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Fタームリスト

リスト再作成旧５Ｂ１２５（Ｈ２６）
5B225 リードオンリーメモリ 情報セキュリティ
G11C11/56 ,200-11/56,220;11/56,400;11/56,600;16/00-17/18
G11C16/00-17/18;G11C11/56,200-G11C11/56,220;G11C11/56,600 BA BA00
メモリ種別 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA09
・ＥＥＰＲＯＭ，フラッシュ ・・スタックゲート型 ・・スプリットゲート型 ・・複数のＦＧを有する ・・ＳＧを有する ・・ＥＧを有する ・・ＦＧ，ＣＧ，ＳＧ，ＥＧ以外のゲートを有す ・・ＦＧ以外に電荷を蓄積する ・・多素子セル
BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17 BA18 BA19 BA20
・マスクＲＯＭ ・・配線接続 ・ＰＲＯＭ ・・ヒューズ ・・ＰＮ接合破壊 ・・絶縁膜破壊 ・・抵抗値変化 ・光を用いる静的記憶 ・多値メモリ ・同期型メモリ
CA CA00
目的，効果 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA09 CA10
・高速化 ・節電，低消費電力化，低電力化 ・・低電圧化 ・・動作電流の低減 ・・・回路の間欠動作 ・小型化，高密度化，高集積化 ・・共通化，兼用化 ・使い勝手の改善 ・・複数電源電圧への対応 ・・互換性の確保
CA11 CA12 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18 CA19 CA20
・安定化，誤動作防止 ・・供給電圧変動，電源供給遮断時の対処 ・・温度変動対処 ・・バラツキ対処 ・・ノイズ対処 ・・破壊防止，過電圧，過電流対処 ・・過消去対処 ・・過書込対処 ・・ディスターブ対処 ・・クロストーク対処
CA21 CA22 CA23 CA24 CA25 CA26 CA27 CA28 CA29 CA30
・・タイミング，電圧マージンの確保，拡大 ・機密保持，セキュリティ，コピー防止 ・書込，消去の禁止 ・ＣＰＵ負荷の低減 ・ピーク電流の削減 ・動作タイミングの最適化 ・劣化対処，ストレス緩和 ・経年変化対処 ・書込，消去回数の均等化 ・レイアウトの設定，最適化
DA DA00
読出し動作 		DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA07 DA09 DA10
・読出し動作に特徴 ・・同一ワード線内のセルの連続，同時読出し ・・・ページ読出し ・・複数ワード線に跨る連続読出し ・・複数バンク，チップ間の連続，同時読出し ・・読出しデータの多数決 ・・同一アドレスの再読出省略 ・読出し信号制御に特徴 ・・読出し電圧値／電流値等のトリミング
DB DB00
書込動作 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB07 DB08 DB09 DB10
・書込動作に特徴 ・・同一ワード線内のセルの連続，同時書込 ・・複数バンク，チップ間の連続，同時書込 ・・特定パターンの書込 ・・同一データの書込省略 ・書込しきい値収束動作に特徴 ・・ベリファイ動作せずに収束させる ・・ベリファイ動作を行なうもの ・・・ベリファイ電位の設定に特徴 ・・消去動作も併用
DB21 DB22 DB23 DB24 DB25 DB26 DB27 DB28 DB29 DB30
・書込信号制御に特徴 ・・書込パルス電圧値制御 ・・書込パルス幅制御 ・・書込パルス印加回数制御 ・・書込電流制御 ・・所定量の電荷を注入 ・・書込回数に対応して制御 ・・メモリセルのしきい値レベルに対応して制御 ・・多値の書込データに対応して制御 ・・ステップアップ／ステップダウン書込
DB31 DB32 DB37
・・書込電圧値／パルス幅等のトリミング ・・・初期値の設定 ・既書込済みセルへの書込防止，省略
DC DC00
消去動作 		DC01 DC02 DC03 DC04 DC06 DC07 DC08 DC09 DC10
・消去動作に特徴 ・・ビット単位 ・・ページ，セクタ，バイト，ブロック単位 ・・複数バンク，チップ間の同時消去 ・消去しきい値収束動作に特徴 ・・ベリファイ動作せずに収束させる ・・ベリファイ動作を行なうもの ・・事前書込，プレライト ・・書き戻し
DC11 DC12 DC13 DC14 DC15 DC16 DC17 DC18 DC19 DC20
・消去信号制御に特徴 ・・消去パルス電圧値制御 ・・消去パルス幅制御 ・・消去パルス印加回数制御 ・・消去電流制御 ・・消去電圧値／パルス幅等のトリミング ・電荷注入により消去 ・消去タイミングに特徴 ・・無効，未消去領域の消去 ・既消去済みセルへの消去防止，省略
DD DD00
メモリ管理動作 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD07 DD08 DD09 DD10
・物理，論理アドレスの設定に特徴 ・・書込，消去の順番を設定 ・・アドレスの対応関係を変更 ・初期化，書込時，消去時に設定，変更 ・書込回数，消去回数によって設定，変更 ・所定期間経過によって設定，変更 ・リンク，順番情報を有する ・書込，消去回数情報を有する ・有効，無効，未消去情報を有する ・秘密，パスワード情報を有する
DD11
・管理情報の記憶
DE DE00
その他の動作 		DE01 DE02 DE03 DE04 DE05 DE06 DE07 DE08 DE09 DE10
