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ＦＩ化（Ｒ２）
| 4M108 | ＬＯＣＯＳ | 電子デバイス |
| H01L21/94 -21/95 | ||
| H01L21/94@A;21/94@Z | AA | AA00 目的，効果（絶縁領域形成） |
AA01 | AA02 | AA03 | AA05 | AA07 | AA09 | ||||
| ・集積度向上 | ・・バーズビーク防止 | ・・バーズヘッド防止 | ・平坦化，段差被覆性の改善 | ・素子領域の歪，結晶欠陥防止 | ・絶縁能力向上，高耐圧化 | |||||||
| AA11 | AA13 | AA15 | AA20 | |||||||||
| ・絶縁領域の形成位置制御性向上 | ・マスク層のクラック防止 | ・膜質の改善 | ・その他＊ | |||||||||
| AB | AB00 絶縁領域の構成，材料 |
AB01 | AB03 | AB04 | AB05 | AB06 | AB08 | AB09 | AB10 | |||
| ・絶縁領域の形状 | ・絶縁化で形成されるもの | ・・選択酸化（ＬＯＣＯＳ）によるもの | ・・・溝内酸化によるもの | ・・・・溝の断面形状 | ・・・選択酸化用マスク | ・・・・単層 | ・・・・積層 | |||||
| AB11 | AB12 | AB13 | AB14 | AB15 | AB16 | AB17 | AB18 | |||||
| ・・・・枠（側壁）付 | ・・・・材料＊ | ・・・・・窒化膜 | ・・・・・酸化膜 | ・・・・・酸窒化膜 | ・・・・・多結晶シリコン膜 | ・・・・形状 | ・・イオン注入で絶縁化されるもの | |||||
| AB21 | AB22 | AB23 | AB24 | AB26 | AB27 | AB28 | AB29 | AB30 | ||||
| ・溝内埋込みで形成されるもの | ・・溝の断面形状 | ・・・垂直側面を有しないもの | ・・・溝上部又は溝底部にテーパを有するもの | ・・埋込み材料＊ | ・・・酸化シリコン | ・・・窒化シリコン | ・・・多結晶シリコン，非晶質シリコン | ・・・ガラス | ||||
| AB31 | AB32 | AB34 | AB36 | AB38 | AB40 | |||||||
| ・・・有機材料 | ・・・添加物含有 | ・ＰＮ接合によるもの | ・チャンネルストッパによるもの | ・空間（空気）によるもの | ・その他の絶縁領域の構成＊ | |||||||
| AC | AC00 製造方法 |
AC01 | AC02 | AC03 | AC06 | AC07 | AC09 | |||||
| ・酸化処理 | ・・陽極酸化 | ・・多孔質酸化 | ・窒化処理 | ・・熱窒化 | ・プラズマを用いる処理 | |||||||
| AC11 | AC12 | AC13 | AC14 | AC15 | AC16 | AC17 | AC18 | AC19 | AC20 | |||
| ・処理温度 | ・・５００℃未満 | ・・５００℃以上１０００℃以下 | ・・１０００℃超過 | ・処理圧力 | ・・高圧 | ・・常圧 | ・・減圧 | ・雰囲気 | ・・乾式 | |||
| AC21 | AC22 | AC24 | AC25 | AC26 | ||||||||
| ・・湿式 | ・・添加成分含有 | ・エネルギビームを用いる処理 | ・・イオンビーム | ・・レーザ | ||||||||
| AC31 | AC32 | AC34 | AC38 | AC39 | AC40 | |||||||
| ・被着，成長＊ | ・・ＬＰＥ | ・・ＣＶＤ | ・エッチング | ・・ドライエッチング | ・・ウェットエッチング | |||||||
| AC41 | AC42 | AC43 | AC44 | AC46 | AC48 | AC50 | ||||||
| ・・・エッチャント＊ | ・・異方性エッチング | ・・等方性エッチング | ・・サイドエッチング | ・リフトオフ | ・マスク工程の省略（セルフアライン） | ・素子領域と絶縁領域の同時形成 | ||||||
