FI(一覧表示)

G11C11/00	特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置；そのための記憶素子（Ｇ１１Ｃ１４／００～Ｇ１１Ｃ２１／００が優先）［５］	(注)/(索引)	HB	CC	5B073

G11C11/00,100	・結合されてはいるが独立して動作するＲＡＭ－ＲＯＭ，ＲＡＭ－ＰＲＯＭ，ＲＡＭ－ＥＰＲＯＭセルから成るもの		HB	CC	5B094

G11C11/02	・磁気的素子を用いるもの		HB	CC	5B073

G11C11/04	・・シリンダ状の記憶素子，例．ロッド，ワイヤを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１２，Ｇ１１Ｃ１１／１４が優先）［２］		HB	CC	5B073

G11C11/06	・・単一記憶素子を用いるもの，例．トロイダル磁心；多孔板を用い，それぞれの孔が一つの記憶素子を構成するもの		HB	CC	5B073

G11C11/061	・・・１素子で１ビットを記憶し，破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］		HB	CC	5B073

G11C11/063	・・・・２Ｌ／２Ｄ，３Ｄオーガニゼイションのようにビットが組織化されたもの，すなわち書込みと読出しにあたり少なくとも２つの一致した局部電流により１つの記憶素子を選択するために組織化されたもの［２］		HB	CC	5B073

G11C11/065	・・・・２Ｄオーガニゼイションまたはリニヤ選択のようにワードが組織化されたもの，すなわち単独の十分な読出し電流により１ワード分の全記憶素子を選択するために組織化されたもの［２］		HB	CC	5B073

G11C11/067	・・・１素子で１ビットを記憶し，非破壊読出しを行なうための単一の孔または磁気ループを有する素子を用いるもの［２］		HB	CC	5B073

G11C11/08	・・多孔記憶素子を用いるもの，例．トランスフラクサを用いるもの；複数個の独立した多孔記憶素子を組み込んだ板状体を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１０が優先）［２００６．０１］		HB	CC	5B073

G11C11/10	・・多軸記憶素子を用いるもの		HB	CC	5B073

G11C11/12	・・テンサーを用いるもの；トゥイスタを用いるもの，すなわち一方の磁化軸がねじられているもの		HB	CC	5B073

G11C11/14	・・薄膜素子を用いるもの		HB	CC	5B002

G11C11/15	・・・多層の磁性層を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／１５５が優先）［２］		HB	CC	5B073

G11C11/155	・・・シリンダー状の形状を有するもの［２］		HB	CC	5B073

G11C11/16	・・記憶作用が磁気的スピン効果に基づいている素子を用いるもの		HB	CC	5B073

G11C11/16,100	・・・メモリセル構造に関するもの		HB	CC	5B073

G11C11/16,100@A	薄膜構造に関するもの		HB	CC	5B073

G11C11/16,100@C	磁壁移動を伴うもの		HB	CC	5B073

G11C11/16,100@Z	その他		HB	CC	5B073

G11C11/16,200	・・・周辺回路		HB	CC	5B073

G11C11/16,210	・・・・アドレス回路またはアドレスデコーダ		HB	CC	5B073

G11C11/16,212	・・・・・ビット線またはカラム回路		HB	CC	5B073

G11C11/16,214	・・・・・ワード線またはロウ回路		HB	CC	5B073

G11C11/16,220	・・・・セル選択		HB	CC	5B073

G11C11/16,230	・・・・読み出し，センシングの回路または方法		HB	CC	5B073

G11C11/16,240	・・・・書き込み，プログラミングの回路または方法		HB	CC	5B073

G11C11/16,250	・・・・ベリファイ回路または方法		HB	CC	5B073

G11C11/16,260	・・・・タイミング回路または方法		HB	CC	5B073

G11C11/16,280	・・・・保護回路または方法		HB	CC	5B073

G11C11/16,290	・・・・電力供給回路		HB	CC	5B073

G11C11/18	・ホール効果素子を用いるもの		HB	CC	5B067

G11C11/19	・共振回路における非線形誘導素子を用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/20	・・パラメトロンを用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/21	・電気的素子を用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/22	・・強誘電体素子を用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/22,110	・・・強誘電体キャパシタを使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/22,120	・・・強誘電体ゲート絶縁膜を有するＭＯＳを使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/22,200	・・・周辺回路		HB	CC	5B067

