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Fタームリスト

4M104 半導体の電極 電子デバイス　　　　
H01L21/28 -21/288@Z;21/44-21/445;H10D64/00-64/68
H01L21/28-21/288@Z;21/44-21/445;29/40-29/64 AA AA00
基板材料 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・Ｓｉ ・Ｇｅ ・化合物半導体（含，半絶縁性基板） ・・ＩＩＩ－Ｖ族 ・・・ＧａＡｓ ・・ＩＩ－ＶＩ族 ・ヘテロ接合を含むもの ・非単結晶半導体 ・薄膜半導体（含，ＳＯＩ） ・その他＊
BB BB00
電極材料 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・Ｓｉ（ｐｏｌｙ―Ｓｉ以外はＦＷ）＊ ・Ａｌ ・・Ａｌ－Ｓｉ（含，アルミシリサイド） ・遷移金属＊ ・・Ｎｉ ・・Ｐｔ ・・Ｐｄ ・・Ａｇ ・・Ａｕ ・・・Ａｕ―Ｇｅ
BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19 BB20
・・・・Ａｕ―Ｇｅ／Ｎｉ ・・・Ａｕ―Ｚｎ ・・高融点金属＊ ・・・Ｔｉ ・・・・Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ ・・・Ｍｏ ・・・Ｔａ ・・・Ｗ ・遷移金属のシリサイド＊ ・・ＣｏＳｉ
BB21 BB22 BB23 BB24 BB25 BB26 BB27 BB28 BB29 BB30
・・ＮｉＳｉ ・・ＰｔＳｉ ・・ＰｄＳｉ ・・高融点金属のシリサイド＊ ・・・ＴｉＳｉ ・・・ＭｏＳｉ ・・・ＴａＳｉ ・・・ＷＳｉ ・高融点金属窒化物＊ ・・ＴｉＮ
BB31 BB32 BB33 BB34 BB35 BB36 BB37 BB38 BB39 BB40
・・ＭｏＮ ・・ＴａＮ ・・ＷＮ ・高融点金属炭化物＊ ・高融点金属硼化物＊ ・上記以外の電極材料＊ ・結晶性に特徴（含，上層部） ・組成比に特徴（含，上層部） ・不純物を含むもの（含，上層部） ・・ｎ型，ｐ型不純物
CC CC00
電極の種類（発明部分） 		CC01 CC03 CC05
・オーミック接触電極 ・ショットキー接触電極 ・ＭＩＳゲート電極
DD DD00
製造方法（特徴のあるもの） 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD07 DD08 DD09 DD10
・製造工程全般 ・・セルフアライン法（含，サリサイド法） ・・・ダミーパターンの利用 ・・・側壁堆積膜の利用 ・・深さの異なる複数孔の開孔，又は孔埋め法 ・コンタクトホール又は電極析出部の形成 ・・孔開け，又は絶縁膜の除去方法 ・・・ドライエッチ ・・・ウエットエッチ ・・・・サイドエッチの利用
DD11 DD12 DD13 DD15 DD16 DD17 DD18 DD19 DD20
・・・ドライ，ウエットの併用 ・・テーパ付け ・・段差付け ・・孔開け，又は除去する絶縁膜の材料＊ ・・・酸化Ｓｉ ・・・窒化Ｓｉ ・・・酸化窒化Ｓｉ ・・・ガラス（ＰＳＧ以外はＦＷ）＊ ・・・有機物＊
DD21 DD22 DD23 DD24 DD26 DD28 DD29 DD30
・析出面の前処理 ・・表面処理 ・・・酸化膜除去 ・・・凹凸形成 ・・基板への不純物導入 ・・膜形成 ・・・トンネル膜（絶縁物） ・・・ショットキーバリア補強用
DD31 DD32 DD33 DD34 DD35 DD36 DD37 DD38 DD39 DD40
・電極材料の析出 ・・絶縁膜形成前の析出（ＭＥＳゲートを除く） ・・ＰＶＤ ・・・蒸着 ・・・ビームによるもの ・・・・イオンプレーティング，イオンビーム蒸着 ・・・スパッタ ・・・・バイアススパッタ ・・・・装置 ・・・・ターゲットの材料，構造
DD41 DD42 DD43 DD44 DD45 DD46 DD47 DD48 DD49 DD50
・・・・雰囲気 ・・・・・反応性雰囲気 ・・ＣＶＤ ・・・装置 ・・・原料ガス ・・選択成長 ・・・下地膜（含，パターニング）上の選択成長 ・・・エネルギービーム誘起によるもの ・・・成長速度の制御 ・・・電極孔内のエピタキシー（凸部形成）
DD51 DD52 DD53 DD55 DD56 DD57
・・塗布，又は液体からの析出 ・・・電解メッキ ・・・無電解メッキ ・・電極への不純物導入（析出時又は後） ・・・限定領域への導入 ・・・固相膜（ＰＳＧ等）からの導入
