に活性層を埋め込んだＤＣ－ＰＢＨ構造 ・・・エッチングにより活性層を含むメサ部を形成してから埋め込んだＢＨ構造 ・・・・２つの溝に挟まれた領域に活性層を埋め込んだＤＣ－ＰＢＨ構造 ・・・活性層下部の形状（凸部等）を利用して埋め込み構造を実現するもの ・・・溝部、凹部に活性層を埋め込んだもの
AA32 AA33 AA34 AA35 AA40
・・活性層の形状分布を利用するもの ・・・活性層下部の形状（主に基板形状）を利用するもの ・・・・凸部、溝部、凹部を利用するもの ・・・・斜面を利用するもの ・・横方向にｐｎ接合構造を有するもの
AA41 AA42 AA43 AA44 AA45 AA46 AA47 AA48 AA50
・横方向の閉じ込め・狭窄のための構成に特徴があるもの ・・埋め込み半導体層の構造 ・・・光閉じ込めのための特性 ・・・・実屈折率差（活性層又はクラッド層よりも屈折率が小さい層によるもの） ・・・・光吸収（複素屈折率導波） ・・・電流狭窄のための特性 ・・・・高抵抗・絶縁性 ・・・・逆導電性（ｐｎ接合） ・・・・ＡＡ４８以外の電流障壁特性（ヘテロバリア等）
AA52 AA53 AA54 AA55 AA56 AA57
・・電流狭窄のための不純物、半導体層の導電性制御の構造 ・・・半導体層の導電性制御構造 ・・・・不純物導電型の面方位依存性を利用するもの ・・・拡散・イオン注入による不純物導入部の特性 ・・・・不純物導入部が電流通路となるもの ・・・・不純物導入部が電流狭窄部となるもの
AB AB00
半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）－（２） 		AB01 AB02 AB03 AB04
・共振器構造 ・・半導体回折格子を用いるもの ・・・ＤＢＲレーザ ・・・・位相調整領域を有するもの
AB13 AB14 AB15 AB16 AB17 AB19
・・・ＤＦＢレーザ ・・・・位相シフトを有するもの ・・・・・中央部以外 ・・・・・複数 ・・・・多電極型 ・・・・損失・利得領域分布型
AB23 AB24 AB25 AB27 AB28 AB29 AB30
・・・一つのレーザストライプに対して周期の異なる複数の回折格子が設けられたもの ・・・チャープ回折格子 ・・・平面部以外に設けられたもの ・・・回折格子の形状 ・・・・三角関数型 ・・・・ノコギリ型 ・・・・その他
AB32 AB33 AB34 AB35
・・外部共振器 ・・・反射鏡の構成 ・・・・回折格子を利用するもの ・・・・・ファイバグレーティング
AB43 AB44 AB45 AB46 AB47 AB49 AB50
・・・共振器内に設けられた光学要素 ・・・・光フィルタ ・・・・合分波器 ・・・・回折格子 ・・・・能動光素子 ・・リングレーザ ・・その他共振器構造に特徴のあるもの
AB51 AB52 AB53
・光取り出し方向に特徴があるもの ・・表面放出レーザ ・・・半導体回折格子を利用
AB61 AB62 AB63 AB64 AB65 AB66
・共振器内導波路形状・構造 ・・幅が変化 ・・厚さが変化 ・・連続的に変化 ・・不連続に変化 ・・斜め導波路
AB71 AB72 AB73 AB74 AB75 AB76 AB78 AB79
・共振器内の構造 ・・窓構造 ・・・非励起領域を有するもの ・・・透明領域を有するもの ・・・・活性層埋め込み構造 ・・・・量子井戸活性層の無秩序化 ・・低反射率化 ・・・傾斜端面を有するもの
AB82 AB83 AB90
・・変調領域 ・・・可飽和吸収領域 ・フォトニック結晶を用いるもの
AC AC00
垂直共振器を有するレーザの構造 		AC01 AC02 AC03 AC04 AC05 AC10
・反射鏡の構造 ・・基板側反射鏡 ・・・半導体反射鏡 ・・・誘電体反射鏡 ・・・金属反射鏡 ・・・その他
AC12 AC13 AC14 AC15 AC20
・・基板と反対側の反射鏡 ・・・半導体反射鏡 ・・・誘電体反射鏡 ・・・金属反射鏡 ・・・その他
AC22 AC23 AC24 AC26
・・反射鏡の周期に特徴があるもの ・・・周期変化をともなうもの ・・・複数周期の反射鏡を併用するもの ・・反射鏡の形状・材料・構造に特徴に特徴があるもの
AC31 AC32 AC33 AC34 AC35 AC36
・光閉じ込め、電流狭窄構造 ・・位置 ・・・活性層の横（ＢＨ等） ・・・活性層と基板との間 ・・・活性層より上側 ・・・活性層の上下両方
AC42 AC44 AC46 AC48
