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FI(一覧表示)

  • H01L21/00
    		•  半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置（グループ３１／００～４９／００に分類されている装置またはその部品に製造または処理に特有な方法または装置はこれらのグループを参照；他のサブクラスに包有されている単一工程からなる方法は関連したサブクラス，例．Ｃ２３Ｃ，Ｃ３０Ｂを参照；表面に表面構造または模様を作成する写真製版，そのための材料または原稿，そのため特に適合した装置一般Ｇ０３Ｆ）
    		HB CC 5F117
  • H01L21/02
    		•  ・半導体装置またはその部品の製造または処理 HB CC 5F117
  • H01L21/02@A
    		•  識別用情報〔マーク方法，ウエハマーク付け，キャリヤマーク付け〕 HB CC 5F117
  • H01L21/02@B
    		•  ウエハ・ペレット等の形状・構造〔ウエハ貼合せ，ワレ防止，結晶方位関連〕 HB CC 5F117
  • H01L21/02@C
    		•  ウエハの補強〔補強材裏打ち〕 HB CC 5F117
  • H01L21/02@D
    		•  クリーンベンチ・ドラフト装置等〔小クリーンルーム，ゴミ除去〕　〔空調（クリーンルーム）は，Ｆ２４Ｆ〕 HB CC 5F117
  • H01L21/02@Z
    		•  その他〔生産管理工程管理，静電気除去〕 HB CC 5F117
  • H01L21/04
    		•  ・・電位障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置［２００６．０１］ HB CC 5F117
  • H01L21/18
    		•  ・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置［２００６．０１］
    		HB CC 5F152
  • H01L21/20
    		•  ・・・・基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長［２］ HB CC 5F152
  • H01L21/203
    		•  ・・・・・物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング HB CC 5F103
  • H01L21/203@M
    		•  材料の分子線，原子線，イオン線によるもの HB CC 5F103
  • H01L21/203@S
    		•  スパッタリングによるもの HB CC 5F103
  • H01L21/203@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F103
  • H01L21/205
    		•  ・・・・・固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの［２］ HB CC 5F045
  • H01L21/208
    		•  ・・・・・液相成長を用いるもの HB CC 5F053
  • H01L21/208@D
    		•  ディップ法 HB CC 5F053
  • H01L21/208@S
    		•  スライド法 HB CC 5F053
  • H01L21/208@L
    		•  ・ウェハが水平に配置されているもの HB CC 5F053
  • H01L21/208@V
    		•  ＶＬＳ法 HB CC 5F053
  • H01L21/208@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F053
  • H01L21/22
    		•  ・・・・半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散［２］ HB CC 5F042
  • H01L21/22@C
    		•  ３―５族化合物半導体〔ＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰ，半導体レーザ〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22@E
    		•  高エネルギー処理と拡散の組合わせ〔レーザビーム，電子ビーム，イオンビーム，プラズマ処理との組み合わせ〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22@P
    		•  プレデポジション層の処理〔プレデポしてドライブイン，二段階拡散〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22@S
    		•  選択拡散〔マスク拡散，部分拡散〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22@T
    		•  ・拡散マスクの材料・構造，形成方法に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22@U
    		•  ・横方向広がり拡散 HB CC 5F042
  • H01L21/22@V
    		•  ・溝を利用した選択拡散〔トレンチ分離のためのものはＨ０１Ｌ２１／７６，トレンチキャパシタのためのものはＨ０１Ｌ２７／０４Ｃ〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22@W
    		•  ・多孔質を利用した選択拡散〔基板が多孔質の選択拡散，２回拡散〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22@X
    		•  ・拡散位置合わせ，セルフアライン HB CC 5F042
  • H01L21/22@Y
    		•  拡散の前処理，後処理 HB CC 5F042
  • H01L21/22@Z
    		•  その他のもの〔単工程〕 HB CC 5F042
  • H01L21/22,501
    		•  ・・・・・横型拡散装置 HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@D
    		•  横型拡散装置の構造に特徴があるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@A
    		•  ・加熱方法に特徴があるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@L
    		•  ・・光照射による加熱 HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@C
    		•  ・冷却方法に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@B
    		•  ・拡散ボートの移送方法に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@S
    		•  ・ガスの導入・排出経路に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@F
    		•  ・遮蔽体を有するもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@G
    		•  ・ウエハ支持治具に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@H
    		•  ・補助管を有するもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@J
    		•  ・ウエハの移し替えに特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@K
    		•  ・炉心管の洗浄 HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@M
    		•  ・炉心管・ウエハ支持治具の材料に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@N
    		•  ・測熱手段に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@R
    		•  ・炉体又はウエハ支持治具が回転するもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,501@Z
    		•  その他 HB CC 5F042
  • H01L21/22,511
    		•  ・・・・・縦型拡散装置 HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@Q
    		•  縦型拡散装置の構造に特徴があるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@A
    		•  ・加熱・冷却方法に特徴があるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@B
    		•  ・拡散ボートの移送方法に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@S
    		•  ・ガスの導入・排出経路に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@G
    		•  ・ウエハ支持治具に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@H
    		•  ・補助管を有するもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@J
    		•  ・ウエハの移し替えに特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@M
    		•  ・炉芯管・ウエハ支持治具の材料に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@R
    		•  ・炉体又はウエハ支持治具が回転するもの HB CC 5F042
  • H01L21/22,511@Z
    		•  その他 HB CC 5F042
  • H01L21/223
    		•  ・・・・・気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの HB CC 5F042
  • H01L21/223@A
    		•  アウトディフュージョンの利用〔固相から気相へ〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@B
    		•  バブラーに特徴のある拡散装置〔液体から気化〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@C
    		•  ３―５族化合物半導体 HB CC 5F042
  • H01L21/223@T
    		•  封管拡散〔アンプル〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@U
    		•  半封管拡散〔ボックス法〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@V
    		•  減圧拡散〔真空引きしながらの拡散を含む〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@W
    		•  ウエハの配置に特徴のあるもの〔斜め配置，背中合せ配置等〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@X
    		•  固体状拡散源の配置に特徴のあるもの HB CC 5F042
  • H01L21/223@Y
    		•  固体状拡散源の構造・材料に特徴のあるもの〔ウエハと同一形状の拡散源板，積層構造〕 HB CC 5F042
  • H01L21/223@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F042
  • H01L21/225
    		•  ・・・・・固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの HB CC 5F042
  • H01L21/225@C
    		•  ３―５族化合物半導体 HB CC 5F042
  • H01L21/225@D
    		•  拡散源に特徴のあるもの〔下記以外の拡散源〕 HB CC 5F042
  • H01L21/225@M
    		•  ・金属，金属化合物〔シリサイド等，電極〕 HB CC 5F042
  • H01L21/225@N
    		•  ・金属窒化膜 HB CC 5F042
  • H01L21/225@P
    		•  ・ドープド（ポリ）シリコン〔Ｓｉからの拡散，ポリ以外の単結晶も含む〕 HB CC 5F042
  • H01L21/225@Q
    		•  ・ドープドオキサイド HB CC 5F042
  • H01L21/225@R
    		•  塗布法によるもの〔拡散源蒸着，スピン・オン，フィルム貼付けも含む〕 HB CC 5F042
  • H01L21/225@S
    		•  圧接法によるもの〔拡散源材料をウエハに圧接〕 HB CC 5F042
  • H01L21/225@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F042
  • H01L21/228
    		•  ・・・・・液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法 HB CC 5F042
  • H01L21/24
    		•  ・・・・半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金［２］ HB CC 5F042
  • H01L21/26
    		•  ・・・・輻射線の照射 HB CC 5F054
  • H01L21/26@E
    		•  ランプ照射［膜形成は、２１／２０３、２１／２０５、２１／３１、２１／２８５、エッチングは２１／３０２、２１／３０６が優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/26@F
    		•  ・ランプアニール［結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２Ｂが優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/26@G
    		•  ・ランプ照射装置 HB CC 5F054
  • H01L21/26@J
    		•  ・・ランプ照射系 HB CC 5F054
  • H01L21/26@Q
    		•  ・・ウエハ支持治具 HB CC 5F054
  • H01L21/26@T
    		•  ・測定、制御 HB CC 5F054
  • H01L21/26@N
    		•  放射線照射による核種変換 HB CC 5F054
  • H01L21/26@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/263
    		•  ・・・・・高エネルギーの輻射線を有するもの HB CC 5F054
  • H01L21/263@E
    		•  電子線照射［膜形成は、２１／２０３、２１／２０５、２１／３１、２１／２８５、エッチングは２１／３０２、２１／３０６、露光は２１／３０，５４１が優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/263@F
    		•  ・アニール［結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入に際してのアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２Ｚが優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/263@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/265
    		•  ・・・・・・イオン注入法（局所的な処理ためのイオンビーム管Ｈ０１Ｊ３７／３０）［２］ HB CC 5F054
  • H01L21/265@F
    		•  多重打ち込み、複数イオンの注入、プラズマ・イオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265@H
    		•  保護膜を介するイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265@J
    		•  絶縁領域・高抵抗領域の形成 HB CC 5F054
  • H01L21/265@K
    		•  ノック・オン HB CC 5F054
  • H01L21/265@M
    		•  イオン注入マスクに特徴のあるもの HB CC 5F054
  • H01L21/265@N
    		•  電荷の除去［電子線によるもの，Ｈ０１Ｊ３７／２０＠Ｇ、Ｈ０１Ｊ３７／３１７＠Ｚ］ HB CC 5F054
  • H01L21/265@P
