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５Ｂ０１８から分割（Ｈ３）、リスト部分改訂旧５Ｌ１０６（Ｈ２８）
| 5L206 | 半導体メモリの信頼性技術 | 情報処理 |
| G11C29/00 -29/56,155 | ||
| G11C29/00-29/56,155@\ | AA | AA00 メモリの種類 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA07 | AA08 | AA09 | AA10 | |
| ・ＤＲＡＭ | ・ＳＲＡＭ | ・メモリセルの種類 | ・・バイポーラ | ・・ＣＭＯＳ | ・ＲＯＭ | ・・切断型 | ・・書換え型 | ・・・ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ | ||||
| AA11 | AA12 | AA14 | AA15 | AA16 | AA17 | AA18 | AA19 | |||||
| ・シーケンシャルメモリ | ・・シフトレジスタ | ・２ポートメモリ、マルチポートメモリ | ・多ビット出力メモリ | ・１チップマイコン | ・組み込み型メモリ | ・ＩＣカード，メモリカード | ・マルチチップパッケージ | |||||
| AA21 | AA22 | AA24 | AA25 | AA26 | AA28 | AA29 | AA30 | |||||
| ・磁性静的素子を有するメモリ | ・・ＭＲＡＭ | ・可逆的抵抗変化素子を有するメモリ | ・・抵抗変化型メモリ | ・・相変化メモリ | ・強誘電体メモリ | ・キャッシュメモリ，連想メモリ，ＴＬＢ | ・その他のメモリ | |||||
| BB | BB00 エラーの検出、訂正 |
BB01 | BB02 | BB03 | ||||||||
| ・エラー検出 | ・・パリティ | ・・チェックサム | ||||||||||
| BB11 | BB12 | BB13 | BB14 | |||||||||
| ・エラー訂正 | ・・訂正符号（ＥＣＣ） | ・・複数パリティ | ・・多重化 | |||||||||
| CC | CC00 冗長手段 |
CC01 | CC02 | CC03 | CC04 | CC05 | CC07 | CC08 | CC09 | |||
| ・不良アドレス設定手段 | ・・冗長デコーダ | ・・・プリチャージ型 | ・・・溶断型 | ・・・書換え型 | ・・ＲＯＭ | ・・・溶断型 | ・・・書換え型 | |||||
| CC11 | CC12 | CC13 | CC14 | CC16 | CC17 | |||||||
| ・アドレス、経路切換え手法 | ・・レーザで溶断 | ・・電気的に溶断又は設定 | ・・・内部試験回路で不良個所検出 | ・ブロック単位で切換えるもの | ・行又は列単位を切り換えるもの | |||||||
| CC21 | CC22 | CC24 | CC26 | |||||||||
| ・不良部のアクセス禁止 | ・・冗長部能動化信号を用いるもの | ・冗長機能の使用検出 | ・電源供給の停止又は切換え | |||||||||
| CC31 | CC32 | CC33 | CC34 | CC36 | CC37 | CC38 | ||||||
| ・不良部の不使用 | ・・アドレス変換を用いるもの | ・・アドレス固定によるもの | ・ＲＯＭの修正、ＲＯＭパッチ | ・寿命 | ・・使用の均一化 | ・・寿命がきたら順次切換えていくもの | ||||||
| CC41 | CC42 | CC43 | CC49 | CC50 | ||||||||
| ・冗長記憶素子 | ・・冗長記憶素子から情報を読み出す回路 | ・・冗長記憶素子に情報を書き込む回路 | ・データ演算により置換を行うもの | ・欠陥領域の使用 | ||||||||
| DD | DD00 試験 |
DD01 | DD02 | DD03 | DD04 | DD06 | DD08 | |||||
| ・並列的に試験 | ・・分割されたアレイ毎の出力を比較 | ・・基準信号と比較 | ・・複数同時出力 | ・テストデータを並列に書き込むもの | ・スキャンパス | |||||||
| DD11 | DD12 | DD14 | ||||||||||
| ・試験モードへの切換え | ・・試験個所の特定 | ・機密保護と関連するもの | ||||||||||
| DD21 | DD22 | DD23 | DD24 | DD25 | DD26 | |||||||
| ・試験装置 | ・・試験用データの作成 | ・・試験アドレスのスクランブル | ・・試験結果の記憶 | ・・試験結果の解析、後処理 | ・・試験結果の表示 | |||||||
| DD31 | DD32 | DD33 | DD35 | DD36 | DD37 | |||||||
| ・しきい値の測定 | ・アクセスタイムの測定 | ・テスト列（行）をもつもの | ・加速試験、ストレス | ・・電源電圧を変化させるもの | ・・周波数を変化させるもの | |||||||
| DD41 | DD43 | DD45 | DD50 | |||||||||
| ・リフレッシュに関する試験 | ・リーク電流の測定 | ・ダミーセルを用いて試験を行うもの | ・自己試験 | |||||||||
| EE | EE00 障害・試験個所 |
EE01 | EE02 | EE03 | EE04 | EE05 | EE06 | EE07 | EE08 | |||
| ・デコーダ | ・行ライン、列ライン | ・入出力回路 | ・・書込み回路 | ・チェック回路 | ・リフレッシュ回路 | ・冗長部 | ・電源 | |||||
| FF | FF00 時期 |
FF01 | FF02 | FF04 | FF05 | FF07 | FF08 | |||||
| ・空き時間 | ・・リフレッシュ時 | ・書込み時 | ・読出し時 | ・電源異常時 | ・電源投入時 | |||||||
| GG | GG00 改良手段 |
GG01 | GG02 | GG03 | GG04 | GG05 | GG06 | GG07 | ||||
| ・共通化 | ・・端子の共用 | ・タイミング | ・時分割 | ・機能選択 | ・レイアウト | ・定数設定 | ||||||
| HH | HH00 メモリシステムの試験，冗長，チェック |
HH01 | HH02 | HH03 | HH04 | HH05 | HH06 | HH08 | HH09 | HH10 | ||
| ・メモリシステムの試験・診断 | ・・メモリシステムの試験 | ・・階層記憶の試験 | ・・診断 | ・・記録・監視・表示 | ・・初期テスト | ・メモリシステムの冗長メモリへの置換 | ・動的再構成 | ・メモリシステムの障害領域の非選択 | ||||
| HH11 | ||||||||||||
| ・書込み読出しチェック |