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G11C13/00	Ｇ１１Ｃ１１／００，Ｇ１１Ｃ２３／００，またはＧ１１Ｃ２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置	HB	CC	5B067

G11C13/00,200	・抵抗ランダムアクセスメモリ素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,210	・・アモルファス／結晶の相変化記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,215	・・金属酸化物記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,220	・・金属窒化物記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,225	・・化学変化に依存する記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,230	・・・伝導性ブリッジ記憶素子またはプログラム可能な金属化合物記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,235	・・・有機材料記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,235@A	ポリマーを含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,235@B	バイオ分子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,235@Z	その他のもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,240	・・ナノチューブ記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,245	・・ナノギャップ記憶素子を含むもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,270	・・セルアレイの形態に特徴があるもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@A	３次元アレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@B	選択素子がダイオードであるアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@C	記憶素子の記憶機能と一体化した選択素子機能，例．ダイオード機能を持つアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@D	２つ以上の選択素子を各記憶セルが持つアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@E	選択トランジスタに並列に接続された記憶素子が直列に接続された列，すなわちＮＡＮＤ構造を持つアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@F	トランジスタでもダイオードでもない選択素子を各セルのために使用するアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@G	選択素子を使用することなく，ビット線とワード線に直接的に接続された記憶素子を持つアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@H	一群の記憶セルが選択素子を共有するアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@J	選択素子がトランジスタであるアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@K	基板，セル，配線，選択素子が全て有機材料で形成されたアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,270@Z	その他の特徴があるアレイ	HB	CC	5B067

G11C13/00,300	・・周辺回路	HB	CC	5B067

G11C13/00,310	・・・アドレス回路またはアドレスデコーダ	HB	CC	5B067

G11C13/00,312	・・・・ビット線またはカラム回路	HB	CC	5B067

G11C13/00,314	・・・・ワード線またはロウ回路	HB	CC	5B067

G11C13/00,320	・・・セル選択	HB	CC	5B067

G11C13/00,340	・・・ディスターブの防止，ディスターブの評価；ディスターブされた記憶データのリフレッシュ	HB	CC	5B067

G11C13/00,360	・・・劣化，保持力，消耗の評価	HB	CC	5B067

G11C13/00,380	・・・電力供給回路	HB	CC	5B067

G11C13/00,400	・・・読み出し，センシングの回路または方法	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@A	差分検知，例．相補ビット線による読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@B	セル電流による読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@C	破壊読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@D	セル電極間の電位差による読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@E	ビット線プリチャージ後の読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@F	読み出しパルスの形状，例．形，幅，高さによって特徴付けられた読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@G	リファレンスセルとの比較によって実行される読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@H	自己リファレンス方式によって実行される読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,400@Z	その他の読み出し	HB	CC	5B067

G11C13/00,420	・・・セキュリティ，保護回路または方法	HB	CC	5B067

G11C13/00,440	・・・タイミング回路または方法	HB	CC	5B067

G11C13/00,460	・・・ベリファイ回路または方法	HB	CC	5B067

G11C13/00,462	・・・・書き込み中に正しく書き込まれたことをベリファイするもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,464	・・・・書き込み後に正しく書き込まれたことをベリファイするもの	HB	CC	5B067

G11C13/00,480	・・・書き込み，プログラミングの回路または方法	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@A	選択素子のゲートに書き込み電位を印加する書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@B	両方向にセル電圧を印加する書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@C	読み出し結果に基づいて実行される書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@D	セルを流れる電流量による書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@E	記憶材料の周囲に熱を発生させることによる書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@F	フォーミング処理のための書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@G	１ページまたは１セクタ，例．１行分，１ワード線分の同時書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@H	複数のセルの同時書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@J	セル電極間に電位差を印加することによる書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@K	書き込みパルスの形状，例．形，幅，高さによって特徴付けられた書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@L	熱効果による歪み，例，ピエゾエレクトリックを用いる書き込み	HB	CC	5B067

G11C13/00,480@Z	その他	HB	CC	5B067

G11C13/00,500	・・・消去，例．リセットの回路または方法	HB	CC	5B067

G11C13/02	・化学変化によって作動する素子を用いるもの［２００６．０１］	HB	CC	5B067

G11C13/02,100	・・フラーレンを使用するもの，例．カーボンナノチューブまたはシリコンナノチューブ	HB	CC	5B067

G11C13/04	・光学的素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,100	・・ホトクロミック記憶素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,200	・・干渉縞の形で記憶される情報を用いるもの（ホログラム，リップマン；ホログラフィＧ０３Ｈ，Ｇ０２Ｂ５／３２）	HB	CC	5B067

G11C13/04,200@A	磁気光学記憶素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,200@B	電気光学記憶素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,200@C	ホトクロミック記憶素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,200@Z	その他の記憶素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,300	・・電気光学記憶素子を用いるもの	HB	CC	5B067

G11C13/04,400	・・その他の記憶素子を使用するもの	HB	CC	5B067

G11C13/06	・・磁気－光学素子を用いるもの［２００６．０１］	HB	CC	5B067

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