    		•  ポリシリコンへのイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265@Q
    		•  結晶性の改変を目的とするイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265@R
    		•  溝構造に対するイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265@T
    		•  測定、制御［Ｈ０１Ｊ３７／３１７Ｃ参照］ HB CC 5F054
  • H01L21/265@U
    		•  チャネリング HB CC 5F054
  • H01L21/265@V
    		•  イオンビームの斜め入射 HB CC 5F054
  • H01L21/265@W
    		•  特定の用途にイオン注入を用いた点のみに特徴 HB CC 5F054
  • H01L21/265@Y
    		•  絶縁膜へのイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/265,601
    		•  ・・・・・・・３―５族化合物半導体 HB CC 5F054
  • H01L21/265,601@A
    		•  アニール HB CC 5F054
  • H01L21/265,601@H
    		•  保護膜を介するイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265,601@J
    		•  絶縁領域・高抵抗領域の形成 HB CC 5F054
  • H01L21/265,601@Q
    		•  結晶性の改変を目的とするイオン注入 HB CC 5F054
  • H01L21/265,601@S
    		•  セルフアライン［ソース・ドレイン形状、ＬＤＤ構造］ HB CC 5F054
  • H01L21/265,601@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/265,602
    		•  ・・・・・・・アニール、輻射線の照射 HB CC 5F054
  • H01L21/265,602@A
    		•  ヒータ HB CC 5F054
  • H01L21/265,602@B
    		•  ランプ HB CC 5F054
  • H01L21/265,602@C
    		•  レーザ HB CC 5F054
  • H01L21/265,602@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/265,603
    		•  ・・・・・・・イオン注入装置 HB CC 5F054
  • H01L21/265,603@A
    		•  イオン源、加速部［Ｈ０１Ｊ３７／０８参照］ HB CC 5F054
  • H01L21/265,603@B
    		•  分離部、レンズ部、走査部［Ｈ０１Ｊ３７／１４７、Ｈ０１Ｊ３７／３１７参照］ HB CC 5F054
  • H01L21/265,603@C
    		•  注入室［予備室・搬送も含む、Ｈ０１Ｊ３７／３１７参照］ HB CC 5F054
  • H01L21/265,603@D
    		•  ・ウエハホルダ HB CC 5F054
  • H01L21/265,603@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/265,604
    		•  ・・・・・・・セルフアライン HB CC 5F054
  • H01L21/265,604@G
    		•  ソース・ドレイン形状に特徴のあるもの HB CC 5F054
  • H01L21/265,604@V
    		•  ・イオンビームの斜め入射 HB CC 5F054
  • H01L21/265,604@M
    		•  ・マスク構成［側壁利用など］ HB CC 5F054
  • H01L21/265,604@X
    		•  酸化膜との整合 HB CC 5F054
  • H01L21/265,604@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/268
    		•  ・・・・・・電磁波，例．レーザ光線，を用いるもの HB CC 5F054
  • H01L21/268@E
    		•  レーザ照射［膜形成は、２１／２０３、２１／２０５、２１／３１、２１／２８５、エッチングは２１／３０２、２１／３０６が優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/268@F
    		•  ・レーザアニール［結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２Ｃが優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/268@G
    		•  ・レーザビーム照射装置 HB CC 5F054
  • H01L21/268@J
    		•  ・・ビーム照射系 HB CC 5F054
  • H01L21/268@T
    		•  ・測定、制御 HB CC 5F054
  • H01L21/268@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/28
    		•  ・・・・２１／２０～２１／２６８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 HB CC 4M104
  • H01L21/283
    		•  ・・・・・電極用の導電または絶縁材料の析出［２］ HB CC 4M104
  • H01L21/285
    		•  ・・・・・・気体または蒸気からの析出，例．凝結 HB CC 4M104
  • H01L21/285@P
    		•  蒸着法 HB CC 4M104
  • H01L21/285@S
    		•  スパッタ法 HB CC 4M104
  • H01L21/285@C
    		•  ＣＶＤ法 HB CC 4M104
  • H01L21/285@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H01L21/285,301
    		•  ・・・・・・・電極の材料が限定されているもの HB CC 4M104
  • H01L21/288
    		•  ・・・・・・液体からの析出，例．電解液からの析出 HB CC 4M104
  • H01L21/288@M
    		•  析出される電極の材料が限定されているもの HB CC 4M104
  • H01L21/288@E
    		•  メッキを用いているもの HB CC 4M104
  • H01L21/288@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H01L21/30
    		•  ・・・・２１／２０～２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造２１／２８）［２］ HB CC 5F146
  • H01L21/30,501
    		•  ・・・・・半導体本体の露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502
    		•  ・・・・・・紫外線，Ｘ線，電子線露光等の共通事項 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@A
    		•  複数種類の光線による露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@C
    		•  同一光線で２度以上の露光を行うもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@D
    		•  その他の光線を用いた露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@G
    		•  露光の制御・検知・表示 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@H
    		•  温度調整 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@J
    		•  搬送 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@M
    		•  位置合わせマーク HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@P
    		•  露光マスク HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@R
    		•  レジスト材料 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@V
    		•  パターン検査 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@W
    		•  パターン修正 HB CC 5F146
  • H01L21/30,502@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,503
    		•  ・・・・・・露光装置の細部，付属装置一般 HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@A
    		•  ステージ（レチクルフレーム） HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@B
    		•  ・ステップ・アンド・リピート用 HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@C
    		•  ウェハチャック HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@D
    		•  マスク（レチクル）の保持 HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@E
    		•  ウェハ又はマスクの収納 HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@F
    		•  防振 HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@G
    		•  ゴミ除去 HB CC 5F146
  • H01L21/30,503@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,504
    		•  ・・・・・・紫外線・遠紫外線・可視光線露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,505
    		•  ・・・・・・・密着露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506
    		•  ・・・・・・・・位置合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@A
    		•  マークの形状・構造・製造 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@B
    		•  ・十字 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@C
    		•  ・棒状 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@D
    		•  ・ハの字 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@E
    		•  ・回折格子 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@F
    		•  ・・フレネル・ゾーン・プレート HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@G
    		•  マークの配置（配列） HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@H
    		•  マーク検出結果によるステージ等の移動 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@J
    		•  ウェハマークとマスクマークによるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@K
    		•  ウェハマークと基準マークによるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@L
    		•  マスクマークと基準マークによるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@M
    		•  振動の利用 HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@N
    		•  両面露光のためのもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,506@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,507
    		•  ・・・・・・・・・マークの検出（細部） HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@A
    		•  光学的 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@B
    		•  ・検出用光源 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@C
    		•  ・・光の走査 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@D
    		•  ・・露光光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@E
    		•  ・・露光安全光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@F
    		•  ・・レーザー（光の走査が優先） HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@G
    		•  ・・２以上の波長からの選択 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@H
    		•  ・検出用受光装置 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@J
    		•  ・・ＴＶカメラ HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@K
    		•  ・・直線状受光センサアレイ HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@L
    		•  ・検出用光学系 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@M
    		•  ・・色収差の補正（光路長の補正） HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@N
    		•  ・・λ／４板 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@P
    		•  ・・暗視野 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@Q
    		•  ・目視 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@R
    		•  検出された位置合わせマークの情報処理 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@S
    		•  露光時のマークの保護 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@T
    		•  プリアライメント手段を持つもの，２種類以上の位置合わせを行うもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@U
    		•  マークの露光処理 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@V
    		•  位置合わせ結果（状態）の表示 HB CC 5F146
  • H01L21/30,507@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,508
    		•  ・・・・・・・・位置合わせのためのマスク・ウェハの保持移動 HB CC 5F146
  • H01L21/30,508@A