| AC51 | AC53 | AC54 | AC55 | AC57 | AC60 | |||||||
| ・絶縁領域形成前の処理＊ | ・絶縁領域形成後の処理＊ | ・・アニール | ・・平坦化処理 | ・試験，測定 | ・その他製造方法，製造条件＊ | |||||||
| AD | AD00 関連技術 |
AD01 | AD02 | AD03 | AD05 | AD06 | AD07 | AD09 | AD10 | |||
| ・基板の材質＊ | ・・砒化ガリウム | ・・多結晶シリコン，非晶質シリコン | ・素子領域の材質＊ | ・・砒化ガリウム | ・・多結晶シリコン，非晶質シリコン | ・素子領域に形成される素子の種類＊ | ・・受動素子（Ｌ，Ｃ，Ｒ） | |||||
| AD11 | AD12 | AD13 | AD14 | AD15 | AD16 | |||||||
| ・・ダイオード | ・・電界効果トランジスタ | ・・・ＭＯＳトランジスタ | ・・バイポーラトランジスタ | ・・サイリスタ | ・・相補型 | |||||||
| H01L21/95 | BA | BA00 目的，効果（内部絶縁層形成） |
BA01 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | BA10 | |
| ・素子，配線へのストレス抑制 | ・絶縁性向上，高耐圧化 | ・平坦化，段差被覆性の改善 | ・耐湿性向上 | ・耐放射線性向上 | ・密着性向上 | ・膜厚の制御 | ・キャパシタンスの形成 | ・その他＊ | ||||
| BB | BB00 内部絶縁層の構成 |
BB01 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | ||||||
| ・単層 | ・積層 | ・・全ての層が無機材料 | ・・全ての層が有機材料 | ・・無機材料と有機材料 | ||||||||
| BC | BC00 内部絶縁層，配線層の材料 |
BC01 | BC02 | BC03 | BC04 | BC05 | BC06 | BC08 | BC09 | BC10 | ||
| ・内部絶縁層の材料 | ・・無機材料＊ | ・・・酸化物 | ・・・・金属酸化物 | ・・・・ガラス | ・・・・添加物含有 | ・・・窒化物 | ・・・・金属窒化物 | ・・・・添加物含有 | ||||
| BC11 | BC12 | BC13 | BC14 | BC15 | BC16 | BC17 | ||||||
| ・・有機材料＊ | ・・・エポキシ系樹脂 | ・・・ポリイミド系樹脂 | ・・・シリコーン系樹脂 | ・・・弗素樹脂 | ・・・感光性のあるもの | ・・・添加物含有 | ||||||
| BC21 | BC22 | BC23 | BC24 | BC26 | BC28 | BC29 | ||||||
| ・配線層の材料＊ | ・・金属 | ・・・アルミニウム，アルミニウム合金 | ・・・高融点金属 | ・・半導体 | ・・化合物 | ・・・シリサイド | ||||||
| BD | BD00 製造方法 |
BD01 | BD03 | BD04 | BD05 | BD07 | BD08 | BD10 | ||||
| ・ＬＰＥ | ・ＣＶＤ | ・・減圧ＣＶＤ | ・・プラズマＣＶＤ | ・ＰＶＤ | ・・スパッタ | ・塗布 | ||||||
| BD11 | BD12 | BD13 | BD14 | BD15 | BD17 | BD19 | BD20 | |||||
| ・配線層から絶縁層への変換 | ・熱処理＊ | ・・熱酸化 | ・・リフロー | ・・緻密化 | ・エッチング | ・試験，測定 | ・その他製造方法，製造条件＊ | |||||
| BE | BE00 絶縁層の形成箇所 |
BE01 | BE02 | BE03 | BE05 | BE10 | ||||||
| ・配線層の下 | ・配線層の上 | ・配線層の間 | ・コンタクトホール部 | ・その他＊ |