・・酸化膜・酸化層によるもの ・・積層構造内の段差・溝を利用するもの ・・イオン注入によるもの ・・偏光を制御するための特別な構造・形状
AC51 AC52 AC53 AC54
・光取り出し方向 ・・基板表面側から出射 ・・基板裏面側から出射 ・・水平方向に出射
AC61 AC63 AC70
・共振器と定在波の整合に係わる設計に特徴があるもの ・光の経路中に複数の共振器を含むもの ・フォトニック結晶を用いるもの
AD AD00
モノリシックな集積（同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの） 		AD01 AD02 AD03 AD04 AD05 AD06 AD10
・複数レーザの集積 ・・アレイ型 ・・・位相同期 ・・・マルチビーム ・・・・同一波長 ・・・・多波長 ・・基板に垂直な方向への集積
AD11 AD12 AD13 AD14 AD15 AD16 AD17 AD18 AD19 AD20
・受光素子の集積 ・光変調器の集積 ・・活性層と変調層が同時に成膜されたもの ・・量子井戸導波路を有するもの ・受動導波路の集積 ・・他の集積素子との光接続機能 ・・レーザスポットの調整機能 ・・テーパ導波路 ・・合・分波器の集積 ・レンズの集積
AD21 AD22 AD30
・駆動回路の集積 ・非線形素子の集積 ・その他の素子の集積※
AF AF00
半導体の積層方向の構造－１ 		AF01 AF02 AF03 AF04 AF05 AF06 AF07 AF08 AF09
・活性層の構造（ここは付与しない） ・・ホモ接合・ヘテロ接合の活性層に特徴があるもの ・・量子井戸構造に特徴があるもの ・・・歪量子井戸であるもの ・・・・歪補償をしているもの ・・・同一活性層内に異なる井戸層、障壁層を含むもの ・・・井戸層障壁層１つが多層からなるもの ・・量子線、量子点（ドット）であるもの ・・・自己組織化によるもの
AF12 AF13 AF15 AF18 AF20
・・形状、構造に特徴があるもの ・・・活性層の厚さに特徴があるもの ・・材料、組成に特徴のあるもの ・・不純物の濃度や種類に特徴のあるもの（ＡＪ観点も付与） ・・その他の特徴
AF21 AF22 AF24 AF25 AF26 AF27 AF28 AF29 AF30
・クラッド層（電流・光を活性層内に閉じ込める層など）の構造（ここは付与しない） ・・組成変化をともなうもの（超格子構造によって組成変化を実現するものはＡＦ２５に付与） ・・多層構造に特徴があるもの ・・・超格子構造であるもの ・・・・単一原子層の複数積層による超格子（単原子超格子） ・・・・自然超格子（成長中に結晶の規則性が自然に生じる現象の利用） ・・・・歪を有するもの ・・・・各層の組成・厚さが変化するもの ・・・・平均組成が連続的に変化するもの
AF32 AF33 AF35 AF36 AF38 AF40
・・形状、構造に特徴のあるもの ・・・活性層の上下にてクラッド層の非対称性に特徴があるもの ・・材料、組成に特徴があるもの ・・・活性層とは異なる材料系を用いたもの ・・不純物の濃度や種類に特徴のあるもの（ＡＪ観点も付与） ・・その他の特徴
AF41 AF42 AF43 AF44 AF45 AF46 AF47 AF48 AF49
・ガイド層（光を導波する層）の構造（ここは付与しない） ・・組成変化をともなうもの（超格子構造によって組成変化を実現するものはＡＦ４５に付与） ・・・ＧＲＩＮ、ＳＴＩＮ構造であるもの ・・多層構造であるもの ・・・超格子構造であるもの ・・・・単一原子層の複数積層による超格子（単原子超格子） ・・・・自然超格子（成長中に結晶の規則性が自然に生じる現象の利用） ・・・・歪を有するもの ・・・・平均組成が連続的に変化するもの
AF52 AF53 AF54 AF55 AF56 AF58 AF60
・・形状、構造に特徴があるもの ・・・活性層の上下でガイド層の厚さ、組成が異なるもの ・・・活性層と接しない位置に形成されたもの（ｅｘ．クラッド層を挟む） ・・材料、組成に特徴のあるもの ・・・活性層と異なる材料系を用いたもの ・・不純物の濃度や種類に特徴のあるもの（ＡＪ観点も付与） ・・その他の特徴
AF61 AF62 AF64 AF65 AF66
・コンタクト層（電極と直接接して電流・電圧印加を容易にする層）の構造（ここは付与しない） ・・組成変化をともなうもの（超格子構造によって組成変化を実現するものはＡＦ６５に付与） ・・多層構造であるもの ・・・超格子構造であるもの ・・・・平均組成が連続的に変化するもの