    		•  ウェハ面に垂直なもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,508@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,509
    		•  ・・・・・・・プロキシミティ露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,510
    		•  ・・・・・・・・位置合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,511
    		•  ・・・・・・・・マスクとウエハの間隔調整又は平行度調整 HB CC 5F146
  • H01L21/30,512
    		•  ・・・・・・・投影露光（レチクル） HB CC 5F146
  • H01L21/30,513
    		•  ・・・・・・・・一般 HB CC 5F146
  • H01L21/30,514
    		•  ・・・・・・・・・ステップ・アンド・リピート露光，縮小投影露光の共通事項 HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@A
    		•  ２度露光（２重露光） HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@B
    		•  露光順序，露光位置 HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@C
    		•  露光方法 HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@D
    		•  搬送装置との組み合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@E
    		•  他の処理装置，機能との組み合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@F
    		•  基板情報の露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,514@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,515
    		•  ・・・・・・・・・・露光装置の細部 HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@A
    		•  光源 HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@B
    		•  ・レーザー HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@C
    		•  ・放電灯 HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@D
    		•  光学系 HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@E
    		•  ・シャッター HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@F
    		•  レチクル及びレチクルステージ HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@G
    		•  ウエハステージ HB CC 5F146
  • H01L21/30,515@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,516
    		•  ・・・・・・・・・・制御，調整，検知，表示 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@A
    		•  倍率調整，光路長補正，歪み補正 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@B
    		•  ステップ・アンド・リピートのステージ移動，制御 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@C
    		•  露光光又は他の光の検知 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@D
    		•  露光量（時間）の制御 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@E
    		•  温度調整，検出 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@F
    		•  圧力，零囲気の調整 HB CC 5F146
  • H01L21/30,516@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,517
    		•  ・・・・・・・・・反射形投影露光，等倍投影露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,518
    		•  ・・・・・・・・・・走査を用いるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,519
    		•  ・・・・・・・・・パターンジェネレーター HB CC 5F146
  • H01L21/30,520
    		•  ・・・・・・・・位置合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,520@A
    		•  プリアライメントを行うもの，２種類以上の位置合わせを行うもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,520@B
    		•  ウエハマーク部の露光，保護 HB CC 5F146
  • H01L21/30,520@C
    		•  位置合わせ結果（状態）の表示 HB CC 5F146
  • H01L21/30,520@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,521
    		•  ・・・・・・・・・マークを用いた投影露光の位置合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,522
    		•  ・・・・・・・・・・位置合わせマークの形状，構造，製造 HB CC 5F146
  • H01L21/30,522@A
    		•  十字 HB CC 5F146
  • H01L21/30,522@B
    		•  棒状 HB CC 5F146
  • H01L21/30,522@C
    		•  ハの字 HB CC 5F146
  • H01L21/30,522@D
    		•  回折格子 HB CC 5F146
  • H01L21/30,522@E
    		•  ・フレネル・ゾーン・プレート HB CC 5F146
  • H01L21/30,522@Z
    		•  その他 HB CC 5F146
  • H01L21/30,523
    		•  ・・・・・・・・・・位置合わせマークの配置（配列）（ステージ上のマークも含む） HB CC 5F146
  • H01L21/30,524
    		•  ・・・・・・・・・・等倍投影露光用 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525
    		•  ・・・・・・・・・・ステップ・アンド・リピート投影露光用 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@A
    		•  ＴＴＬ以外 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@B
    		•  ウエハマークと基準マークによるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@C
    		•  マスクマークと基準マークによるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@D
    		•  ウエハマークとマスクマークによるもの（方法） HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@E
    		•  ・位置合わせマークの検出 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@F
    		•  ・・光学的 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@G
    		•  ・・・検出用光源 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@H
    		•  ・・・光の走査 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@J
    		•  ・・・露光光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@K
    		•  ・・・露光安全光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@L
    		•  ・・・レーザー（光の走査が優先） HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@M
    		•  ・・・２以上の波長からの選択 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@N
    		•  ・・検出用受光装置 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@P
    		•  ・・・ＴＶカメラ HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@Q
    		•  ・・・直線状受光センサアレイ HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@R
    		•  ・・検出用光学系 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@S
    		•  ・・・色収差の補正（光路長の補正） HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@T
    		•  ・・・λ／４板 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@U
    		•  ・・・暗視野 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@V
    		•  ・・目視 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@W
    		•  検出された位置合わせマーク情報の処理 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@X
    		•  マーク検出結果によるステージの移動 HB CC 5F146
  • H01L21/30,525@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,526
    		•  ・・・・・・・・焦点合わせ（平行度調整） HB CC 5F146
  • H01L21/30,526@A
    		•  光によるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,526@B
    		•  ・斜入射光によるもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,526@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,527
    		•  ・・・・・・・照明装置（光源） HB CC 5F146
  • H01L21/30,528
    		•  ・・・・・・・干渉露光，ホログラフィ露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,529
    		•  ・・・・・・・ビーム露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,531
    		•  ・・・・・・Ｘ線露光 HB CC 5F146
  • H01L21/30,531@A
    		•  Ｘ線露光装置 HB CC 5F146
  • H01L21/30,531@E
    		•  Ｘ線露光方法 HB CC 5F146
  • H01L21/30,531@J
    		•  位置合わせ HB CC 5F146
  • H01L21/30,531@M
    		•  Ｘ線露光用マスク HB CC 5F146
  • H01L21/30,531@S
    		•  Ｘ線源 HB CC 5F146
  • H01L21/30,531@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,541
    		•  ・・・・・・電子線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@A
    		•  電子光学系 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@B
    		•  ・電子銃，アパーチャ，ブランキング電極，収束・偏向器 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@C
    		•  制御系 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@J
    		•  ・描画方法（走査の制御によるもの） HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@M
    		•  ・描画方法（照射量，照射形状の制御によるもの） HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@D
    		•  ・ビームの照射位置の制御 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@E
    		•  ・ビームの照射量、照射形状の制御 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@V
    		•  調整系 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@F
    		•  ・焦点の調整方法 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@H
    		•  ・軸の調整方法 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@U
    		•  測定系 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@N
    		•  ・ビームの属性の測定 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@K
    		•  ・位置合わせマークの位置の測定 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@G
    		•  鏡体系 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@L
    		•  ・試料室，試料台，試料搬送カセット HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@P
    		•  試料の処理 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@Q
    		•  可変整形ビームを用いた電子線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@R
    		•  固定整形ビームを用いた電子線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@S
    		•  パターンマスクを用いた電子線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@T
    		•  フォト・カソードを用いた電子線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@W
    		•  複数のビームを用いた電子線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,541@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F056
  • H01L21/30,551
    		•  ・・・・・・イオン線露光 HB CC 5F056
  • H01L21/30,561
    		•  ・・・・・・レジスト膜の処理 HB CC 5F146
  • H01L21/30,562
