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HB:ハンドブック | ||||
CC:コンコーダンス |
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G11C11/00に分類される記憶装置の細部 | HB | CC | 5L105 | |
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・半導体記憶装置の情報の消失に対する保護回路(放射によるボンバードを使用して半導体を製造するものH01L21/26;誤り検出,監視G06F11/00) | HB | CC | 5L105 | |
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・記憶素子の配置,例.マトリックス配列におけるもの | HB | CC | 5B073 | |
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・・半導体記憶装置におけるメモリセルおよび周辺回路の幾何学的レイアウト(集積回路における部品の幾何学的レイアウトH01L27/02) | HB | CC | 5L105 | |
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・・記憶素子のための支持体;そのような支持体への記録素子の取付けまたは固定 | HB | CC | 5B073 | |
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・・・メモリモジュール | HB | CC | 5L105 | |
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・・・・ROMモジュール | HB | CC | 5L105 | |
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・・・・RAMモジュール | HB | CC | 5L105 | |
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・・・コアをマトリックス状に支持するもの[2] | HB | CC | 5B073 | |
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・記憶素子を電気的に相互結合する機構,例.ワイヤリング | HB | CC | 5B073 | |
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・・集積半導体メモリアクセス線,例.ワード線,ビット線における電圧および信号分配,伝搬遅延対策 | HB | CC | 5L105 | |
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・・半導体メモリクリップ用外部アクセス線を削減するための手段,例.少なくともアドレスおよびデータ信号の多重化によるもの | HB | CC | 5L105 | |
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・・磁気的素子を相互結合するためのもの,例.トロイダル磁心に対するもの | HB | CC | 5B073 | |
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・・コンデンサを相互結合するためのもの | HB | CC | 5B073 | |
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・記憶素子を相互結合するために用いる装置または方法,例.磁心に線を通すためのもの | HB | CC | 5B073 | |
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・電力供給装置[2006.01] | HB | CC | 5L105 | |
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・・バッテリおよびバックアップ電源(バックアップ電源そのものH02J9/06) | HB | CC | 5L105 | |
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・・無接点電源,例.無線,電磁誘導,赤外線(一般H02J5/00) | HB | CC | 5L105 | |
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・・メモリカセット挿入/取出しの検出;電源およびアース線の導通チェック;電源変動/遮断/レベルの検出;代替電源間の切替え(G11C5/14,100が優先) | HB | CC | 5L105 | |
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・・・電力供給の予定された遮断または低下の検知 | HB | CC | 5L105 | |
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・・節電 | HB | CC | 5L105 | |
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・・チャージポンプの応用;昇圧電圧回路;そのためのクランプ回路(G11C5/14,100が優先) | HB | CC | 5L105 | |
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・・・基板バイアス発生器(G11C5/14,100が優先) | HB | CC | 5L105 | |
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・・電圧基準発生器,電圧および電流調整器;内部で低下させた電源レベル;電圧低下に対する補償(G11C5/14,100が優先) | HB | CC | 5L105 | |
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・・昇圧または降圧回路,スタンバイ回路または復帰回路の細部 | HB | CC | 5L105 | |