AF72 AF75 AF76 AF78 AF80
・・形状、構造に特徴があるもの ・・材料、組成に特徴のあるもの ・・・活性層と異なる材料系を用いたもの ・・不純物の濃度や種類に特徴のあるもの（ＡＪ観点も付与） ・・その他の特徴
AF81 AF82 AF84 AF85 AF86
・電流狭窄層（横方向の電流狭窄のための層）の構造（ここは付与しない） ・・組成変化をともなうもの（超格子構造によって組成変化を実現するものはＡＦ８５に付与） ・・多層構造に特徴があるもの（特徴のない単なるＰ／Ｎ狭窄層等は付与しない） ・・・超格子構造であるもの ・・・・平均組成が連続的に変化するもの
AF92 AF94 AF95 AF96 AF97 AF98 AF99
・・形状、構造に特徴があるもの ・・材料、組成に特徴があるもの ・・・活性層と異なる材料系の半導体を用いるもの ・・・酸化物からなるもの ・・・樹脂からなるもの ・・不純物の濃度や種類に特徴のあるもの（ＡＪ観点も付与） ・・その他の特徴
AG AG00
半導体の積層方向の構造－２ 		AG01 AG02 AG03 AG05 AG06 AG07 AG08 AG09
・光吸収層 ・・可飽和吸収層 ・光反射層 ・エッチング停止層 ・ＬＰＥ時のメルトバック防止層 ・酸化防止層 ・不純物拡散防止層 ・蒸発防止層（半導体材料の蒸発を防止するための層）
AG11 AG12 AG13 AG14 AG17 AG18 AG20
・バッファ層（結晶性向上・維持のための層） ・・組成均一層 ・・グレーデッド層 ・・多層 ・オーバーフロー防止層 ・・ＭＱＢ（多重量子井戸の干渉を利用した電子閉じ込め） ・ＡＦ００～ＡＧ１８以外の目的のための層
AG21 AG22 AG23 AG24
・多層間の相互関係に基づく設計を行っている点明記されているもの ・・屈折率による ・・熱膨張係数による ・・不純物濃度による
AH AH00
活性層の材料系－基板材料 		AH01 AH02 AH03 AH04 AH06 AH07 AH08
・ＩＩＩ－Ｖ族であるもの ・・ＡｌＧａＡｓ系 ・・・Ｉｎ（ＧａＡｌ）Ａｓ／ＧａＡｓ基板（ＧａＩｎＡｓ／ＧａＡｓ基板を含む） ・・・ＧａＩｎＡｓＮ系（長波長） ・・（ＡｌＧａ）ＩｎＰ系（Ｐを含む３～４元材料） ・・・ＩｎＰ基板整合系 ・・・ＧａＡｓ基板整合系
AH12 AH13 AH14
・・（ＡｌＧａ）ＩｎＡｓＰ系（Ｉｎ、Ａｓ、Ｐを含む４～５元材料） ・・・ＧａＡｓ基板整合系 ・・・ＩｎＰ基板整合系
AH22 AH23 AH24 AH28 AH29 AH30
・・ＡｌＧａＩｎＮ系（窒化物系） ・・・微量のＡｓ及び／又はＰが添加されたＡｌＧａＩｎＮＡｓＰ系 ・・・立方晶系 ・・上記以外のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体※ ・・・ＧａＡｓ基板整合系※ ・・・ＩｎＰ基板整合系※
AH31 AH32 AH34 AH35 AH36 AH37 AH40
・ＩＩ－ＶＩ族であるもの ・・ＺｎＳＳｅ系（ＺｎとＳｏｒＳｅを含む２，３元材料／ＧａＡｓ基板またはＺｎＳＳｅ基板整合系） ・ＩＶ－ＶＩ族であるもの ・Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ２族であるもの ・有機物であるもの ・異なる材料系の組み合わせからなるもの ・その他の活性層材料※
AH41 AH42 AH43 AH44 AH45 AH47 AH48 AH49 AH50
・基板の材料 ・・異種基板を採用したもの ・・・金属基板※ ・・・サファイア基板 ・・・石英、水晶、二酸化珪素、ガラス基板 ・・・半導体基板 ・・・・シリコン基板 ・・・・ＡＨ４８以外の半導体基板※ ・・・・ＡＨ４３－４９以外の以外のの半導体基板※
AJ AJ00
不純物に特徴があるもの 		AJ01 AJ02 AJ03 AJ04 AJ05 AJ06 AJ10
・不純物材料 ・・ｐ型不純物 ・・・Ｚｎ ・・・Ｍｇ ・・・Ｂｅ ・・・Ｃ ・・・その他※
AJ12 AJ13 AJ14 AJ15 AJ20
・・ｎ型不純物 ・・・Ｓｉ ・・・Ｓｅ ・・・Ｇｅ ・・・その他※
AJ22 AJ23 AJ24 AJ30
・・高抵抗化 ・・・Ｆｅ ・・・Ｃｒ ・・・その他※
AJ32 AJ35 AJ36
・・両性不純物ドープ ・・発光中心用 ・・残留不純物の利用
