FIメイングループ/ファセット選択

H01L21/00	半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置（グループ３１／００～４９／００に分類されている装置またはその部品に製造または処理に特有な方法または装置はこれらのグループを参照；他のサブクラスに包有されている単一工程からなる方法は関連したサブクラス，例．Ｃ２３Ｃ，Ｃ３０Ｂを参照；表面に表面構造または模様を作成する写真製版，そのための材料または原稿，そのため特に適合した装置一般Ｇ０３Ｆ）	(注)/(索引)	HB	CC	5F117

H01L23/00	半導体または他の固体装置の細部（２５／００が優先；半導体本体の細部または２９／００に分類されている装置の電極の細部はそこに分類する；３１／００～４９／００の一つのメイングループに分類されている装置に特有なデータはそこに分類する）	(注)/(索引)	HB	CC	5F065

H01L25/00	複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体，例．ソーラ・パネル（１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００；ソーラ・セルまたはソーラ・パネルを用いる発電装置Ｈ０２Ｎ６／００；他のサブクラスに分類される完全回路組立体の細部，例．テレビジョン受信機の細部，は関連するサブクラス，例．Ｈ０４Ｎ，を参照；電気部品の組立体の細部一般Ｈ０５Ｋ）［２］		HB	CC	5F037

H01L27/00	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（その細部Ｈ０１Ｌ２３／００，Ｈ０１Ｌ２９／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎ；複数の個々の固体装置からなる組立体Ｈ０１Ｌ２５／００）［２００６．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F081

H01L29/00	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，電位障壁を有するもの；電位障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］		HB	CC	5F039

H01L31/00	赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの細部（Ｈ１０Ｋ３０／００が優先；１つ以上の電気光源を有する輻射線感応構成部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品から成る装置Ｈ０１Ｌ２７／００）		HB	CC	5F149

H01L33/00	光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］		HB	CC	5F241

このページは、H01L内の「メイングループ」または、「ファセット」等が選択できます。	HB:ハンドブック
希望する「メイングループ」または、「ファセット」等を選択してください。	CC:コンコーダンス