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HB:ハンドブック | ||||
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CC:コンコーダンス | |||||
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一度だけプログラム可能な読出し専用メモリ；半永久的記憶装置，例．手動で差替え可能な情報カード［２００６．０１］ | HB | CC | 5B225 | |
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・磁気的または誘導的素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・容量的素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／０６，Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・ダイオード素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［２，５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・半導体装置を用いるもの，例．バイポーラ素子を用いるもの（Ｇ１１Ｃ１７／０６，Ｇ１１Ｃ１７／１４が優先）［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・その記憶内容が，結合素子のあらかじめ決められた配置によって製造時に決められるもの，例．マスクプログラム可能なＲＯＭ［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・バイポーラトランジスタを用いるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・周辺回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・電界効果型装置を用いるもの［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・直列接続された複数の記憶トランジスタを有するセルで構成されるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・仮想接地アレイ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・周辺回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・直列接続された複数の記憶トランジスタを有するセルで構成されるアレイ用の周辺回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・・・・・仮想接地アレイ用の周辺回路 | HB | CC | 5B225 | |
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・その記憶内容が，結合素子の状態を永久に変えることによって連結リンクを選択的に設定，切断または変更することにより決められるもの，例．ＰＲＯＭ［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・レーザーで溶断可能なリンクを用いるもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・ライトワンスメモリ，例 付加ビットに書込みを行うことでメモリ内容の変更を許すもの | HB | CC | 5B225 | |
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・・電気的に溶断可能なリンクを用いるもの［５］ | HB | CC | 5B225 | |
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・・・抵抗の変化を引き起こすように電気的にプログラムされるメモリセル，例．ヒューズ／アンチヒューズの導通から非導通／非道通から導通状態への変更というより，複数の抵抗段階にプログラムできるもの（抵抗ランダムアクセスメモリ素子を用いるデジタル記憶装置 Ｇ１１Ｃ１３／００，２００） | HB | CC | 5B225 | |
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・・周辺回路，例．メモリへの書込み用［２００６．０１］ | HB | CC | 5B225 | |