AJ41 AJ42 AJ43 AJ45
・複数不純物をドープ ・・異なる導電型の不純物 ・・同じ導電型の不純物 ・変調ドープ
AK AK00
電極構造・材料に特徴があるもの 		AK01 AK02 AK04 AK05 AK08
・材料及びその組み合わせ方 ・・単一の材料※ ・・複数の材料の組み合わせ ・・・合金材料※ ・・・多層電極（その後アニールして合金化するものも含む）※
AK12 AK13 AK14 AK15 AK16 AK17 AK20
・・特性・機能 ・・・オーミック性の向上 ・・・金属イオンの拡散防止 ・・・密着性向上 ・・・電極の酸化防止 ・・・熱歪みの緩和 ・・・その他
AK21 AK22 AK23 AK24
・電極の形状や配置に特徴があるもの ・・同一面側に正負の電極 ・ボンディングのための特徴があるもの ・ショットキー電極を用いるもの
AL AL00
被覆構造・材料に特徴があるもの 		AL01 AL02 AL03 AL04 AL05 AL06 AL07 AL10
・被覆の適用用途、適用箇所 ・・端面被膜 ・・・反射膜・反射防止膜 ・・・・反射率を非対称にしたもの ・・・多層構造であるもの ・・外部雰囲気からの隔離 ・・絶縁短絡防止 ・・その他
AL11 AL12 AL13 AL14 AL15 AL16 AL17 AL18 AL19
・被覆材料 ・・誘電体膜 ・・・酸化物 ・・・窒化物 ・・・有機物 ・・半導体膜 ・・金属膜 ・・・合金 ・・複数材料の組み合わせに特徴があるもの
AL21
・被覆形状に特徴があるもの
AP AP00
製造方法１ 		AP01 AP02 AP03 AP04 AP05 AP06 AP07 AP09 AP10
・結晶成長（ここは付与は不要） ・・ＬＰＥを利用しているもの ・・・ＬＰＥに関連する特徴があるもの ・・ＶＰＥを利用しているもの ・・・ＭＯＣＶＤを利用しているもの ・・・・ＭＯＣＶＤに関連する特徴があるもの ・・・ＡＰ０６以外のＶＰＥに特徴があるもの ・・ＭＢＥを利用しているもの ・・・ＭＢＥに関連する特徴があるもの
AP12 AP13 AP14 AP15 AP16 AP17 AP19 AP20
・・選択成長 ・・・マスク開口部に成長 ・・・下地形状を利用した選択成長 ・・・・メサ上部に成長 ・・・・埋め込み成長 ・・・・結晶面方位を利用 ・・・横方向成長（ＥＬＯ，ＥＬＯＧ） ・・・マスクの材料、形状、製法に特徴があるもの
AP22 AP23 AP24 AP30
・・下地形状に特徴のあるもの（選択成長を除く） ・・・下地が凹部・凸部・溝部を有するもの ・・・下地の面方位の選択に特徴があるもの（傾斜基板等）※ ・・ＡＰ０２－２２以外の結晶成長技術
AP31 AP32 AP33 AP35 AP36 AP37 AP38 AP39
・エッチング（ここは付与は不要） ・・ウェットエッチングを利用するもの ・・ドライエッチングを利用するもの ・・エッチングに関連する特徴があるもの ・・・エッチャントやエッチングガスに特徴があるもの ・・・選択エッチングを利用するもの ・・・結晶面方位を利用するもの ・・・ダメージを受けた場所を除去するもの
AP42 AP43 AP44 AP45 AP47
・・エッチング後の形状に特徴があるもの ・・・順メサ ・・・逆メサ ・・・垂直メサ ・・マスクの材料、形状、製法に特徴があるもの
AP51 AP52 AP53 AP54 AP56 AP57 AP60
・ドーピング（ここは付与は不要） ・・熱拡散 ・・・固相拡散 ・・イオン注入 ・・ドープ量の制御 ・・・２種類以上のドーピング ・・ＡＰ５２－５７以外のドーピングに特徴があるもの
AP61 AP62 AP63 AP64 AP66 AP67
・熱処理、アニール ・・結晶の熱処理、アニール ・・イオン注入後のアニール ・・電極形成後のアニール ・酸化処理技術 ・・選択酸化
AP71 AP72 AP73 AP74 AP75 AP76 AP77 AP78 AP79
・電極形成に特徴があるもの ・絶縁膜などの形成 ・・ＣＶＤ ・・ＰＶＤ ・・・蒸着 ・・・スパッタ ・・貼付け ・・共振器端面への形成 ・・共振器端面以外への形成
AP81 AP82 AP83 AP84 AP85 AP86 AP87
・共振面形成 ・・劈開 ・・・劈開のライン、溝に特徴があるもの ・・・劈開方向に特徴があるもの ・・・劈開用の装置に特徴があるもの ・・選択成長による共振面形成 ・・エッチングによる共振面形成
AP91 AP92 AP93 AP94 AP95