G11C11/22,210	・・・・アドレス回路またはアドレスデコーダ		HB	CC	5B067

G11C11/22,212	・・・・・ビット線またはカラム回路		HB	CC	5B067

G11C11/22,214	・・・・・・プリチャージ，ディスチャージ，イコライズ回路		HB	CC	5B067

G11C11/22,216	・・・・・ワード線またはロウ回路		HB	CC	5B067

G11C11/22,218	・・・・・プレート線回路		HB	CC	5B067

G11C11/22,220	・・・・セル選択		HB	CC	5B067

G11C11/22,230	・・・・読み出し，センシングの回路または方法		HB	CC	5B067

G11C11/22,232	・・・・・センスアンプ		HB	CC	5B067

G11C11/22,234	・・・・・参照電圧発生回路，例．ダミー・セル		HB	CC	5B067

G11C11/22,240	・・・・書き込み，プログラミングの回路または方法		HB	CC	5B067

G11C11/22,250	・・・・ベリファイ回路または方法		HB	CC	5B067

G11C11/22,260	・・・・タイミング回路または方法		HB	CC	5B067

G11C11/22,270	・・・・劣化，保持力，消耗の評価		HB	CC	5B067

G11C11/22,280	・・・・保護回路または方法		HB	CC	5B067

G11C11/22,290	・・・・電力供給回路		HB	CC	5B067

G11C11/23	・・１つの共通層上の静電記憶を用いるもの，例．フォレスターハエフ管（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先）［２］		HB	CC	5B067

G11C11/24	・・キャパシタを用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２２が優先；半導体装置とキャパシタの組合せを用いるものＧ１１Ｃ１１／３４，例．Ｇ１１Ｃ１１／４０）［２，５］		HB	CC	5B067

G11C11/26	・・放電管を用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/28	・・・ガス入り管を用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/30	・・・真空管を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１１／２３が優先）［２］		HB	CC	5B067

G11C11/34	・・半導体装置を用いるもの［２］		HB	CC	5B015

G11C11/35	・・・空欠層に蓄積された電荷があるもの，例．電荷結合装置［７］		HB	CC	5B015

G11C11/36	・・・ダイオードを用いるもの，例．閾値素子として用いるもの［２］		HB	CC	5B015

G11C11/38	・・・・トンネルダイオードを用いるもの［２］		HB	CC	5B015

G11C11/39	・・・サイリスタを用いるもの［５］		HB	CC	5B015

G11C11/40	・・・トランジスタを用いるもの［２］		HB	CC	5B015

G11C11/401	・・・・リフレッシングまたは電荷再生，すなわちダイナミック・セル［５］		HB	CC	5M024

G11C11/402	・・・・・各々のメモリセルに個別の電荷再生，すなわち内部リフレッシュをもつもの［５］		HB	CC	5M024

G11C11/403	・・・・・多数のメモリセルに共通な電荷再生，すなわち外部リフレッシュをもつもの［５］		HB	CC	5M024

G11C11/404	・・・・・・１つのセル当り，１つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］		HB	CC	5M024