    		•  ・・・・・・・一般的なもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,563
    		•  ・・・・・・・レジスト塗布以前の処理，レジスト接着強化膜 HB CC 5F146
  • H01L21/30,564
    		•  ・・・・・・・レジスト塗布 HB CC 5F146
  • H01L21/30,564@C
    		•  回転塗布装置 HB CC 5F146
  • H01L21/30,564@D
    		•  回転塗布方法 HB CC 5F146
  • H01L21/30,564@Z
    		•  その他の塗布装置 HB CC 5F146
  • H01L21/30,565
    		•  ・・・・・・・レジスト塗布以後，露光以前の処理（ベーキングを除く） HB CC 5F146
  • H01L21/30,566
    		•  ・・・・・・・・ベーキング一般又はプリベーキング HB CC 5F146
  • H01L21/30,567
    		•  ・・・・・・・・ベーキング装置（乾燥） HB CC 5F146
  • H01L21/30,568
    		•  ・・・・・・・露光以後，現像以前の処理（グラフト重合） HB CC 5F146
  • H01L21/30,569
    		•  ・・・・・・・現像，リンス HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@A
    		•  湿式 HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@B
    		•  ・現像槽（浸漬） HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@C
    		•  ・回転処理 HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@D
    		•  ・搬送を伴なうもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@E
    		•  ・現像液，リンス液 HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@F
    		•  ・現像方法 HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@G
    		•  ・現像終点の検知 HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@H
    		•  ・乾式 HB CC 5F146
  • H01L21/30,569@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,570
    		•  ・・・・・・・現像以後の処理（ベーキングを除く） HB CC 5F146
  • H01L21/30,571
    		•  ・・・・・・・・ポストベーキング（熱＋紫外線） HB CC 5F146
  • H01L21/30,572
    		•  ・・・・・・・・レジスト膜の剥離 HB CC 5F146
  • H01L21/30,572@A
    		•  乾式 HB CC 5F146
  • H01L21/30,572@B
    		•  湿式 HB CC 5F146
  • H01L21/30,572@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F146
  • H01L21/30,573
    		•  ・・・・・・・多層レジスト膜 HB CC 5F146
  • H01L21/30,574
    		•  ・・・・・・・反射防止膜，反射膜（吸収膜） HB CC 5F146
  • H01L21/30,575
    		•  ・・・・・・・レジストの保護膜（表面膜） HB CC 5F146
  • H01L21/30,576
    		•  ・・・・・・・レジストパターンのオーバーハング、傾斜形状 HB CC 5F146
  • H01L21/30,577
    		•  ・・・・・・・ウェハ周辺部のレジスト除去 HB CC 5F146
  • H01L21/30,578
    		•  ・・・・・・・平坦化（プラナリゼーション） HB CC 5F146
  • H01L21/30,579
    		•  ・・・・・・・カルコゲンを用いたもの HB CC 5F146
  • H01L21/302
    		•  ・・・・・表面の物理的性質または形状の変換，例．エッチング，ポリシング，切断 HB CC 5F004
  • H01L21/302,100
    		•  ・・・・・・プラズマエッチング HB CC 5F004
  • H01L21/302,101
    		•  ・・・・・・・プラズマエッチング装置 HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@B
    		•  平行平板型［容量結合型、ＲＩＥ、２周波数型装置を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@C
    		•  誘導結合型［ＴＣＰ（登録商標）、ＩＣＰ、ヘリコン波型を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@D
    		•  マイクロ波励起型・ＵＨＦ波励起［ＥＣＲ、空洞共振型を含む：一般的にマイクロ波を用いるものを含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@E
    		•  局所プラズマ［大気圧放電、ＰＡＣＥ、ケミカルヴェーパーマシニング［ＣＶＭ］を含む） HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@F
    		•  ウェハ積層型バッチ処理装置［バレル型、エッチングトンネルを含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@G
    		•  装置間共通事項［基板冷却機構、加熱機構、静電チャック、配管、工程間の搬送、プロセスシミュレーション、他の半導体製造設備との組合せ等を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@H
    		•  ・装置の清浄化処理［装置壁クリーニング、エイジング等を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@M
    		•  ・メンテナンス性の向上［装置を分解して清掃したり、消耗品を交換したりする際に必要とされる技術］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@L
    		•  ・電極の材質［ガラス状カーボンなど炭素からなる電極の材質を特定したものあるいは電極の形成方法に関する発明を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@R
    		•  ・バックサイドガス供給［被処理基板の裏面の載置台に密着する部分に熱伝導ガスを供給して熱的接触を改善する技術を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,101@Z
    		•  その他 HB CC 5F004
  • H01L21/302,102
    		•  ・・・・・・・基板の清浄化処理［基板面のクリーニング等を含む：プラズマを用いたクリーニングはＨ０１Ｌ２１／３０２，１０６を優先］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,103
    		•  ・・・・・・・終点検知・モニタリング〔エッチングの終点検知，プラズマのモニタリングに関するもの（分光分析，質量検知，検知波形の処理方法）〕 HB CC 5F004
  • H01L21/302,104
    		•  ・・・・・・・被エッチング物 HB CC 5F004
  • H01L21/302,104@C
    		•  導電性材料のエッチング［Ａｌ等を含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,104@H
    		•  有機物のエッチング［レジストアッシング、灰化除去、プラズマを用いないレジストアッシングも例外的にこのＦＩに付与］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,104@Z
    		•  その他 HB CC 5F004
  • H01L21/302,105
    		•  ・・・・・・・特殊加工 HB CC 5F004
  • H01L21/302,105@A
    		•  パターニング［シリル化等のパターニング自体に特徴があり、実施例に被エッチング物の明記がされていないもの又はプラズマを用いないチャージアップ防止も含む］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,105@B
    		•  全面エッチング［エッチバック、平坦化自体に特徴があり、実施例に被エッチング物の明記がされていないもの］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,105@Z
    		•  その他 HB CC 5F004
  • H01L21/302,106
    		•  ・・・・・・・プラズマ後処理［エッチング処理後のプラズマを用いた工程、プラズマを用いたチャージアップ防止等に特徴があるもの］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,201
    		•  ・・・・・・プラズマを用いないエッチング HB CC 5F004
  • H01L21/302,201@A
    		•  プラズマを用いない気相エッチング［高温状態のガスとの接触によるエッチング、蒸気によるエッチング：例］ＨＦガスとＨ２Ｏによるエッチング］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,201@B
    		•  エネルギービームエッチング［ＦＩＢ、収束イオンビーム、アブレーションや電子ビームエッチングを含む：プラズマイオン源を用いたイオンシャワー、ＲＩＢＥはＨ０１Ｌ２１／３０２，１０１が優先］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,201@Z
    		•  その他 HB CC 5F004
  • H01L21/302,301
    		•  ・・・・・・下地層［被エッチング層とエッチングされないその下の層との選択性を高めることを目的として発明された構造、エッチングガスなど］ HB CC 5F004
  • H01L21/302,301@S
    		•  下地層がシリコン酸化膜 HB CC 5F004
  • H01L21/302,301@N
    		•  下地層がシリコン窒化膜 HB CC 5F004
  • H01L21/302,301@M
    		•  下地層が金属膜 HB CC 5F004
  • H01L21/302,301@G
    		•  ・下地層がアルミニウム HB CC 5F004
  • H01L21/302,301@Z
    		•  その他 HB CC 5F004
  • H01L21/302,400
    		•  ・・・・・・その他［原則的に使用しない：プラズマエッチングで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，１０１に付与、イオンビームなどで適当なＦＩがなければ、Ｈ０１Ｌ２１／３０２，２０１に付与］ HB CC 5F004
  • H01L21/304
    		•  ・・・・・・機械的処理，例．研摩，超音波処理 HB CC 5F057
  • H01L21/304,601
    		•  ・・・・・・・機械的加工（一般的なものは，Ｂ２４Ｂ，Ｂ２８Ｄ） HB CC 5F057
  • H01L21/304,601@S
    		•  サンドブラスト，又は液体の噴き付けによるもの HB CC 5F057
  • H01L21/304,601@H
    		•  劈開によるもの HB CC 5F057
  • H01L21/304,601@M
    		•  マウンドの除去〔研削によるものは，Ｈ０１Ｌ２１／３０４．６３１も付与する〕 HB CC 5F057
  • H01L21/304,601@B
    		•  基板の面取り，メサ，ベベル，溝堀り HB CC 5F057
  • H01L21/304,601@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F057
  • H01L21/304,611
    		•  ・・・・・・・・スライシング HB CC 5F057
  • H01L21/304,611@S
    		•  回転する刃によるもの［例．内周刃，外周刃］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,611@W
    		•  ワイヤーソー又は往復運動する刃によるもの HB CC 5F057
  • H01L21/304,611@B
    		•  スライシングの前処理［例．インゴットの方向出し，インゴットの受台］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,611@A
    		•  スライシングの後処理［例．スライス後のウエハの受取り］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,611@Z
    		•  その他のもの［例．ウエハに対する他の処理（拡散，接着）と共に行うもの］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,621
    		•  ・・・・・・・・研磨［一般的なものはＢ２４Ｂ］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,621@A
    		•  両面研磨 HB CC 5F057
  • H01L21/304,621@B
    		•  片面研磨 HB CC 5F057
  • H01L21/304,621@C
    		•  ・砥石を使用するもの HB CC 5F057
  • H01L21/304,621@D
    		•  ・研磨剤を使用するもの［例．ＣＭＰ］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,621@E
    		•  基板の端縁等の研磨［例．エッジ、面取部、オリフラ、ノッチの研磨］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,621@Z
    		•  その他［例．ドライ雰囲気中での研磨］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622
    		•  ・・・・・・・・・研磨の細部、又は共通事項 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@A
    		•  研磨剤 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@B
    		•  ・粒子 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@C
    		•  ・溶液 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@D
    		•  ・粒子と溶液の混合物［例．スラリー状のもの］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@E
    		•  研磨剤の供給、回収 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@F
    		•  研磨布、研磨シート［含．砥石］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@G
    		•  研磨装置への基板の保持 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@H
    		•  ・吸着によるもの［例．真空チャック］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@J
    		•  ・接着によるもの［例．保護膜］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@K
    		•  ・基板の押圧の調整［例．流体による押圧］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@L
    		•  研磨装置への基板の貼り付け、剥がし［２１／６８Ｎ，２１／７８Ｐ，２１／７８Ｍ参照］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@M
    		•  研磨布の目立て［ドレッシング］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@N
    		•  研磨の前処理 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@P