・素子分離 ・・劈開 ・・・劈開のライン、溝に特徴があるもの ・・・劈開方向に特徴があるもの ・・・劈開用の装置に特徴があるもの
AQ AQ00
製造方法２ 		AQ01 AQ02 AQ03 AQ04 AQ05 AQ06 AQ10
・その他製造方法に関する特徴 ・・基板の除去、剥離 ・・基板張り合わせ、直接接着 ・・表面クリーニング ・・光、レーザ光の照射を利用 ・・プラズマ照射を利用 ・・ＡＰ０１－９９、ＡＱ０１－０６以外の製造方法
AQ11 AQ12 AQ13 AQ14 AQ15 AQ16 AQ20
・製法中の条件に特徴があるもの ・・温度 ・・雰囲気 ・・圧力 ・・流量 ・・原料比、モル比 ・・条件の途中変化
AR AR00
課題・目的 		AR01 AR02 AR03 AR04 AR05 AR06 AR07
・光出力特性 ・・波長 ・・・安定化 ・・・単一縦モード ・・・縦多モード ・・・可変波長 ・・・多波長同時発振
AR12 AR13 AR14 AR15
・・出力 ・・・安定 ・・・大出力 ・・・・キンク防止
AR23 AR24 AR25 AR26
・・・高効率化（しきい値低減・量子微分効率） ・・・・電流閉じ込め向上（リーク電流防止） ・・・・キャリア閉じ込め向上 ・・・・光閉じ込め向上
AR32 AR33 AR35 AR36 AR37
・・横モード ・・・単一横モード ・・変調特性 ・・・高速化 ・・・光パルス形状劣化の防止
AR42 AR43 AR44 AR45 AR46
・・偏光 ・・・直線偏光化 ・・・・ＴＭモード ・・・無偏光化、偏光無依存化 ・・・偏光方向可変
AR52 AR53 AR54 AR55 AR56 AR57 AR58 AR59
・・ビーム形状、広がり、出射方向 ・・・円形化、アスペクト比の調整 ・・・非点隔差の改善、調整 ・・・放射角の改善 ・・・ビーム径 ・・・・ビーム径可変 ・・・出射方向、出射位置 ・・・・出射方向可変、出射位置可変
AR61 AR62 AR63 AR64 AR65 AR66 AR68 AR69 AR70
・電気特性 ・・素子抵抗低減 ・・・オーミック特性向上 ・・・半導体領域の低抵抗化 ・・寄生容量の低減 ・・インピーダンスマッチング ・端面破壊防止 ・低雑音化 ・戻り光に対する耐性強化
AR71 AR72 AR73 AR74 AR75 AR78 AR79 AR80
・熱特性 ・・放熱特性向上 ・・外部からの熱遮断 ・・熱膨張係数差の緩和 ・・高温特性の向上、高温動作の実現 ・不純物の制御 ・・不純物濃度制御 ・・・不純物分布制御
AR81 AR82 AR83 AR84 AR85 AR87
・結晶の高品質化 ・・欠陥密度低減 ・・結晶純度向上 ・・平坦性向上 ・・界面急峻性向上 ・製造時の酸化防止
AR91 AR92 AR93 AR94 AR96 AR99
・歩留まりの向上・再現性の向上・精度の向上 ・・製法の改良によるもの ・・素子構造・素子設計によるもの ・省力化・省コスト化 ・素子劣化防止（ＡＲ０１～ＡＲ９４に該当しない事項の場合にのみ付与） ・その他
AS AS00
レーザ動作のタイプ 		AS01 AS02 AS03 AS04 AS05 AS06 AS07 AS10
・光増幅機能 ・光論理機能 ・自励発振 ・注入同期 ・波長変換機能 ・双安定機能 ・パルス整形機能 ・その他
MA MA00
モジュール・パッケージの用途 		MA01 MA02 MA03 MA04 MA05 MA06 MA07 MA08 MA10
・光通信 ・・信号光源（発信装置） ・・光増幅器 ・・増幅器用励起光源 ・光ピックアップ光源 ・レーザプリンタ光源、複写機用光源 ・レーザ励起光源（光通信用を除く） ・レーザ加工用光源 ・その他の用途
MB MB00
モジュール・パッケージのタイプ（典型的なタイプを抽出） 		MB01 MB02 MB03 MB04 MB05 MB10
・缶状のケースによるＬＤパッケージ（「ＣＡＮ型」だがここでは金属ケースに限定しない） ・基板配線部表面に直接載置されるタイプ（表面実装型） ・複数光学要素が水平方向に配置されるタイプ ・・電極ピンがケースから水平方向に多数伸びているタイプ（バタフライ型） ・円筒形の外装の中心軸に光軸が合わされているタイプ（同軸型） ・その他（明確に左記以外のタイプ）
MC MC00
マウント・モジュール・パッケージにおける目的 		MC01 MC02 MC03 MC04 MC05 MC06
