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HB:ハンドブック | ||||
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CC:コンコーダンス | |||||
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情報がステップ形式で移動するデジタル記憶装置、例．シフト・レジスタ［２００６．０１］ | HB | CC | 5B074 | |
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・磁気素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４が優先）［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・・１つの孔または磁気ループを有するコアを用いるもの［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・・多数の孔または磁気ループを有する構造を用いるもの，例．トランスフラクサ［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・・平板薄膜構造を用いるもの［２］ | HB | CC | 5B002 | |
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・・ロッド上の薄膜を用いるもの；ツイスタによるもの［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・共振回路中の非線型誘導素子を用いるもの［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・能動素子，例．放電管，半導体素子，と結合した磁気素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／３４が優先）［２，７］ | HB | CC | 5B074 | |
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・ステージの主素子としてキャパシタを用いるもの［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・・半導体素子と結合するもの，例．バイポーラトランジスタ，ダイオード | HB | CC | 5B074 | |
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・・・電界効果トランジスタと結合するもの，例．ＭＯＳ－ＦＥＴ | HB | CC | 5B074 | |
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・・・・一つのキャパシタにつき一つのトランジスタだけ用いるもの，例．バケツリレーシフトレジスタ | HB | CC | 5B074 | |
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・・・多数のシフトレジスタの編成，例．再生成，タイミング，入出力回路（ＦＩＦＯ Ｇ０６Ｆ５／０６； ＬＩＦＯ Ｇ０６Ｆ７／７８） | HB | CC | 5B074 | |
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・放電管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４が優先）［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・半導体素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１９／１４，Ｇ１１Ｃ１９／３６が優先）［２，７］ | HB | CC | 5B074 | |
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・・空乏層に電荷蓄積するもの，例．電荷結合素子（ＣＣＤ） | HB | CC | 5B074 | |
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・・・周辺回路，例．初段に書込み、最終段から読み出すためのもの | HB | CC | 5B074 | |
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・・多数のシフトレジスタの編成（ＦＩＦＯ Ｇ０６Ｆ５／０６； ＬＩＦＯ Ｇ０６Ｆ７／７８） | HB | CC | 5B074 | |
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・・バイポーラＦＦ回路 | HB | CC | 5B074 | |
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・・ＦＥＴＦＦ回路 | HB | CC | 5B074 | |
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・・バイポーラ転送ゲート型 | HB | CC | 5B074 | |
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・・ＦＥＴ転送ゲート型 | HB | CC | 5B074 | |
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・・トンネルダイオード | HB | CC | 5B074 | |
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・オプト―エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光―電気装置を用いるもの［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・超電導素子を用いるもの［２］ | HB | CC | 5B074 | |
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・３以上の異なる安定状態を有する記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［７］ | HB | CC | 5B074 | |
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・・半導体素子を用いるもの［７］ | HB | CC | 5B074 | |
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・二次元の，例．水平方向と垂直方向に情報が移動するシフト・レジスター［７］ | HB | CC | 5B074 | |