    		•  研磨の後処理 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@Q
    		•  ・基板の洗浄 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@R
    		•  研磨の制御、調整［例．回転数、温度、冷却］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@S
    		•  終点の検知、膜厚、平坦度の測定 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@T
    		•  研磨する基板の形状・構造 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@W
    		•  ・Ｓｉ以外の基板、ＳＯＩ基板、張り合わせ基板等 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@X
    		•  ・配線、層間絶縁膜 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@Y
    		•  ・基板の端縁、ノッチ、オリフラ等 HB CC 5F057
  • H01L21/304,622@Z
    		•  その他 HB CC 5F057
  • H01L21/304,631
    		•  ・・・・・・・・研削［一般的なものはＢ２４Ｂ］ HB CC 5F057
  • H01L21/304,641
    		•  ・・・・・・・洗浄［一般的なものはＢ０８Ｂ、薬液の塗布一般はＢ０５Ｃ、レジスト・現像液の塗布は２１／３０］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,642
    		•  ・・・・・・・・洗浄槽に浸漬するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@A
    		•  単槽 HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@B
    		•  複槽 HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@C
    		•  ・槽間で洗浄液の移動のあるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@D
    		•  洗浄中に基板を動かすもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@E
    		•  超音波を使用するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@F
    		•  ノズルを設けるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,642@Z
    		•  その他［例．基板以外の洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,643
    		•  ・・・・・・・・ノズル、スプレイを用いるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,643@A
    		•  基板を回転するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,643@B
    		•  基板を移動するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,643@C
    		•  ノズル自体に特徴のあるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,643@D
    		•  ・超音波を使用するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,643@Z
    		•  その他［例．粒子の吹き付け、基板以外の洗浄、ノズルの洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,644
    		•  ・・・・・・・・スクラブによる洗浄［例．ブラシ、スポンジ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@A
    		•  基板を回転するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@B
    		•  ・スクラブ手段を移動するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@C
    		•  ・スクラブ手段を回転するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@D
    		•  基板を移動するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@E
    		•  ・スクラブ手段を回転するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@F
    		•  ・スクラブ手段を移動するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@G
    		•  スクラブ手段自体に特徴のあるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,644@Z
    		•  その他［例．基板以外の洗浄、ブラシの洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,645
    		•  ・・・・・・・・気相での洗浄 HB CC 5F157
  • H01L21/304,645@A
    		•  不活性ガスを用いるもの［例．Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,645@B
    		•  蒸気を用いるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,645@C
    		•  プラズマを用いるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,645@D
    		•  紫外線等を用いるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,645@Z
    		•  その他［例．基板以外の洗浄］［キャリアの洗浄は６４８Ｅ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,646
    		•  ・・・・・・・・静電気を用いるもの、又は静電気の除去 HB CC 5F157
  • H01L21/304,647
    		•  ・・・・・・・・洗浄液に特徴のあるもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,647@A
    		•  有機系 HB CC 5F157
  • H01L21/304,647@B
    		•  界面活性剤を添加するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,647@Z
    		•  その他 HB CC 5F157
  • H01L21/304,648
    		•  ・・・・・・・・装置の細部、又は共通事項 HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@A
    		•  搬送手段［基板の搬送一般２１／６８参照］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@B
    		•  ・複数枚同時に搬送するもの［例．キャリアレス］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@C
    		•  ・・キャリアを用いるもの［キャリア自体に特徴のあるものはＤ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@D
    		•  基板容器［キャリア］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@E
    		•  基板容器の洗浄 HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@F
    		•  洗浄液の循環濾過、フィルタ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@G
    		•  洗浄の制御、調整、検知 HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@H
    		•  ・複数工程におよぶ制御、工程全般の制御 HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@J
    		•  配置［レイアウト］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@K
    		•  ・液系の共通事項［例．配管、バルブ、ポンプ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@L
    		•  ・気系の共通事項［例．排気、換気］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,648@Z
    		•  その他 HB CC 5F157
  • H01L21/304,651
    		•  ・・・・・・・洗浄と乾燥の一連処理、乾燥 HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@A
    		•  基板を回転するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@B
    		•  ・枚葉式 HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@C
    		•  ・バッチ式 HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@D
    		•  ・・回転軸が水平、又は水平から傾いたもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@E
    		•  ・・回転軸が垂直、又は垂直から傾いたもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@F
    		•  ・・・複数個のキャリアの各中心軸を回転軸に平行に配置するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@G
    		•  基板の移動を伴うもの［除く、回転］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@H
    		•  蒸気を使用するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@J
    		•  基板を浸漬するもの［例．温純水に浸漬するもの］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@K
    		•  減圧するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@L
    		•  気体を吹き付け、送風するもの［蒸気の吹き付けはＨ］ HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@M
    		•  ヒータ、光等により基板を直接加熱するもの HB CC 5F157
  • H01L21/304,651@Z
    		•  その他［例．基板以外の乾燥］ HB CC 5F157
  • H01L21/306
    		•  ・・・・・・化学的または電気的処理，例．電解エッチング（絶縁層の形成２１／３１） HB CC 5F043
  • H01L21/306@A
    		•  ウェットエッチング一般〔方法〕〔ドライエッチングは，Ｈ０１Ｌ２１／３０２〕 HB CC 5F043
  • H01L21/306@B
    		•  ・半導体本体用 HB CC 5F043
  • H01L21/306@C
    		•  ・・ウエハの分割用 HB CC 5F043
  • H01L21/306@D
    		•  ・絶縁膜用 HB CC 5F043
  • H01L21/306@E
    		•  ・・チッ化膜用 HB CC 5F043
  • H01L21/306@F
    		•  ・電極・配線用 HB CC 5F043
  • H01L21/306@G
    		•  ・・多結晶シリコン用 HB CC 5F043
  • H01L21/306@J
    		•  装置 HB CC 5F043
  • H01L21/306@K
    		•  ・ウエハの収納保持 HB CC 5F043
  • H01L21/306@U
    		•  終点検知 HB CC 5F043
  • H01L21/306@L
    		•  電解エッチング HB CC 5F043
  • H01L21/306@M
    		•  化学的研摩〔ウェハ表面平滑化〕「図」 HB CC 5F043
  • H01L21/306@N
    		•  リフトオフ法 HB CC 5F043
  • H01L21/306@P
    		•  アンダーエッチング（微細加工）法「図」 HB CC 5F043
  • H01L21/306@Q
    		•  テーパーエッチング，平坦化〔段差防止〕「図」 HB CC 5F043
  • H01L21/306@R
    		•  スプレーエッチング〔装置もここにつける〕 HB CC 5F043
  • H01L21/306@S
    		•  ドライ＋ウエットエッチング HB CC 5F043
  • H01L21/306@T
    		•  イオン注入後のエッチング HB CC 5F043
  • H01L21/306@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F043
  • H01L21/308
    		•  ・・・・・・・マスクを用いるもの HB CC 5F043
  • H01L21/308@A
    		•  エッチング液〔液組成〕 HB CC 5F043
  • H01L21/308@B
    		•  ・Ｓｉ，Ｇｅ用 HB CC 5F043
  • H01L21/308@C
    		•  ・Ｓｉ，Ｇｅ以外用 HB CC 5F043
  • H01L21/308@D
    		•  ・多結晶・アモルファス用 HB CC 5F043
  • H01L21/308@E
    		•  ・絶縁体用 HB CC 5F043
  • H01L21/308@F
    		•  ・金属用 HB CC 5F043
  • H01L21/308@G
    		•  ・洗浄液・表面処理液 HB CC 5F043
  • H01L21/308@Z
    		•  その他 HB CC 5F043
  • H01L21/31
    		•  ・・・・・・半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用（電極を形成する層２１／２８；封緘層２１／５６）［２］ HB CC 5F045
  • H01L21/31@A
    		•  装置 HB CC 5F045
  • H01L21/31@B
    		•  ・気相堆積装置 HB CC 5F045
  • H01L21/31@C
    		•  ・・プラズマを利用するもの HB CC 5F045
  • H01L21/31@D
    		•  ・・スパッタ装置 HB CC 5F045
  • H01L21/31@E
    		•  ・熱処理炉 HB CC 5F045
  • H01L21/31@F
    		•  ・付属具；冶具 HB CC 5F045
  • H01L21/31@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F045
  • H01L21/312
    		•  ・・・・・・・有機物層，例．フォトレジスト HB CC 5F058
  • H01L21/312@A
    		•  材料に特徴あるもの HB CC 5F058
  • H01L21/312@B
    		•  ・ポリイミド樹脂 HB CC 5F058
  • H01L21/312@C
    		•  ・珪素樹脂 HB CC 5F058
  • H01L21/312@D
    		•  ・感光性樹脂 HB CC 5F058
  • H01L21/312@M
    		•  積層構造を有するもの HB CC 5F058
  • H01L21/312@N
    		•  ・無機物層があるもの HB CC 5F058
  • H01L21/312@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F058
  • H01L21/314
    		•  ・・・・・・・無機物層 HB CC 5F058
  • H01L21/314@A
    		•  材料に特徴のあるもの HB CC 5F058
  • H01L21/314@M