・小型化 ・部品数の削減 ・位置精度の向上 ・劣化防止 ・・チップの保護 ・・経時変化による位置ずれ等
MC11 MC12 MC13 MC15 MC16 MC17 MC18 MC19 MC20
・熱的 ・・放熱性向上 ・・歪の防止 ・光学的 ・・戻り光の防止 ・・外乱光、迷光の防止 ・電気的 ・・過大電流の防止 ・・高速化（高周波化）
MC21 MC22 MC23 MC24 MC25 MC26 MC30
・製造工程上の容易化 ・・製造工程に特徴があるもの ・・・工程数の削減 ・・・位置合わせの容易化 ・・・・チップのマウント ・・・・光学部品の配置 ・その他の目的
MD MD00
ＬＤチップのマウント 		MD01 MD02 MD03 MD04 MD05 MD07 MD08 MD09
・マウント部材 ・・材料に特徴があるもの ・・・半導体※ ・・・絶縁体※ ・・・金属※ ・・・放熱のため（ＭＣ１２にも付与） ・・・歪軽減のため ・・・・熱歪低減のため（ＭＣ１３にも付与）
MD12 MD13 MD14 MD16 MD17 MD18
・・形状・構造に特徴があるもの ・・・ＬＤの位置決めのための構造 ・・・ＬＤ以外の光学要素の位置決めのための構造 ・・・放熱のため（ＭＣ１２にも付与） ・・・歪軽減のための構造 ・・・・熱歪低減のため（ＭＣ１３にも付与）
MD23 MD24 MD27 MD28 MD29 MD30
・・・電気的な特徴を持つ構造 ・・・・絶縁確保のための構造 ・・・光学的な特徴を持つ構造 ・・・・戻り光阻止のための構造（ＭＣ１６にも付与） ・・・・外乱光、迷光の防止（ＭＣ１７にも付与） ・・・・光路間の干渉防止のための構造
MD32 MD33 MD34 MD35 MD36 MD37
・・機能部をマウント部材に一体に造り込んだもの ・・・光学要素 ・・・・受光素子 ・・・・反射部材 ・・・・回折要素 ・・・・光導波路
MD43 MD44 MD45
・・・電気素子 ・・・・駆動回路 ・・・・熱抵抗素子
MD51 MD52 MD53 MD58 MD59
・実装のためのＬＤチップの特徴的な形状・構造 ・・半田や接着剤の発光部への影響を避けるための構造 ・・給電を考慮したＬＤチップ構造 ・ＬＤチップへの給電構成に特徴があるもの ・・ワイヤボンディング
MD61 MD62 MD63 MD64 MD65 MD70
・ＬＤチップのマウント形態 ・・チップ基板側でマウント ・・チップＬＤ構造側でマウント（アップサイドダウン） ・・複数チップをマウント ・・アレイレーザをマウント ・リードフレームに載置するタイプ
MD71 MD72 MD73 MD74 MD75 MD76 MD77 MD78
・ＬＤチップの載置部への位置決め方法に特徴があるもの ・・位置認識によるもの ・・・マーカを用いるもの ・・・ＬＤ光を基準とするもの ・・位置決め構造によるもの ・・・基準面に当接させるもの ・・セルフアライメント（ハンダバンプなど） ・・治具を用いるもの
MD81 MD82 MD83 MD84 MD85 MD90
・ＬＤチップの接着・固定方法 ・・接着 ・・・導電性接着剤を用いる ・・半田 ・・・半田材料・組成に特徴があるもの ・・その他の固定方法
ME ME00
パッケージ・光モジュールの構成 		ME01 ME02 ME03 ME04 ME06 ME08
・ケース（外装）の構成 ・・ケース（外装）の材料 ・・・金属ケース ・・・樹脂ケース ・・モールドによる外装 ・・ケースなしのオープンパッケージ
ME11 ME12 ME14 ME15
・ケース（外装）の特徴 ・・放熱のための形状に特徴があるもの ・ベース、ステム、台座等の材料に特徴があるもの※ ・ベース・ステム、台座等の形状、構造に特徴があるもの
ME21 ME22 ME23 ME24 ME25 ME30
・光取り出し部の方式 ・・窓による光取り出し ・・ファイバによる光取り出し ・・・ピグテール型 ・・・レセプタクル型 ・・その他
ME31 ME32 ME33 ME34
・光取り出し部に特徴があるもの ・・光取り出し部材が光学機能を有するもの（レンズ・ホログラム等） ・・密閉性向上のためのもの ・・光取り出し部の熱特性を考慮したもの
ME41 ME42 ME44 ME46 ME47 ME48
・ＬＤの保護構造に特徴があるもの ・・モールドによるもの（外装は除く） ・複数の発光部を含むもの ・給電のための構成に特徴があるもの ・・モジュール内での配線構造に特徴があるもの ・・モジュール外との給電構造に特徴があるもの
