FI(一覧表示)

G11C29/00	正確な動作のための記憶装置のチェック；スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト［１，８］	HB	CC	5L206

G11C29/00,401	・シリアルメモリにおけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,402	・ウェハスケールレベルのもの，すなわち，ＷＳＩ（製造中の試験および構成のためのものＨ０１Ｌ２１／６６）	HB	CC	5L206

G11C29/00,404	・スペアまたは再構成を用いるメモリ内の故障のマスキング	HB	CC	5L206

G11C29/00,406	・・周辺回路を置換することによるもの，例．故障したものの代わりに用いられるスペア電圧生成器，デコーダ，またはセンスアンプ	HB	CC	5L206

G11C29/00,408	・・最適な置換アルゴリズムと共に用いられるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,410	・・二重メモリを用いるもの，例．二重コピーを用いるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,412	・・アドレス変換または変更を用いるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,414	・・・ソリッドステートディスク内のもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,416	・・プログラマブルデバイスを用いるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,418	・・・冗長デコーダと組み合わせるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,420	・・・置換セルのリフレッシュを行うもの，例．ＤＲＡＭ内	HB	CC	5L206

G11C29/00,422	・・・冗長プログラミングスキーム	HB	CC	5L206

G11C29/00,424	・・・・階層的なヒューズを用いるもの（ヒューズを用いたメモリ一般Ｇ１１Ｃ１７／１６）	HB	CC	5L206

G11C29/00,426	・・・・不揮発性セルまたはラッチを用いるもの（消去可能なプログラム可能なメモリセル一般Ｇ１１Ｃ１７／００）	HB	CC	5L206

G11C29/00,428	・・・改良されたレイアウト	HB	CC	5L206

G11C29/00,454	・・・消費電力の削減	HB	CC	5L206

G11C29/00,456	・・・・故障した要素の切り離し	HB	CC	5L206

G11C29/00,458	・・・冗長置換のためのロールコール配置	HB	CC	5L206

G11C29/00,460	・・・故障したスペアの置換	HB	CC	5L206

G11C29/00,462	・・・改良されたアクセス時間または安定性	HB	CC	5L206

G11C29/00,464	・・・・信号経路に遅延を挿入することによるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,466	・・・・デコーダのステージを分割することによるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,468	・・・・出力段において冗長線を選択するもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,470	・・・・隣接スイッチングによるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,472	・・シリアルアクセスメモリ内のもの，例．シフトレジスタ，ＣＣＤまたはバブルメモリ	HB	CC	5L206

G11C29/00,474	・・部分良品メモリにおけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,476	・・・一つの故障したメモリデバイスを，削減された容量，例．半分の容量，を有するメモリとして用いるもの	HB	CC	5L206

G11C29/00,478	・・・複数の故障したメモリを連続したアドレス範囲を与えるように組み合わせるもの，例．一つのデバイスが他のデバイスにおける故障したブロックを置換するワーキングブロックを提供するもの	HB	CC	5L206

G11C29/02	・故障した周辺回路の検出またはその位置の特定［８］	HB	CC	5L206

G11C29/02,100	・・電圧または電流生成器におけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,110	・・Ｉ／Ｏ回路におけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,120	・・クロック生成器またはタイミング回路におけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,130	・・デコーダにおけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,140	・・信号線におけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,150	・・センスアンプにおけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,160	・・ヒューズにおけるもの	HB	CC	5L206

G11C29/02,170	・・適合またはパラメータのトリミングを伴うもの	HB	CC	5L206

G11C29/04	・故障したメモリ素子の検出またはその位置の特定［８］	HB	CC	5L206

G11C29/06	・・加速試験［８］	HB	CC	5L206

G11C29/08	・・機能試験，例．リフレッシュ中の試験，パワーオン・セルフテスト［ＰＯＳＴ］，または分散テスト［８］	HB	CC	5L206

G11C29/10	・・・テストアルゴリズム，例．メモリスキャン［ＭＳｃａｎ］アルゴリズム；テストパターン，例．チェックボードパターン［８］	HB	CC	5L206