G11C11/404,100	・・・・・・・それぞれが蓄積容量を有する，直列に接続された複数のアクセストランジスタ		HB	CC	5M024

G11C11/405	・・・・・・１つのセル当り，３つの電荷転送ゲート，例．ＭＯＳトランジスタ，をもつもの［５］		HB	CC	5M024

G11C11/406	・・・・・リフレッシングまたは電荷再生サイクルの管理または制御［５］		HB	CC	5M024

G11C11/406,100	・・・・・・読み書きまたはリフレッシュ動作のためのメモリセルの仲裁，優先度，同時選択		HB	CC	5M024

G11C11/406,102	・・・・・・・優先度に基づいてリフレッシュするもの		HB	CC	5M024

G11C11/406,104	・・・・・・・読み書き動作またはリフレッシュ動作を途中で中断するもの		HB	CC	5M024

G11C11/406,110	・・・・・・・非アクセス時にリフレッシュするもの		HB	CC	5M024

G11C11/406,120	・・・・・・リフレッシュ周期が変化するもの		HB	CC	5M024

G11C11/406,140	・・・・・・リフレッシュの起動またはリフレッシュタイミングの発生に関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/406,200	・・・・・・内部キャッシュまたはデータバッファを有する記憶装置におけるリフレッシュ動作		HB	CC	5M024

G11C11/406,300	・・・・・・内部または部分的な内部リフレッシュ動作の外部契機，タイミング，例．オートリフレッシュまたはＣＡＳビフォアＲＡＳ契機リフレッシュ		HB	CC	5M024

G11C11/406,350	・・・・・・リフレッシュの内部契機またはタイミング，例．ヒドンリフレッシュ，セリフリフレッシュ，疑似ＳＲＡＭ		HB	CC	5M024

G11C11/406,400	・・・・・・複数のバンクまたはインターリーブにまたがるリフレッシュ動作		HB	CC	5M024

G11C11/406,450	・・・・・・メモリアレイの部分リフレッシュ		HB	CC	5M024

G11C11/406,460	・・・・・・リフレッシュを省略するものまたはリフレッシュアドレスの発生に関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/406,500	・・・・・・リフレッシュ動作の発熱に関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4063	・・・・・周辺回路，例．アドレス用，デコード用，駆動用，書込み用，センス用，またはタイミング用［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4067	・・・・・・バイポーラ型のメモリ・セル用の周辺回路［７］		HB	CC	5M024

G11C11/407	・・・・・・電界効果型のメモリ・セル用の周辺回路［５］		HB	CC	5M024

G11C11/4072	・・・・・・・初期化，パワーアップまたはパワーダウン，メモリクリア，またはプリセット用の回路［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4074	・・・・・・・電力供給回路または電圧発生回路，例．バイアス電圧発生器，基板電圧発生器，バックアップ電源，電源制御回路［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4074,100	・・・・・・・・電源異常またはシステムダウン対策		HB	CC	5M024

G11C11/4074,150	・・・・・・・・バッテリおよびバックアップ電源		HB	CC	5M024

G11C11/4074,200	・・・・・・・・プレート電圧の制御		HB	CC	5M024

G11C11/4074,250	・・・・・・・・基板電圧の制御		HB	CC	5M024

G11C11/4076	・・・・・・・タイミング回路（再生制御用Ｇ１１Ｃ１１／４０６）［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4078	・・・・・・・安全または保護回路，例．不注意な，あるいは不正な読出しや書込みを防ぐためのもの；ステータス・セル；テスト・セル（チェックまたはテストにおけるメモリ内容の保護Ｇ１１Ｃ２９／５２）［７］		HB	CC	5M024

G11C11/408	・・・・・・・アドレス回路［５］		HB	CC	5M024

G11C11/408,100	・・・・・・・・アドレスバッファ；レベル変換回路		HB	CC	5M024

G11C11/408,120	・・・・・・・・ワード線制御回路，例．ワード線用のドライバ，ブースター，プルアップ回路，プルダウン回路，プリチャージ回路		HB	CC	5M024

G11C11/408,125	・・・・・・・・・ワード線クランプ回路		HB	CC	5M024

G11C11/408,140	・・・・・・・・アドレスデコーダ，例．ビット線またはワード線デコーダ；多重線デコーダ		HB	CC	5M024

G11C11/409	・・・・・・・読出し－書込み［Ｒ－Ｗ］回路［５］		HB	CC	5M024

G11C11/4091	・・・・・・・・センスまたはセンス／リフレッシュ増幅器，またはセンス関連回路，例．ビット線対のプリチャージ，イコライズ，または分離［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4091,120	・・・・・・・・・センス増幅器の回路自体に特徴のあるもの		HB	CC	5M024