ME51 ME52 ME53 ME54 ME55 ME56 ME57 ME58
・冷却（加熱）構造に特徴があるもの ・・冷却素子に特徴があるもの ・・・ペルチェ素子構造に特徴があるもの ・・・液冷 ・・放熱のためのパッケージ構成（ケース以外） ・・・形状に特徴があるもの ・・・材料に特徴があるもの ・・加熱素子を備えるもの
ME61 ME62 ME63 ME64 ME65 ME66 ME67 ME68 ME69
・接着・固定・位置決めに特徴があるもの（ＬＤチップのマウントへの配置はＭＤに付与） ・・接着・固定に特徴があるもの ・・・ハンダ ・・・接着剤 ・・・溶接 ・・・・レーザ溶接 ・・・ネジ止め ・・・嵌合 ・・・弾性支持
ME72 ME73 ME74 ME75 ME76 ME77 ME78 ME79
・・位置決めに特徴があるもの ・・・外からの位置認識によるもの ・・・・マーカを用いるもの ・・・・ＬＤ光を基準とするもの ・・・各部材の位置決め構造によるもの ・・・・基準面に当接させるもの ・・・治具を用いるもの ・・・セルフアライメント（例えばハンダバンプ）
ME82 ME83 ME84 ME85 ME86 ME87 ME88 ME90
・・固定対象 ・・・発光ユニット（ＬＤチップを含む部材） ・・・冷却素子 ・・・光学要素 ・・・・窓部材 ・・・・光ファイバ ・・・受光素子 ・・・その他※
MF MF00
発明の特徴となっている組合せ光学要素（ＬＤチップ外） 		MF01 MF02 MF03 MF04 MF05 MF10
・特徴となる光学要素の用途 ・・共振器構成のためのもの ・・光取り出しのためのもの ・・モニタのためのもの ・・高調波発生もしくは変調 ・・その他
MF11 MF12 MF13 MF14 MF15 MF16 MF17 MF18
・特徴となる光学要素の種類 ・・波長弁別要素 ・・・回折格子 ・・・・ＦＢＧ ・・・・平面導波路内回折格子 ・・・ホログラム ・・・エタロン ・・・誘電膜フィルタ
MF22 MF23 MF24 MF25 MF26 MF27 MF28 MF29
・・導波機能要素 ・・・光ファイバ ・・・・経路中にて合分波を行っているもの ・・・平面導波路 ・・・・経路中にて合分波を行っているもの ・・光合分波器 ・・反射要素 ・・・ハーフミラー
MF32 MF33 MF34 MF36 MF38 MF39 MF40
・・偏光制御要素 ・・・１／４λ板、１／２λ板 ・・・偏光子 ・・・ファラデー回転素子 ・・集光要素 ・・・レンズ ・・その他※
SA SA00
駆動におけるレーザーのタイプ 		SA01 SA02 SA03 SA04 SA05 SA06 SA08 SA09
・共振器構成 ・・内部共振器型 ・・・多電極型 ・・・・複数の活性領域を備えるもの ・・・・制御領域（非活性領域）を備えるもの ・・・・・回折格子を備えるもの ・・外部共振器型 ・・・回折格子を備えるもの
SA11 SA12 SA14 SA15 SA16 SA17 SA18 SA20
・駆動タイプ ・・連続発振 ・・変調を伴うもの ・・・強度変調（ＡＭ） ・・・・アナログ変調 ・・・・デジタル変調 ・・・繰り返し周波数変調（ＦＭ） ・・・波長（発振周波数）変調
SA22 SA23 SA24 SA26 SA27
・・縦モードの制御 ・・・高周波重畳 ・・・超短光パルス（ｎｓｅｃ未満） ・・可変波長 ・・多波長
SA31 SA32 SA33 SA34
・発光構成 ・・複数の発振部 ・・・モノリシックレーザアレイ ・・・複数チップのもの
SC SC00
用途（駆動） 		SC01 SC02 SC03 SC05 SC07 SC10
・光通信 ・・光源としてのもの ・・増幅器としてのもの ・光ディスク光源 ・レーザプリンタ ・その他（レーザ励起光源、加工用光源等）
SE SE00
駆動において特徴となる目的 		SE01 SE02 SE03 SE10
・安定化（主に帰還制御）（ＳＦに付与） ・駆動制御（ＳＧに付与） ・異常対策（ＳＨに付与） ・その他の目的（構成の簡便化など、付随する目的を含む）
SF SF00
安定化制御（主に検知・帰還制御） 		SF01 SF02 SF03 SF04 SF05 SF06 SF07 SF08 SF09 SF10
・検知対象 ・・光 ・・・パワー（光出力） ・・・・変調時のピーク値 ・・・・変調時の時間積分値 ・・・・変調時の光波形（変調歪） ・・・・検知方法に特徴のあるもの（ＰＤの配置など） ・・・波長（発振周波数） ・・・・測定方法に特徴のあるもの ・・・繰り返し周波数（変調周波数）
