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G11C14/00	電源遮断時にバックアップするための，揮発性メモリセルと不揮発性メモリセルの配置によって特徴づけられたデジタル記憶装置［５］	HB	CC	5B094

G11C14/00,100	・揮発性素子がＤＲＡＭセルであるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,110	・・不揮発性素子がＥＥＰＲＯＭ素子，例．浮遊ゲートまたはＭＮＯＳトランジスタであるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,120	・・不揮発性素子が強誘電体素子であるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,130	・・不揮発性素子が磁気ＲＡＭ素子［ＭＲＡＭ］または強磁性体素子であるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,140	・・不揮発性素子が抵抗変化ＲＡＭ素子であるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,200	・揮発性素子がＳＲＡＭセルであるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,210	・・不揮発性素子がＥＥＰＲＯＭ素子，例．浮遊ゲートまたはＭＮＯＳトランジスタであるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,220	・・不揮発性素子が強誘電体素子であるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,230	・・不揮発性素子が磁気ＲＡＭ素子［ＭＲＡＭ］または強磁性体素子であるもの	HB	CC	5B094

G11C14/00,240	・・不揮発性素子が抵抗変化ＲＡＭ素子であるもの	HB	CC	5B094

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