FIメイングループ/ファセット選択

  • H01L21/00
  • 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置(グループ31/00~49/00に分類されている装置またはその部品に製造または処理に特有な方法または装置はこれらのグループを参照;他のサブクラスに包有されている単一工程からなる方法は関連したサブクラス,例.C23C,C30Bを参照;表面に表面構造または模様を作成する写真製版,そのための材料または原稿,そのため特に適合した装置一般G03F) HB CC 5F117
  • H01L23/00
  • 半導体または他の固体装置の細部(25/00が優先;半導体本体の細部または29/00に分類されている装置の電極の細部はそこに分類する;31/00~49/00の一つのメイングループに分類されている装置に特有なデータはそこに分類する) HB CC 5F065
  • H01L25/00
  • 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体(1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置H10D89/00;光起電モジュールまたは光起電素子のアレイH10F19/00)[2006.01] HB CC 5F037
  • H01L27/00
  • 1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置(その細部H01L23/00,H01L29/00~H01L33/00,H10K,H10N;複数の個々の固体装置からなる組立体H01L25/00)[2006.01] HB CC 5F081
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