H01L21/18 | ・・・不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置[2006.01] |
このグループには,たとえ使われる材料が明示的に特定されていなくても,当該の技術を使うことにより,本体が周期表第IV族の元素,またはA↓IIIB↓V化合物でできている装置の製造または処理に適していることが明らかな方法または装置も含まれる。 |
この画面は、H01L21/18の説明文、注記/索引を表示しています。
この画面は、H01L21/18の説明文、注記/索引を表示しています。
H01L21/18 | ・・・不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置[2006.01] |
このグループには,たとえ使われる材料が明示的に特定されていなくても,当該の技術を使うことにより,本体が周期表第IV族の元素,またはA↓IIIB↓V化合物でできている装置の製造または処理に適していることが明らかな方法または装置も含まれる。 |