G11C11/4091,122	・・・・・・・・・・トランスファゲートに特徴のあるもの，例．トランスファゲートの駆動電圧，タイミング，電荷転送効果を利用するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4091,124	・・・・・・・・・・メモリセルの情報をリストアするための回路，例，アクティブリストア回路		HB	CC	5M024

G11C11/4091,140	・・・・・・・・・センス増幅器の制御に特徴のあるもの		HB	CC	5M024

G11C11/4091,150	・・・・・・・・・センス方式に特徴のあるもの		HB	CC	5M024

G11C11/4091,160	・・・・・・・・・ビット線のプリチャージに特徴のあるもの		HB	CC	5M024

G11C11/4093	・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ・インターフェイス機構，例．データバッファ［２００６．０１］		HB	CC	5M024

G11C11/4093,100	・・・・・・・・・入力データバッファを有するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4093,150	・・・・・・・・・出力データバッファを有するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4094	・・・・・・・・ビット線管理または制御回路［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4096	・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ管理または制御回路，例．読出しまたは書込み回路，Ｉ／Ｏドライバ，ビット線スイッチ［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4096,100	・・・・・・・・・入出力バス		HB	CC	5M024

G11C11/4096,200	・・・・・・・・・データアンプ		HB	CC	5M024

G11C11/4096,300	・・・・・・・・・アクセスモードまたはアクセス方式に関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4096,310	・・・・・・・・・・ページモードに関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4096,320	・・・・・・・・・・ニブルモードに関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4096,330	・・・・・・・・・・静的カラムモードに関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4096,400	・・・・・・・・・デュアルポートメモリに関するもの		HB	CC	5M024

G11C11/4096,450	・・・・・・・・・全体が複数の部分またはブロックに分割されたセルアレイに関するもの（Ｇ１１Ｃ１１／４０６，４００が優先）		HB	CC	5M024

G11C11/4096,500	・・・・・・・・・シンクロナスメモリ		HB	CC	5M024

G11C11/4096,550	・・・・・・・・・・ＤＤＲ		HB	CC	5M024

G11C11/4097	・・・・・・・・ビット線編成，例．ビット線レイアウト，折返しビット線［７］		HB	CC	5M024

G11C11/4099	・・・・・・・・ダミー・セル処理；リファレンス電圧発生器［７］		HB	CC	5M024

G11C11/41	・・・・正帰還によるセル，すなわちリフレッシングまたは電荷再生を必要としないセルを形成するもの，例．双安定マルチバイブレータまたはシュミットトリガ［５］		HB	CC	5B015

G11C11/411	・・・・・バイポーラトランジスタのみを用いるもの［５］		HB	CC	5B015

G11C11/412	・・・・・電界効果トランジスタのみを用いるもの［５］		HB	CC	5B015

G11C11/412,100	・・・・・・情報の喪失に対する保護のための回路手段を取り入れたセル（一般Ｇ１１Ｃ５／００，１００）		HB	CC	5B015

G11C11/412,110	・・・・・・初期化を目的とした不平衡セルに関するもの		HB	CC	5B015

G11C11/412,120	・・・・・・セルの片方だけからデータの読出または書込を図るもの		HB	CC	5B015

G11C11/413	・・・・・周辺回路，例．アドレシング，復号化，駆動，書込み，検知，同期および低電力化用［５］		HB	CC	5B015

G11C11/414	・・・・・・バイポーラ型のメモリセル用［５］		HB	CC	5B015

G11C11/415	・・・・・・・アドレス回路［５］		HB	CC	5B015

G11C11/416	・・・・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［５］		HB	CC	5B015

