FIメイングループ/ファセット選択

G11C5/00	Ｇ１１Ｃ１１／００に分類される記憶装置の細部		HB	CC	5L105

G11C7/00	デジタル記憶装置に情報を書き込みまたはデジタル記憶装置から情報を読み出す機構（Ｇ１１Ｃ５／００が優先；半導体装置を用いた記憶のための周辺記憶回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］		HB	CC	5B094

G11C8/00	デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構（Ｇ１１Ｃ１１／００～Ｇ１１Ｃ１７／００が優先；半導体装置を用いた記憶装置のための回路Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３，Ｇ１１Ｃ１１／４１９３）［２，５］		HB	CC	5B094

G11C11/00	特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（Ｇ１１Ｃ１４／００～Ｇ１１Ｃ２１／００が優先）［５］	(注)/(索引)	HB	CC	5B073

G11C13/00	Ｇ１１Ｃ１１／００，Ｇ１１Ｃ２３／００，またはＧ１１Ｃ２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置		HB	CC	5B067

G11C14/00	電源遮断時にバックアップするための，揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置［５］		HB	CC	5B094

G11C15/00	１つまたはそれ以上の特徴的部分からなる情報が書き込まれ，情報の読出しはそれらの１つまたは以上の特徴的部分について探索することによって行なわれるデジタル記憶装置，すなわち連想記憶または内容アドレス記憶装置［２００６．０１］		HB	CC	5B095

G11C16/00	消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ（Ｇ１１Ｃ１４／００が優先）［５］		HB	CC	5B225

G11C17/00	一度だけプログラム可能な読出し専用メモリ；半永久的記憶装置，例．手動で差替え可能な情報カード［２００６．０１］		HB	CC	5B225

G11C19/00	情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置、例．シフト・レジスタ［２００６．０１］		HB	CC	5B074

G11C21/00	情報が循環する形式のデジタル記憶装置（ステップ形式のものＧ１１Ｃ１９／００）		HB	CC	5B074

G11C23/00	機械的部分の移動によって記憶を行なわせることを特徴とするデジタル記憶装置，例．ボールを用いるもの；そのための記憶素子［２００６．０１］		HB	CC	5B074

G11C25/00	流体の利用を特徴とするデジタル記憶装置；そのための記憶素子		HB	CC	5B067

G11C27/00	電気的アナログ記憶装置，例．瞬時値を記憶するためのもの		HB	CC	5B066

G11C29/00	正確な動作のための記憶装置のチェック；スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト［１，８］		HB	CC	5L206

G11C99/00	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［８］		HB	CC	5B066

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