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HB:ハンドブック | ||||
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CC:コンコーダンス | |||||
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消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ（Ｇ１１Ｃ１４／００が優先）［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・電気的にプログラム可能なもの［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・閾値が可変なトランジスタを用いるもの，例．ＦＡＭＯＳ［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・フローティングゲートトランジスタを包含するセルで構成されるもの（Ｇ１１Ｃ１６／０４，１７０，Ｇ１１Ｃ１６／０４，１８０が優先） | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・単一のフローティングゲートトランジスタを包含し，選択トランジスタを包含しないセルで構成されるもの，例．ＵＶ ＥＰＲＯＭ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・マージされたフローティングゲートと選択トランジスタを包含するセルで構成されるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・１つのフローティングゲートトランジスタおよび１つ以上の別個の選択トランジスタを包含するセルで構成されるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・複数のフローティングゲートデバイスで構成されるセル，例．複数のフローティングゲートに接続された別個の読出し及び書込みＦＡＭＯＳトランジスタを包含するセルで構成されるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ＰチャネルとＮチャネルメモリトランジスタを備えるフローティングゲートメモリセル，通常は共通フローティングゲートを共有するもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・独立したデータを記憶する複数の独立したフローティングゲートで構成されるもの（単一のフローティングゲートにおいて３つ以上の安定状態を記憶するためのものＧ１１Ｃ１１／５６） | HB | CC | 5B225 | |
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・・・絶縁層に電荷を蓄積するセルで構成されるもの，例．ＭＮＯＳ，ＳＮＯＳ（Ｇ１１Ｃ１６／０４，１７０，Ｇ１１Ｃ１６／０４，１８０が優先） | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・独立したデータを保持する複数の独立した記憶サイトで構成されるもの （単一の記憶サイトに２以上の安定した状態を蓄積するストレージＧ１１Ｃ１１／５６） | HB | CC | 5B225 | |
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・・・直列接続された複数の記憶トランジスタを有するセルで構成されるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・仮想接地アレイ | HB | CC | 5B225 | |
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・・周辺回路，例．メモリへの書込み用［２００６．０１］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・アドレス回路；デコーダ；ワード線制御回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・カラムデコーダ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・ワード線の選択；デコーダ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ワード線駆動回路，特にワード線への読出し電圧の供給 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ワード線駆動回路，特にベリファイ読出し用 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ワード線駆動回路，特にワード線への書込み電圧の供給 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ワード線駆動回路，特にワード線への消去電圧の供給 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・プログラミングまたはデータ入力回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・外部プログラミング回路，例．ＥＰＲＯＭプログラマ；インサーキットプログラミングまたは再プログラミング；ＥＰＲＯＭエミュレータ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・特に信頼できる置換を保証する’安全性’機能を有する不揮発性メモリの内容を更新する回路，例．新しいデータが確実に書き込まれるまで古いデータの喪失を防ぐもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・アレイ，セクタまたはブロック内の全セルを消去前に同一状態にプログラミングするもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・書込み前のデータと比較するもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・反転書込み／代表書込みを行うもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・書込み時間／書込み電圧／書込み電流制御 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・ソース線の制御に特徴があるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・特殊モードによるプログラム | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・バッファメモリを用いた書込み | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・データ入力回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・プログラミング電圧スイッチング回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・電気的に消去するための回路，例．消去電圧スイッチング回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・消去時間／消去電圧制御 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ソース線の制御に特徴があるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ブロック消去用のもの，例．アレイ，複数ワード，グループ［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・光学的に消去するための回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・初期化；データのプリセット，チップの識別［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・メモリ・セルへの不正な，または不慮のアクセスを防ぐための安全または保護回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・電源電圧が所要範囲外のときに消去，プログラミング，または読取りを防止するもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・ビット線制御回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・ビット線の選択に関するもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・プリチャージ／ディスチャージ回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・書込み電圧発生回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・ラッチ回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・センス回路または読出し回路；データ出力回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・特殊モードによる読出し | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・バッファメモリを介した読出し | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・電流比較型センス回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・ソース線の制御に特徴があるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・出力回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・差動センシングまたはリファレンス・セルを用いるもの，例．ダミー・セル［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・電力供給回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・高電圧発生回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・負電圧発生回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・電圧調整回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・タイミング回路［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・プログラミング状態の決定，例．閾値電圧，過書込みまたは不十分な書込み，リテンション［７］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・メモリセル閾値電圧の収束または補正；過消去または過書込みセルのリペアまたはリカバリ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・消去ベリファイ中に検知された過消去された不揮発性メモリセルのリカバリ回路または方法，通常は“ソフト”プログラミングステップによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・書込み検証中に検知された過書込みされた不揮発性メモリセルのリカバリ回路または方法，通常は“ソフト”消去ステップによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・ディスターブ防止または評価；ディスターブされたメモリデータのリフレッシュ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ディスターブを緩和するステップなしに不揮発性メモリセルの読出しまたは書込みディスターブを評価する回路または方法 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・隣接セルが読出しまたは書込みされた時のディスターブを防止または弱める回路または方法 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・ディスターブされた不揮発性メモリセル，例．書き込まれた状態として読出せるが，閾値が書込み検証閾値より小さい，または消去された状態として読み出せるが，閾値が消去検証閾値より大きいメモリセル，を検出し，リフレッシュ書込みまたは消去によりディスターブを反転させる回路または方法 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・適正な書込みまたは消去を検証するための装置 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・適正な消去を検証するためまたは過消去セルを検出するための装置 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・不揮発性メモリセルの適切な消去を検証するための回路または方法 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・過消去された不揮発性メモリセルを検出するための回路または方法，通常は消去検証最中に検出するもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・適正な書込みを検証するためのまたは過書込みセルを検出するための装置 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・不揮発性メモリセルの適切な書込みを検証する回路または方法 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・過書込みされた不揮発性メモリセルを検出する回路または方法，通常は書込み検証最中に検出するもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・過消去または過書込みの防止，例．消去または書込みの最中の検証によるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・消去進行中に不揮発性メモリセルの適切な消去を検証する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を消去の終了に用いることによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・不揮発性メモリセルの過消去を防止する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を消去の終了に用いることによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・書込み進行中に不揮発性メモリセルの適切な書込みを検証する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を書込みの終了に用いることによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・・不揮発性メモリセルの過書込みを防止する回路または方法，例．セル電流の流れの開始または停止を検出し，検出出力を書込みの終了に用いることによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・劣化，リテンション，または磨耗を評価するための装置，例．消去サイクルをカウントすることによるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・不揮発性ＥＰＲＯＭまたはＥＥＰＲＯＭメモリデバイスの摩耗を検出または遅らせる回路または方法，例．消去または更新サイクル数をカウントし，複数のメモリ領域を順次または循環的に使用することによるもの | HB | CC | 5B225 | |