G11C11/417	・・・・・・電界効果型のメモリセル用［５］		HB	CC	5B015

G11C11/417,100	・・・・・・・電源供給回路		HB	CC	5B015

G11C11/417,110	・・・・・・・・バッテリバックアップに関するもの		HB	CC	5B015

G11C11/417,120	・・・・・・・・基板バイアスに関するもの		HB	CC	5B015

G11C11/418	・・・・・・・アドレス回路［５］		HB	CC	5B015

G11C11/418,100	・・・・・・・・アドレス選択回路		HB	CC	5B015

G11C11/418,110	・・・・・・・・・選択または駆動に関するもの		HB	CC	5B015

G11C11/418,120	・・・・・・・・・メモリ分割，アドレス分割に関するもの		HB	CC	5B015

G11C11/418,130	・・・・・・・・・アドレス・デコーダ回路		HB	CC	5B015

G11C11/418,140	・・・・・・・・・アドレス・バッファ回路		HB	CC	5B015

G11C11/419	・・・・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［５］		HB	CC	5B015

G11C11/419,100	・・・・・・・・センス増幅回路		HB	CC	5B015

G11C11/419,110	・・・・・・・・アドレスの変化を検知して所定の動作，例．プリチャージ，を行うもの		HB	CC	5B015

G11C11/419,120	・・・・・・・・プリチャージに関するもの（Ｇ１１Ｃ１１／４１９，１１０が優先）		HB	CC	5B015

G11C11/419,130	・・・・・・・・入出力［Ｉ／Ｏ］データ・インターフェイス機構		HB	CC	5B015

G11C11/419,140	・・・・・・・・シンクロナスメモリ		HB	CC	5B015

G11C11/4193	・・・特種な半導体記憶装置に特有の周辺装置，例．アドレシング，駆動，検出，タイミング，電力供給，信号伝達のためのもの（Ｇ１１Ｃ１１／４０６３，Ｇ１１Ｃ１１／４１３が優先）［７］		HB	CC	5B015

G11C11/4195	・・・・アドレス回路［７］		HB	CC	5B015

G11C11/4197	・・・・読出し－書込み回路［Ｒ－Ｗ］［７］		HB	CC	5B015

G11C11/42	・・オプト－エレクトロニクス装置，すなわち電気的または光学的に結合された光放射および光－電気装置を用いるもの		HB	CC	5B067

G11C11/44	・・超電導素子，例．クライオトロン，を用いるもの［２］		HB	CC	5B067

G11C11/46	・熱可塑性素子を用いるもの		HB	CC	5B067

G11C11/48	・相互または自己インダクタンスを異なる状態の間で変化させるための移動可能な結合素子，例．強磁性コア，を用いるもの		HB	CC	5B067

G11C11/50	・情報を記憶するために電気接点を作動するもの［２００６．０１］		HB	CC	5B067

G11C11/52	・・電磁リレーを用いるもの		HB	CC	5B067

G11C11/54	・生物細胞，例．ニューロン，をシミュレーションした素子を用いるもの		HB	CC	5B067

G11C11/56	・ステップによって表わされる２つまたはそれ以上の数の安定状態をもつ記憶素子を用いるもの，例．電圧によるもの，電流によるもの，位相によるもの，周波数によるもの［２００６．０１］		HB	CC	5B067

G11C11/56,100	・・磁気記憶素子を使用するもの		HB	CC	5B073

G11C11/56,150	・・伝導性ブリッジＲＡＭまたはプログラム可能な金属化合物セルを使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/56,200	・・浮遊ゲートにおいて電荷蓄積を使用するもの		HB	CC	5B225

G11C11/56,210	・・・プログラミングまたは書込み回路；データ入力回路		HB	CC	5B225

G11C11/56,215	・・・・消去回路		HB	CC	5B225

G11C11/56,220	・・・検知または読出し回路；データ出力回路		HB	CC	5B225

G11C11/56,250	・・容量性電荷蓄積素子を使用するもの		HB	CC	5M024

G11C11/56,300	・・強誘電体記憶素子を使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/56,350	・・有機材料記憶素子を使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/56,400	・・絶縁体において電荷トラッピングを使用するもの		HB	CC	5B225

G11C11/56,450	・・アモルファス／結晶の相変化記憶素子を使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/56,500	・・金属酸化物記憶素子，例．ペロブスカイトを使用するもの		HB	CC	5B067

G11C11/56,600	・・マルチビット読出し専用メモリ		HB	CC	5B225

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