G11C29/10,100	・・・・テストパターン	HB	CC	5L206

G11C29/10,110	・・・・・パターン生成に特徴のあるもの	HB	CC	5L206

G11C29/10,120	・・・・・・チェッカーボードパターン	HB	CC	5L206

G11C29/10,130	・・・・・・ランダムパターン	HB	CC	5L206

G11C29/10,140	・・・・・・アドレスからの生成	HB	CC	5L206

G11C29/10,150	・・・・・アドレスハミング距離	HB	CC	5L206

G11C29/10,160	・・・・・アドレス変換	HB	CC	5L206

G11C29/12	・・・試験のための組み込み装置，例．組み込み自己テスト［ＢＩＳＴ］［８］	HB	CC	5L206

G11C29/14	・・・・制御データの実施，例．テストモードのデコーダー［８］	HB	CC	5L206

G11C29/16	・・・・・マイクロプログラム方式のユニットを使用するもの，例．ステートマシン［８］	HB	CC	5L206

G11C29/18	・・・・アドレス作成装置；メモリにアクセスするための装置，例．アドレス回路の細部［８］	HB	CC	5L206

G11C29/18,100	・・・・・アドレスデコーダ	HB	CC	5L206

G11C29/18,120	・・・・・アドレス変換またはマッピング，例．論理物理アドレス変換	HB	CC	5L206

G11C29/20	・・・・・カウンタまたは線形フィードバックシフトレジスタ［ＬＦＳＲ］を使用するもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/22	・・・・・シリアルメモリへアクセスするもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/24	・・・・・補助的なセルへアクセスするもの，例．ダミーセルまたは冗長セル［８］	HB	CC	5L206

G11C29/26	・・・・・マルチプルアレイへアクセスするもの（Ｇ１１Ｃ２９／２４が優先）［８］	HB	CC	5L206

G11C29/26,100	・・・・・・同時テスト	HB	CC	5L206

G11C29/28	・・・・・・依存関係のあるマルチプルアレイ，例．マルチビットを持つアレイ［８］	HB	CC	5L206

G11C29/30	・・・・・シングルアレイへアクセスするもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/32	・・・・・・シリアルアクセス；スキャンテスト［８］	HB	CC	5L206

G11C29/32,100	・・・・・・・スキャンチェーン	HB	CC	5L206

G11C29/34	・・・・・・マルチビットに同時にアクセスするもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/36	・・・・データ作成装置，例．データ変換器［８］	HB	CC	5L206

G11C29/38	・・・・応答検証装置［８］	HB	CC	5L206

G11C29/40	・・・・・圧縮技術を使用するもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/42	・・・・・誤り訂正符号［ＥＣＣ］またはパリティチェックを使用するもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/44	・・・・誤りの表示または識別，例．復旧のためのもの［８］	HB	CC	5L206

G11C29/44,100	・・・・・自己修復のためのもの	HB	CC	5L206

G11C29/44,110	・・・・・テスト結果，品質データ，チップＩＤまたは修復情報の内部ストレージ	HB	CC	5L206

G11C29/46	・・・・テストトリガーロジック［８］	HB	CC	5L206

G11C29/48	・・・記憶装置の外部の手段による試験に特に適した静的記憶装置，例．ダイレクトメモリアクセス［ＤＭＡ］を使用するもの，または周辺アクセス経路を使用するもの［２００６．０１］	HB	CC	5L206

G11C29/50	・・マージン試験，例．タイミング，電圧，または電流試験［８］	HB	CC	5L206

G11C29/50,100	・・・閾値電圧のマージン試験	HB	CC	5L206

G11C29/50,110	・・・インピーダンスのマージン試験	HB	CC	5L206

G11C29/50,120	・・・タイミングのマージン試験	HB	CC	5L206

G11C29/50,130	・・・リテンションのマージン試験	HB	CC	5L206

G11C29/50,150	・・・電圧のマージン試験	HB	CC	5L206

G11C29/52	・メモリ内容の保護；メモリ内容の誤りの検出［８］	HB	CC	5L206

G11C29/54	・試験回路を設計するための装置，例．テスト容易化設計［ＤＦＴ］ツール［８］	HB	CC	5L206

G11C29/56	・静的記憶のための外部試験装置，例．自動検査装置［ＡＴＥ］；そのインターフェース［８］	HB	CC	5L206

G11C29/56,100	・・パターン生成器	HB	CC	5L206

G11C29/56,105	・・エラー分析，エラーの表現	HB	CC	5L206

G11C29/56,110	・・タイミングの側面，クロック生成または同期	HB	CC	5L206

G11C29/56,135	・・並列試験	HB	CC	5L206

G11C29/56,140	・・高速化	HB	CC	5L206

G11C29/56,155	・・試験結果の圧縮	HB	CC	5L206

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