DD61 DD62 DD63 DD64 DD65 DD66 DD67 DD68
・電極膜のパターニング ・・露光 ・・エッチング ・・・ウエットエッチ ・・・ドライエッチ ・・・・異方性の利用 ・・・・選択比向上用ガス組成 ・・・リフトオフ
DD71 DD72 DD73 DD74 DD75 DD77 DD78 DD79 DD80
・・パターニング用マスク ・・・エッチングストッパ ・・部分的変質によるもの ・・・部分的酸化 ・・物理的除去によるもの ・電極材料の処理 ・・熱処理（含，低温処理） ・・・熱処理温度 ・・・ランプ照射（ＲＴＡ）
DD81 DD82 DD83 DD84 DD85 DD86 DD88 DD89 DD90
・・高エネルギービーム照射 ・・・界面層，電極層へのＩＴＭ ・・固相反応 ・・・シリサイド化 ・・・固相エピタキシー ・・気相との反応 ・・限定部分の物質，物性の変換 ・・・電極表面のみ ・・・・電極下部のみ
DD91 DD92 DD94 DD95 DD96 DD99
・・基板へ不純物導入，拡散領域形成（析出後） ・・・電極（含，バリア層）からの拡散 ・２種類以上の電極の同時形成 ・・材料が異なる電極 ・・・オーミックとショットキー ・その他＊
EE EE00
絶縁膜（特徴のあるもの） 		EE01 EE02 EE03 EE05 EE06 EE08 EE09 EE10
・絶縁膜の適用位置 ・・電極下 ・・・ゲート絶縁膜 ・・電極上 ・・・パシベーション膜 ・・多層電極の中層 ・・電極側部 ・・基板面下
EE11 EE12 EE14 EE15 EE16 EE17 EE18 EE20
・絶縁膜の構造，形態 ・・多層絶縁膜を含むもの ・材質＊ ・・ガラス（ＰＳＧ以外はＦＷ）＊ ・・金属酸化物＊ ・・窒化シリコン ・・有機物＊ ・その他＊
FF FF00
構造 		FF01 FF02 FF03 FF04 FF06 FF07 FF08 FF09 FF10
・電極の配置に特徴 ・・背面配置 ・・段状配置（メサ型配置） ・・側面配置 ・断面形状に特徴 ・・Ｔ，Ｙ，逆Ｌ型，逆Ｔ型 ・・台形 ・・階段状 ・・フィールドプレート又はその変形
FF11 FF13 FF14 FF16 FF17 FF18 FF19
・平面形状に特徴 ・多層構造＊ ・・ポリサイド ・・バリア層を含むもの ・・・金属層 ・・・金属化合物層 ・・・界面処理層
FF21 FF22 FF23 FF24 FF26 FF27 FF28 FF29 FF30
・コンタクトホールの孔埋め構造 ・・２以上の物質で孔埋め ・・・側面のみ他物質で処理 ・・・・他物質がポリシリコン ・コンタクト面の位置，配置に特徴 ・・基板の凹部 ・・合金化による潜り込み ・・・領域を越えるもの ・・ダイレクトコンタクト
FF31 FF32 FF34 FF35 FF36 FF37 FF40
・電極下の基板構造に特徴 ・・電極下の複数導電型部（除，ガードリング） ・ガードリング ・・逆導電型によるもの ・・低濃度同導電型によるもの ・・金属によるもの ・その他＊
GG GG00
適用素子 		GG01 GG02 GG03 GG04 GG05 GG06 GG07 GG08 GG09 GG10
・２端子素子 ・・ダイオード ・・・ショットキーダイオード ・発光素子（ＬＥＤ等） ・受光素子 ・バイポーラトランジスタ ・サイリスタ ・ＭＩＳＦＥＴ ・・ＭＯＳＦＥＴ ・・ＣＭＯＳ
GG11 GG12 GG13 GG14 GG15 GG16 GG17 GG18 GG19 GG20
・接合型（ＪＦＥＴ） ・ＭＥＳＦＥＴ ・ＩＣ ・・ＭＯＳＩＣ ・・バイポーラＩＣ ・・メモリ ・・ＣＣＤ ・大電力素子 ・受動素子 ・その他＊
HH HH00
目的 		HH01 HH02 HH03 HH04 HH05 HH06 HH07 HH08 HH09 HH10
・エレクトロマイグレーション防止 ・ストレスマイグレーション防止 ・表面ヒロック防止 ・基板領域への突き抜け防止 ・電極層間の相互拡散防止（含，突抜け防止） ・・シリコンノジュール防止 ・チャンネリング防止 ・基板，又は電極層間の密着性改善 ・絶縁膜との密着性改善 ・基板内不純物濃度分布の変化防止
HH11 HH12 HH13 HH14 HH15 HH16 HH17 HH18 HH19 HH20
・電極下面（含，絶縁膜）の照射損傷防止 ・平坦性の改善 ・段差被覆の改善 ・微細加工性向上 ・オーミック性向上 ・電極バルク，シート抵抗の低減 ・ショットキーバリアハイトの調整 ・周辺効果の緩和 ・シールド ・その他＊
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