    		•  積層構造を有するもの HB CC 5F058
  • H01L21/314@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F058
  • H01L21/316
    		•  ・・・・・・・・酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの［２］ HB CC 5F058
  • H01L21/316@A
    		•  直接変換膜 HB CC 5F058
  • H01L21/316@S
    		•  ・熱酸化によるもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@T
    		•  ・陽極酸化によるもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@U
    		•  ・溶液処理によるもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@B
    		•  堆積膜 HB CC 5F058
  • H01L21/316@X
    		•  ・気相堆積によるもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@Y
    		•  ・・スパッタによるもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@C
    		•  被着後酸化するもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@G
    		•  グラシベーション HB CC 5F058
  • H01L21/316@H
    		•  ・ガラス組成 HB CC 5F058
  • H01L21/316@M
    		•  積層構造を有するもの HB CC 5F058
  • H01L21/316@P
    		•  成膜後の処理〔アニールを含む〕 HB CC 5F058
  • H01L21/316@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F058
  • H01L21/318
    		•  ・・・・・・・・窒化物からなるもの HB CC 5F058
  • H01L21/318@A
    		•  直接変換膜 HB CC 5F058
  • H01L21/318@B
    		•  堆積膜 HB CC 5F058
  • H01L21/318@C
    		•  酸窒化膜 HB CC 5F058
  • H01L21/318@M
    		•  積層構造を有するもの HB CC 5F058
  • H01L21/318@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F058
  • H01L21/32
    		•  ・・・・・・・マスクを用いるもの（２１／３０８が優先） HB CC 5F058
  • H01L21/322
    		•  ・・・・・半導体本体の内部性質の改変，例．内部不完全性の形成 HB CC 5F054
  • H01L21/322@G
    		•  ゲッタリング HB CC 5F054
  • H01L21/322@C
    		•  ・３―５族化合物半導体 HB CC 5F054
  • H01L21/322@E
    		•  ・高エネルギービームによる HB CC 5F054
  • H01L21/322@J
    		•  ・・イオンビームによる HB CC 5F054
  • H01L21/322@M
    		•  ・機械的，化学的歪による HB CC 5F054
  • H01L21/322@N
    		•  ・窒化に HB CC 5F054
  • H01L21/322@P
    		•  ・多結晶膜による HB CC 5F054
  • H01L21/322@Q
    		•  ・酸化膜による HB CC 5F054
  • H01L21/322@R
    		•  ・リン・ボロンによる HB CC 5F054
  • H01L21/322@S
    		•  ・金属〔Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｕ〕による HB CC 5F054
  • H01L21/322@X
    		•  ・ハロゲンによる HB CC 5F054
  • H01L21/322@Y
    		•  ・イントリンシックゲッタリング HB CC 5F054
  • H01L21/322@K
    		•  ライフタイムキラードーピング HB CC 5F054
  • H01L21/322@L
    		•  高エネルギービームによるライフタイムコントロール HB CC 5F054
  • H01L21/322@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/324
    		•  ・・・・・半導体本体の性質を改変するための熱処理，例．アニーリング，シンタリング（２１／２０～２１／２８８，２１／３０２～２１／３２２が優先） HB CC 5F054
  • H01L21/324@C
    		•  ３―５族化合物半導体［Ｃ～Ｒよりも優先；結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０１Ａが優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/324@X
    		•  半導体の改質［欠陥除去など；結晶成長時のアニールはＨ０１Ｌ２１／２０、イオン注入の際のアニールはＨ０１Ｌ２１／２６５，６０２が優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/324@N
    		•  熱処理による，Ｐ―Ｎ接合の形成 HB CC 5F054
  • H01L21/324@G
    		•  アニール装置 HB CC 5F054
  • H01L21/324@J
    		•  ・加熱手段［ランプはＨ０１Ｌ２１／２６、電子線はＨ０１Ｌ２１／２６３、レーザはＨ０１Ｌ２１／２６８が優先］ HB CC 5F054
  • H01L21/324@K
    		•  ・・ヒータ HB CC 5F054
  • H01L21/324@Q
    		•  ・ウエハ支持治具［ボート、サセプタ、ステージ］ HB CC 5F054
  • H01L21/324@R
    		•  ・ガスの導入・排出経路、ガスの流れ方 HB CC 5F054
  • H01L21/324@S
    		•  ・ウエハの搬送手段［予備室も含む］ HB CC 5F054
  • H01L21/324@W
    		•  前処理・後処理［基板の予備加熱・冷却］ HB CC 5F054
  • H01L21/324@T
    		•  測定、制御 HB CC 5F054
  • H01L21/324@P
    		•  プラズマ・アニール HB CC 5F054
  • H01L21/324@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F054
  • H01L21/326
    		•  ・・・・・電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用（２１／２０～２１／２８８，２１／３０２～２１／３２４が優先） HB CC 5F054
  • H01L21/34
    		•  ・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない２１／０６，２１／１６および２１／１８に分類されない半導体本体を有する装置［２］ HB CC 5F152
  • H01L21/36
    		•  ・・・・基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長［２］ HB CC 5F152
  • H01L21/363
    		•  ・・・・・物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング HB CC 5F103
  • H01L21/365
    		•  ・・・・・固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの HB CC 5F045
  • H01L21/368
    		•  ・・・・・液相成長を用いるもの HB CC 5F053
  • H01L21/368@L
    		•  有機層を有するもの HB CC 5F053
  • H01L21/368@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F053
  • H01L21/38
    		•  ・・・・半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散［２］ HB CC 5F042
  • H01L21/383
    		•  ・・・・・気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの HB CC 5F042
  • H01L21/385
    		•  ・・・・・固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの HB CC 5F042
  • H01L21/388
    		•  ・・・・・液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法 HB CC 5F042
  • H01L21/40
    		•  ・・・・半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金［２］ HB CC 5F042
  • H01L21/42
    		•  ・・・・輻射線の照射 HB CC 5F054
  • H01L21/423
    		•  ・・・・・高エネルギーの輻射線を有するもの HB CC 5F054
  • H01L21/425
    		•  ・・・・・・イオン注入法（局所的な処理のためのイオンビーム管Ｈ０１Ｊ３７／３０）［２］ HB CC 5F054
  • H01L21/428
    		•  ・・・・・・電磁波，例．レーザ光線，を用いるもの HB CC 5F054
  • H01L21/44
    		•  ・・・・２１／３６～２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 HB CC 4M104
  • H01L21/441
    		•  ・・・・・電極用の導電または絶縁材料の析出［２］ HB CC 4M104
  • H01L21/443
    		•  ・・・・・・気体または蒸気からの析出，例．凝結 HB CC 4M104
  • H01L21/445
    		•  ・・・・・・液体からの析出，例．電解液からの析出 HB CC 4M104
  • H01L21/447
    		•  ・・・・・圧力の適用を含むもの，例．熱圧着法（２１／６０７が優先） HB CC 5F044
  • H01L21/449
    		•  ・・・・・機械的振動，例．超音波振動，の適用を含むもの HB CC 5F044
  • H01L21/46
    		•  ・・・・Ｈ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造Ｈ０１Ｌ２１／４４，Ｈ１０Ｄ６４／０１）［２］ HB CC 5F146
  • H01L21/461
    		•  ・・・・・表面の物理的性質または形状の変換，例．エッチング，ポリシング，切断 HB CC 5F004
  • H01L21/463
    		•  ・・・・・・機械的処理，例．研摩，超音波処理 HB CC 5F057
  • H01L21/465
    		•  ・・・・・・化学的または電気的処理，例．電解エッチング（絶縁層の形成２１／４６９） HB CC 5F043
  • H01L21/467
    		•  ・・・・・・・マスクを用いるもの HB CC 5F043
  • H01L21/469
    		•  ・・・・・・半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキングのためのもの（電極を形成する層２１／２８；封緘層２１／５６）［２］ HB CC 5F045
  • H01L21/47
    		•  ・・・・・・・有機物層，例．フォトレジスト HB CC 5F058
  • H01L21/471
    		•  ・・・・・・・無機物層 HB CC 5F058
  • H01L21/473
    		•  ・・・・・・・・酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラス［２］ HB CC 5F058
  • H01L21/475
    		•  ・・・・・・・マスクを用いるもの（２１／４６７が優先） HB CC 5F058
  • H01L21/477
    		•  ・・・・・半導体本体の性質の改変のための熱処理，例．アニーリング，シンタリング（２１／３６～２１／４４９，２１／４６１～２１／４７５が優先） HB CC 5F054
  • H01L21/479
    		•  ・・・・・電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用（２１／３６～２１／４４９，２１／４６１～２１／４７７が優先） HB CC 5F054
  • H01L21/48
    		•  ・・・装置の組立に先立つ，部品，例．容器，の製造または処理であって，サブグループＨ０１Ｌ２１／１８－Ｈ０１Ｌ２１／３２６またはＨ１０Ｄ４８／０４～Ｈ１０Ｄ４８／０７の一つに分類されない方法を用いるもの［２］ HB CC 5F059
  • H01L21/50
    		•  ・・・サブグループＨ０１Ｌ２１／１８－Ｈ０１Ｌ２１／３２６またはＨ１０Ｄ４８／０４～Ｈ１０Ｄ４８／０７の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立［２］ HB CC 5F059
  • H01L21/50@A
    		•  組立 HB CC 5F059
  • H01L21/50@B
    		•  ・少くともダイボンデイングとワイヤボンデイングを含む組立 HB CC 5F059
  • H01L21/50@C
    		•  部品の移送・供給 HB CC 5F059
  • H01L21/50@D
    		•  ・リ－ドフレ－ムの移送・供給 HB CC 5F059
  • H01L21/50@E
    		•  リ－ドフレ－ムの収納 HB CC 5F059
  • H01L21/50@F
    		•  部品の位置決め HB CC 5F059
  • H01L21/50@G
    		•  封止 HB CC 5F059
  • H01L21/50@H
    		•  メツキ HB CC 5F059
  • H01L21/50@J
    		•  加熱 HB CC 5F059
  • H01L21/50@Z
    		•  その他 HB CC 5F059
  • H01L21/52
    		•  ・・・・容器中への半導体本体のマウント HB CC 5F047
  • H01L21/52@A
    		•  構造 HB CC 5F047
  • H01L21/52@B
    		•  ・材料限定 HB CC 5F047
  • H01L21/52@C
    		•  方法 HB CC 5F047
  • H01L21/52@D
    		•  ・材料限定 HB CC 5F047
  • H01L21/52@E
    		•  接着剤 HB CC 5F047
  • H01L21/52@F
    		•  ボンデイング装置 HB CC 5F047
  • H01L21/52@G
    		•  ・接着剤の供給・塗布 HB CC 5F047
  • H01L21/52@H
    		•  ・局部に加熱手段 HB CC 5F047
  • H01L21/52@J
    		•  圧接型 HB CC 5F047
  • H01L21/52@K
    		•  ・ボルトによる締付け HB CC 5F047
  • H01L21/52@L
    		•  ・スタツドを有するもの HB CC 5F047
  • H01L21/52@M
    		•  支持電極〔Ｃｕ－Ｃ〕 HB CC 5F047
  • H01L21/52@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F047
  • H01L21/54
    		•  ・・・・容器中への充填，例．ガス充填 HB CC 5F065
  • H01L21/56
    		•  ・・・・封緘，例．封緘層，被覆 HB CC 5F061
  • H01L21/56@R
    		•  樹脂封止 HB CC 5F061
  • H01L21/56@T
    		•  ・トランスファー成形，射出成形によるもの HB CC 5F061
  • H01L21/56@B
    		•  ・・リ－ドフレ－ムの搬出入 HB CC 5F061
  • H01L21/56@C
    		•  ・樹脂ペレツト・タブレツト HB CC 5F061
  • H01L21/56@D
    		•  ・バリ取り HB CC 5F061
  • H01L21/56@E
    		•  ・樹脂塗装〔ポッテイング，デイッピングなど，樹脂粉末の塗布も含む〕 HB CC 5F061