SF12 SF13 SF15 SF17 SF19
・・電気的 ・・・駆動電流・駆動電圧 ・・・駆動部以外の電気的検知 ・・温度（制御基準値とはしない。ＳＦ６８との区別に注意） ・・前記（ＳＦ０２－１７）の組み合わせ
SF31 SF32 SF33 SF34 SF40
・制御されるパラメータ ・・パワー（光出力） ・・波長（発振周波数） ・・変調周波数（繰り返し周波数） ・・その他
SF41 SF42 SF43 SF46 SF47 SF49 SF50
・制御される対象 ・・レーザ活性領域〔チップ全体も含む〕 ・・・電気的（駆動電流・駆動電圧） ・・・熱的な制御（温度制御等） ・・・・熱抵抗素子によるもの ・・チップ内非活性領域 ・・・電圧・電流
SF52 SF53 SF54 SF60
・・チップ外の光学素子 ・・・能動的光素子（光変調器など） ・・・受動的光素子（回折格子など） ・・その他の制御対象
SF61 SF62 SF63 SF64 SF65 SF67 SF68 SF70
・制御方法 ・・基準値との比較によるもの ・・・基準値が単一・固定であるもの ・・・基準値が複数、または基準値が変動 ・・・・複数用意されている基準値を、場合によって切り替えるもの ・・・・環境変化に依存して変動する基準値を持つもの ・・・・・基準値が温度依存性を持つ ・・・・再設定により基準値が可変であるもの
SF72 SF73 SF74 SF76
・・基準値との比較を行わないもの ・・・回路設計による制御（ＬＤと直列にサーミスタを設ける、等） ・・・記憶されたデータを利用して、ＬＤ動作特性をなぞるもの ・・出射光そのものを利用した帰還制御
SG SG00
駆動制御 		SG01 SG02 SG03 SG04 SG05 SG06 SG07 SG08 SG09
・光強度 ・・デジタル変調 ・・・繰り返し周波数 ・・・出力（強度） ・・・パルス波形 ・・・・過渡特性 ・・・・・立ち上がり ・・・・・立ち下がり ・・・・パルス幅、デューティー比
SG12 SG13 SG14 SG15
・・アナログ変調 ・・・高調波歪み ・・・・緩和振動 ・・・雑音（Ｓ／Ｎ比）
SG21 SG30
・光波長 ・その他の対象
SH SH00
異常対策 		SH01 SH02 SH03 SH04 SH05
・劣化・故障の検知（監視）を行うもの ・・検知（監視）対象 ・・・電気的 ・・・光出力 ・・・温度
SH12 SH13 SH14 SH15 SH16
・・検知後の動作 ・・・警報出力 ・・・ＬＤ動作の停止 ・・・出力制限、出力補償 ・・・予備への切り換え
SH21 SH22 SH23 SH24
・破壊（劣化）防止のためのもの ・・駆動系の構成によるもの ・・・保護回路 ・・・・異常（過大）電流除去回路
SJ SJ00
回路構成に特徴があるもの 		SJ01 SJ02 SJ03 SJ04 SJ05 SJ06 SJ07 SJ10
・特徴的回路 ・・カレントミラー回路 ・・差動スイッチング回路（相補信号による差動対回路） ・・定電流回路 ・・バイパス回路 ・・デジタル回路（カウンタ等） ・・サンプルホールド回路 ・・その他※
SJ11 SJ12 SJ13 SJ14 SJ15 SJ16 SJ17 SJ20
・特徴的素子 ・・トランジスタ ・・コンデンサ ・・インダクタンス ・・ダイオード ・・抵抗 ・・ＯＰアンプ ・・その他※
ZM ZM00
被試験・被検査形状 		ZM01 ZM02 ZM03 ZM04 ZM05 ZM10
・ウエハ ・バー ・チップ ・マウント ・パッケージ ・その他
ZP ZP00
試験・検査する項目 		ZP01 ZP02 ZP04 ZP05 ZP06 ZP07
・電気的特性（注入電流など） ・・閾値電流 ・出射光 ・・スペクトル、波長 ・・電流－光出力特性 ・・レーザビーム径・形状
ZP11 ZP13 ZP15 ZP17 ZP20
・厚さ ・結晶性 ・外観 ・マウント位置 ・その他※
ZQ ZQ00
試験・検査において特徴と認められる点 		ZQ01 ZQ03 ZQ05 ZQ10
・被試験物、被検査物の構造に特徴があるもの ・試験、検査のための装置に特徴があるもの（構造・形状・材料） ・試験、検査の方法に特徴があるもの ・その他
ZR ZR00
試験・検査の内容 		ZR01 ZR02 ZR10
・エージングを行うもの ・不良物の選別を行うもの ・その他の目的を含むもの
TOP