  • H01L21/56@G
    		•  ガラス封止 HB CC 5F061
  • H01L21/56@F
    		•  樹脂・ガラス以外による封止 HB CC 5F061
  • H01L21/56@H
    		•  リ－ドに特徴 HB CC 5F061
  • H01L21/56@J
    		•  光半導体用 HB CC 5F061
  • H01L21/56@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F061
  • H01L21/58
    		•  ・・・・支持体上への半導体装置のマウント HB CC 5F047
  • H01L21/60
    		•  ・・・・動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け HB CC 5F044
  • H01L21/60,301
    		•  ・・・・・ワイヤボンデイング HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@A
    		•  ワイヤによる内部接続 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@B
    		•  ・電極とリ－ドフレ－ムとの接続〔リ－ドフレ－ムの製造は，２３／５０Ａ〕〔ビ－ムリ－ドの切断は，２３／５０Ａ〕 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@C
    		•  ワイヤのシヨ－ト防止 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@D
    		•  ワイヤボンデイング方法 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@F
    		•  ワイヤボンデイング用金属線 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@G
    		•  ワイヤボンダ－上部機構 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@H
    		•  ・ワイヤボ－ル形成 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@J
    		•  ・ワイヤ張力調整・クランパ・ワイヤ供給 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@K
    		•  ワイヤボンダ－下部機構 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@L
    		•  ボンデイング位置検知，制御 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@M
    		•  リ－ドフレ－ム HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@N
    		•  ボンデイングパツド，電極〔形状・配置〕〔バンプは，２１／９２〕 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@P
    		•  ボンデイングパツド電極〔形状・配置を除いたもの〕〔バンプは，２１／９２〕 HB CC 5F044
  • H01L21/60,301@Z
    		•  その他 HB CC 5F044
  • H01L21/60,311
    		•  ・・・・・フエイスボンデング HB CC 5F044
  • H01L21/60,311@Q
    		•  フエイスボンデイングによる接続 HB CC 5F044
  • H01L21/60,311@R
    		•  ・テ－プキヤリアのリ－ドへの接続 HB CC 5F044
  • H01L21/60,311@S
    		•  ・絶縁基板の配線，バンプへの接続 HB CC 5F044
  • H01L21/60,311@T
    		•  フエイスボンダ－ HB CC 5F044
  • H01L21/60,311@W
    		•  テ－プキヤリア HB CC 5F044
  • H01L21/60,311@Z
    		•  その他 HB CC 5F044
  • H01L21/60,321
    		•  ・・・・・上記以外のボンデイングおよびボンデイグ関連事項 HB CC 5F044
  • H01L21/60,321@E
    		•  ワイヤ以外の接続子による内部接続 HB CC 5F044
  • H01L21/60,321@V
    		•  ビ－ムリ－ド HB CC 5F044
  • H01L21/60,321@X
    		•  高周波用装置 HB CC 5F044
  • H01L21/60,321@Y
    		•  ボンデイング検査 HB CC 5F044
  • H01L21/60,321@Z
    		•  その他 HB CC 5F044
  • H01L21/603
    		•  ・・・・・圧力の適用を含むもの，例．熱圧着結合（２１／６０７が優先） HB CC 5F044
  • H01L21/603@A
    		•  圧着による半導体装置 HB CC 5F044
  • H01L21/603@B
    		•  圧着方法 HB CC 5F044
  • H01L21/603@C
    		•  圧着装置 HB CC 5F044
  • H01L21/603@Z
    		•  その他 HB CC 5F044
  • H01L21/607
    		•  ・・・・・機械振動，例．超音波振動，の適用を含むもの HB CC 5F044
  • H01L21/607@A
    		•  超音波ボンデイングによる半導体装置 HB CC 5F044
  • H01L21/607@B
    		•  超音波ボンデイング方法 HB CC 5F044
  • H01L21/607@C
    		•  超音波ボンデイング装置 HB CC 5F044
  • H01L21/607@Z
    		•  その他 HB CC 5F044
  • H01L21/62
    		•  ・・電位障壁を有しない装置［２００６．０１］ HB CC 5F093
  • H01L21/64
    		•  ・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループＨ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００またはサブクラスＨ１０Ｆ，Ｈ１０Ｈ，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎに分類されている一つの型の装置に特に適していないもの［２００６．０１］ HB CC 4M106
  • H01L21/66
    		•  ・製造または処理中の試験または測定（製造後のものＧ０１Ｒ３１／２６） HB CC 4M106
  • H01L21/66@A
    		•  不良素子の識別〔マ―キング，マップ等〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@B
    		•  プロ―バ HB CC 4M106
  • H01L21/66@C
    		•  ・非接触型〔電子ビ―ム，レ―ザ等〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@D
    		•  試験・測定用治具 HB CC 4M106
  • H01L21/66@E
    		•  試験・測定用電極，端子〔半導体装置に設けたもの〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@F
    		•  試験・測定用回路〔半導体装置に形成したもの〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@G
    		•  オ―トハンドラ HB CC 4M106
  • H01L21/66@H
    		•  各種条件下での試験・測定 HB CC 4M106
  • H01L21/66@J
    		•  外観，パタ―ン〔Ｐ，Ｒが優先〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@K
    		•  ・ピンホ―ル，クラック，そり等〔光等の非接触手段によるものはＪ〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@L
    		•  半導体基板・素子の物性 HB CC 4M106
  • H01L21/66@M
    		•  ・キャリア寿命 HB CC 4M106
  • H01L21/66@N
    		•  ・内部状態〔組成，格子，エッチピット，断面観察等，Ｐが優先〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@P
    		•  厚み，位置，切断面角度等 HB CC 4M106
  • H01L21/66@Q
    		•  酸化膜，分離，接合等〔Ｐが優先〕 HB CC 4M106
  • H01L21/66@R
    		•  ボンディング状態，封止状態 HB CC 4M106
  • H01L21/66@S
    		•  配線部の断線・短絡等 HB CC 4M106
  • H01L21/66@T
    		•  〔半導体装置の〕温度・発色状態 HB CC 4M106
  • H01L21/66@U
    		•  バイポ―ラトランジスタ HB CC 4M106
  • H01L21/66@V
    		•  ＦＥＴ，ＭＯＳ構造 HB CC 4M106
  • H01L21/66@W
    		•  メモリ HB CC 4M106
  • H01L21/66@X
    		•  発光素子，受光素子 HB CC 4M106
  • H01L21/66@Y
    		•  チェック用素子 HB CC 4M106
  • H01L21/66@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M106
  • H01L21/68
    		•  ・製造中の構成部品の支持または位置決め用装置，例．ジグ HB CC 5F131
  • H01L21/68@A
    		•  移送〔ウェハ移送具，アーム，マニピュレータ，ハンド，ロボット，台車，コンベヤレイアウト設計〕［簡単なものは物流］ HB CC 5F131
  • H01L21/68@B
    		•  ・移送のための吸着アーム HB CC 5F131
  • H01L21/68@C
    		•  ・・ベルヌーイチャック〔吹き付けによる負圧で吸着〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@D
    		•  複数ウェハの一括移しかえ〔キャリアとボード間の移替え，ウェハ配列ピッチ変えの移替〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@E
    		•  ペレット，チップの取外し〔突き上げウェハ切断後，チップ一ケ毎突き上げて分離〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@F
    		•  位置検出・制御〔Ｍが優先〕〔マーク検出〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@G
    		•  位置決め・整列〔Ｍが優先〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@J
    		•  ・リードフレームの位置決め HB CC 5F131
  • H01L21/68@K
    		•  載置台の移動〔微動テーブル，位置決めステージ〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@L
    		•  ウェハの有無・表裏等の検出〔枚数カウント〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@M
    		•  オリフラ部を利用したもの〔オリフラ検出，オリフラ合わせ〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@N
    		•  保持〔ウェハを処理するとき止めておく治具，ウェハ面保護テープ貼りとはがし〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@P
    		•  ・吸着によるもの〔吸着盤に保持〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@R
    		•  ・・静電チャック〔静電吸着盤に保持〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@S
    		•  把持〔ピンセット，はさんで把持するアーム〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@T
    		•  容器〔ストッカ，キャビネ，倉庫，仕かかり品のみ，完成品は流通〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@U
    		•  ・水平状態のペレット・ウェハ等のためのもの〔トレイ〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@V
    		•  ・積層型〔ウェハキャリア〕 HB CC 5F131
  • H01L21/68@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F131
  • H01L21/70
    		•  ・１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置またはその部品の製造または処理；集積回路装置またはその部品の製造（予め形成された電気的構成部品からなる組立体の製造Ｈ０５Ｋ３／００，１３／００）［２］ HB CC 5F032
  • H01L21/72
    		•  ・・基板が半導体本体のもの［２］ HB CC 5F032
  • H01L21/74
    		•  ・・・高い不純物濃度の埋込み領域，例．埋込みコレクター層，内部の相互接続，の形成［２］ HB CC 5F032
  • H01L21/76
    		•  ・・・構成部品間の分離領域，例．Ｐ―Ｎ接合，誘電体層，空隙，の形成 HB CC 5F032
  • H01L21/76@A
    		•  空気〔空隙〕による分離 HB CC 5F032
  • H01L21/76@J
    		•  Ｐ―Ｎ接合のみによる分離〔ＭＯＳＩＣの分離Ｍ〕 HB CC 5F032
  • H01L21/76@D
    		•  誘電体のみによる分離〔Ｐが優先〕 HB CC 5F032
  • H01L21/76@M
    		•  Ｐ―Ｎ接合及び誘電体による複合分離，例．ＬＯＣＯＳ技術を含むもの〔Ｐが優先〕 HB CC 5F032
  • H01L21/76@N
    		•  ・溝を形成するもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@L
    		•  ・・垂直な溝を形成するもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@V
    		•  ・・Ｖ溝を形成するもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@E
    		•  ・エピタキシャルに特徴のあるもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@S
    		•  寄生効果の防止に特徴のあるもの，例．チャンネルストッパーの形成 HB CC 5F032
  • H01L21/76@P
    		•  シリコンの多孔質化技術を利用したもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@Q
    		•  多結晶シリコンに特徴のあるもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@R
    		•  イオン注入に特徴のあるもの HB CC 5F032
  • H01L21/76@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F032
  • H01L21/78
    		•  ・・・複数の個々の構成部品に基板を分割することによるもの HB CC 5F063
  • H01L21/78@A
    		•  分割 HB CC 5F063
  • H01L21/78@B
    		•  レ－ザ－スクライブ HB CC 5F063
  • H01L21/78@C
    		•  ダイシングライン検出 HB CC 5F063
  • H01L21/78@F
    		•  回転ブレ－ド HB CC 5F063
  • H01L21/78@G
    		•  ダイヤモンド・カツタ－ HB CC 5F063
  • H01L21/78@H
    		•  サンドブラスト HB CC 5F063
  • H01L21/78@L
    		•  ウエハの前処理，スクライブラインの形状・構造 HB CC 5F063
  • H01L21/78@M
    		•  ウエハの接着，補強，ダイシング治具 HB CC 5F063
  • H01L21/78@N
    		•  ウエハの保持，搬送 HB CC 5F063
  • H01L21/78@P
    		•  ウエハの後処理，接着テ－プ等の剥離 HB CC 5F063
  • H01L21/78@Q
    		•  ダイシング方法，分割を伴なう一連処理 HB CC 5F063
  • H01L21/78@R
    		•  ダイシング後又はダイシング後クラツキング前のウエハ又はチツプの形状・構造 HB CC 5F063
  • H01L21/78@S
    		•  少なくともエツチングを用いるもの HB CC 5F063
  • H01L21/78@T
    		•  クラツキング HB CC 5F063
  • H01L21/78@U
    		•  ・劈開 HB CC 5F063
  • H01L21/78@V
    		•  ダイシング後クラツキングを行なうもの HB CC 5F063
  • H01L21/78@W
    		•  スペ－シング HB CC 5F063
  • H01L21/78@X
    		•  少なくともクラツキングとスペ－シングの両方を行なうもの HB CC 5F063
  • H01L21/78@Y
    		•  ピツキング，ペレツトの取り剥がし HB CC 5F063
  • H01L21/78@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F063
  • H01L21/80
    		•  ・・・・個々の構成部品が１つの共通基板内または基板上に形成された複数の構成部品からなっているもの HB CC 5F063
  • H01L21/84
    		•  ・・基板が半導体本体以外のもの，例．絶縁体のもの［２］ HB CC 5F152
  • H01L21/86
    		•  ・・・絶縁体がサファイアのもの，例．サファイア構造上のシリコン，すなわちＳＯＳ［２］ HB CC 5F045
  • H01L21/88
    		•  ・・電流を流すためのリードまたは導電部材の取り付け HB CC 5F033
  • H01L21/88@A
    		•  配線パターンに関するもの〔配線の一般的構造〕 HB CC 5F033
  • H01L21/88@B
    		•  ・配線パターンの形成に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@C
    		•  ・・配線材料のエッチングによるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@D
    		•  ・・・ドライエッチングによるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@E
    		•  ・・選択酸化によるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@F
    		•  ・・テーパーの形成に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@G
    		•  ・・リフトオフによるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@H
    		•  ・・・リフトオフにより平坦化されるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@J
    		•  ・半導体基板内に配線層を設けるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@K
    		•  ・配線層表面の平坦化に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@M
    		•  配線材料に特徴のあるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@N
    		•  ・Ａｌ又は，Ａｌ合金を用いるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@P
    		•  ・半導体を用いるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@Q
    		•  ・金属及び半導体を併用するもの〔シリサイド，ポリサイド〕 HB CC 5F033
  • H01L21/88@R
    		•  ・金属積層材を用いるもの HB CC 5F033
  • H01L21/88@S
    		•  配線以外の目的を有する導電層に関するもの〔シールド・ダミー〕 HB CC 5F033
  • H01L21/88@T
    		•  配線終端部に関するもの〔ボンディングパッド〕 HB CC 5F033
  • H01L21/88@Z
    		•  その他のもの〔配線レイアウト〕 HB CC 5F033
  • H01L21/90
    		•  ・・・装置内の動作中の１つの構成部品から他の構成部品へのもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@A
    		•  配線層間の接続に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@B
    		•  ・構造に特徴のあるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@C
    		•  配線層と半導体基板との接続に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@D
    		•  ・構造に特徴のあるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@J
    		•  配線層間の絶縁に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@K
    		•  ・無機材料によるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@L
    		•  ・・金属化合物によるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@M
    		•  ・・積層材によるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@N
    		•  ・空気絶縁によるもの〔エアブリッジ・ポーラス膜〕 HB CC 5F033
  • H01L21/90@S
    		•  ・有機樹脂によるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@P
    		•  ・製造方法に特徴のあるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@Q
    		•  ・・塗布によるもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@R
    		•  ・・溶融処理を施すもの〔リフロー〕 HB CC 5F033
  • H01L21/90@V
    		•  寄生効果の除去に関するもの〔寄生チャンネル〕 HB CC 5F033
  • H01L21/90@W
    		•  配線の交差に関するもの HB CC 5F033
  • H01L21/90@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F033
  • H01L21/92
    		•  ・・・動作中の装置からまたは装置へのもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,601
    		•  ・・・・バンプ電極 HB CC 5F107
  • H01L21/92,602
    		•  ・・・・・構造に特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@A
    		•  バンプ HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@B
    		•  ・同種材料の組み合わせ，例．成分の異なるはんだ HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@C
    		•  ・異種材料の組み合わせ HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@D
    		•  ・・積層構造のもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@E
    		•  ・・基部と被覆部からなるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@F
    		•  ・・・基部が円柱状・きのこ状のもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@G
    		•  ・形状のみに特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@H
    		•  下地金属 HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@J
    		•  電極パッド HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@K
    		•  絶縁膜 HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@L
    		•  ・樹脂層を積層したもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@M
    		•  基板 HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@N
    		•  複数のバンプ電極の配置パターンに特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@P
    		•  ・特別の機能をもつバンプを選択的に配置したもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@Q
    		•  ・配置箇所に応じて形状を変化させたもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@R
    		•  接続先の電極との形状・材質等の組み合わせに特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,602@Z
    		•  その他 HB CC 5F107
  • H01L21/92,603
    		•  ・・・・・材料・成分の選択に特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@A
    		•  バンプ HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@B
    		•  ・合金からなるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@C
    		•  ・導電性樹脂からなるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@D
    		•  下地金属 HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@E
    		•  ・合金層をもつもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@F
    		•  電極パッド HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@G
    		•  絶縁膜 HB CC 5F107
  • H01L21/92,603@Z
    		•  その他 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604
    		•  ・・・・・製造方法に特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@A
    		•  バンプ HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@B
    		•  ・電解メッキ HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@C
    		•  ・蒸着 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@D
    		•  ・浸漬 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@E
    		•  ・印刷 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@F
    		•  ・転写 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@G
    		•  ・ボンディング HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@H
    		•  ・・ボールボンディング HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@J
    		•  ・・ワイヤボールボンディング（スタッドバンプ） HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@K
    		•  ・・・キャピラリの形状・動作 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@L
    		•  ・・・治具の形状・動作 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@M
    		•  下地金属 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@N
    		•  ・蒸着 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@P
    		•  ・リフトオフ HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@Q
    		•  ・エッチング HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@R
    		•  電極パッド HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@S
    		•  絶縁膜・フォトレジスト等 HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@T
    		•  検査・測定に関するもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,604@Z
    		•  その他 HB CC 5F107
  • H01L21/92,611
    		•  ・・・・ビームリード電極 HB CC 5F107
  • H01L21/92,611@A
    		•  構造に特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,611@B
    		•  材料の選択に特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,611@C
    		•  製造方法に特徴があるもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,611@Z
    		•  その他 HB CC 5F107
  • H01L21/92,621
    		•  ・・・・その他の接続用電極 HB CC 5F107
  • H01L21/92,621@A
    		•  はんだを利用するもの HB CC 5F107
  • H01L21/92,621@Z
    		•  その他 HB CC 5F107
  • H01L21/94
    		•  ・・絶縁層または絶縁領域の形成 HB CC 4M108
  • H01L21/94@A
    		•  ＬＯＣＯＳ HB CC 4M108
  • H01L21/94@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M108
  • H01L21/95
    		•  ・・・装置内部のもの HB CC 4M108
  • H01L21/96
    		•  ・・装置の組立に先立つ，１つの共通基板内または基板上に形成された複数の固体構成部品からなる装置用の部品，例．容器，の製造または処理；装置の組立に先立つ，集積回路装置用の部品，例．容器，の製造または処理（容器，封緘，充填，マウントそれ自体２３／００） HB CC 5F059
  • H01L21/98
    		•  ・・１つの共通基板内または基板上に形成された固体構成部品からなる装置の組立；集積回路装置の組立 HB CC 5F059
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