・複数モード同時，並列動作 ・・読出し動作と書込動作 ・・書込動作と消去動作 ・・同一バンク内の同時，並列動作 ・・・同一ワード線，ビット線での同時，並列動作 ・・複数バンク，チップ間の同時動作 ・試験，測定，検査動作 ・エラー検出訂正動作 ・冗長動作 ・・冗長アドレス設定動作
DE11 DE12 DE13 DE14 DE15 DE16 DE17 DE18 DE19 DE20
・書換え動作に特徴 ・起動，停止動作 ・初期化，リセット動作 ・コピー，複写，転写動作 ・１ビットモード，多ビットモード切換動作 ・リフレッシュ動作 ・キャッシュ動作 ・データポーリング動作 ・ライターによる書込動作 ・コマンド制御動作
EA EA00
セル配置，アレイ構成 		EA01 EA02 EA03 EA04 EA05 EA07 EA08 EA09 EA10
・ＮＯＲ型 ・ＤＩＮＯＲ型 ・ＡＮＤ型 ・仮想接地型 ・ＮＡＮＤ型 ・複数バンク構成 ・領域設定に特徴 ・・書込，消去禁止領域 ・・特定情報領域
EB EB00
ＥＥＰＲＯＭセルへの電荷注入，放出構成 		EB01 EB02 EB03 EB04 EB05 EB06 EB07 EB08 EB09 EB10
・トンネル注入 ・アバランシェ注入 ・注入，放出方向が特定されているもの ・・ドレイン側から注入又は放出 ・・ソース側から注入又は放出 ・・ＣＧ側から注入又は放出 ・・チャネルから注入または放出 ・基板バイアスの電圧制御に特徴 ・負電圧を利用するもの ・非選択ワード線，ビット線，ソース線の制御
EC EC00
ワード線，ソース線まわり 		EC01 EC02 EC03 EC04 EC05 EC06 EC08 EC09 EC10
・ワード線まわりに特徴 ・・階層化 ・・特定回路の付加 ・・・トランスファゲート ・・・昇圧回路，充電回路，放電回路 ・・ワード線駆動回路に特徴 ・ソース線まわりに特徴 ・・ソース線の電圧制御 ・・ソース線の電流制御
ED ED00
ビット線まわり 		ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 ED06 ED07 ED08 ED09 ED10
・ビット線まわりに特徴 ・・階層化 ・・相補構成 ・・特定回路の付加 ・・・電圧電流増幅回路 ・・・トランスファゲート ・・・ラッチ回路 ・・・ビット線と他線間のイコライズ ・・・充電，放電回路 ・・列選択回路に特徴
EE EE00
センスアンプまわり 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08 EE09 EE10
・センスアンプに特徴 ・・電流比較型 ・・電圧比較型 ・・ラッチタイプ ・・差動増幅タイプ ・・カレントミラータイプ ・・ビット線毎に設置 ・・特性の制御 ・・駆動タイミングの制御 ・・複数のセンスアンプの制御
EE11 EE12 EE13 EE14 EE15 EE16 EE17 EE18 EE19 EE20
・負荷回路に特徴 ・プリチャージ回路に特徴 ・・電流量の制御 ・特定回路の付加 ・・放電回路 ・・イコライズ回路 ・データ保持回路を有する ・・センスアンプ後段に設置 ・・ページデータの保持 ・・保持タイミングの制御
EF EF00
その他の周辺回路 		EF01
・データ線の信号増幅回路
EF11 EF12 EF13 EF15 EF17 EF18 EF19
・入力データのバッファ，保持に特徴 ・・アドレスデータのバッファ，保持に特徴 ・出力データのバッファ，保持に特徴 ・バッファメモリ・キャッシュメモリ ・１ビットデータと多ビットデータの変換回路 ・入出力データの順序切替回路 ・他メモリ回路をチップ内に設置
EF21 EF22 EF23 EF25
・アドレス設定回路に特徴 ・・内部アドレス生成，設定 ・・ブロック，バンクを選択 ・タイミング回路に特徴
EG EG00
電圧電流供給，設定構成 		EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 EG06 EG07 EG08 EG09 EG10
・電圧供給回路に特徴 ・・高電圧発生回路 ・・負電圧発生回路 ・・チャージポンプ回路 ・・・チャージポンプ回路の制御 ・・・複数のチャージポンプ ・・降圧回路 ・・電圧値の制御 ・電流供給回路に特徴 ・・電流値の制御
EG11 EG12 EG13 EG14 EG15 EG16 EG17 EG18 EG19
・電圧，電流設定に特徴 ・・電圧制限回路 ・・電流制限回路 ・・特定動作電圧，電流の設定 ・・・基板電圧設定 ・・・基準電圧，参照電圧設定 ・・・ベリファイ電圧設定 ・電圧切替回路 ・電圧変換回路
EH EH00
検出構成 		EH01 EH02 EH03 EH04 EH05 EH06 EH07 EH08 EH09 EH10
・電源電圧検出 ・高電圧発生回路の電圧検出 ・負電圧発生回路の電圧検出 ・１メモリセルのしきい値検出 ・ワード線の電圧，電流検出 ・ビット線のセンスアンプ以外の電圧電流検出 ・ソース線の電圧，電流検出 ・温度検出 ・アドレス遷移検出 ・入力データ遷移検出
EJ EJ00
回路素子構成 		EJ01 EJ02 EJ03 EJ04 EJ05 EJ06 EJ07 EJ08 EJ09 EJ10
・回路素子の設定，変更に特徴 ・・コンデンサ，容量の設定，制御 ・・抵抗の設定，制御 ・・遅延回路の設定，制御 ・ダミーセル，リファレンスセルを有する ・・センスアンプ以外への電圧，電流設定に利用 ・・動作タイミングの生成に利用 ・・多値化対応 ・・複数のダミーセルを有する ・・ダミーセルの制御に特徴
EJ11
・・ノーマルセルと特性が異なるダミーセル
EK EK00
外部接続構成，外部出力情報 		EK01 EK02 EK03 EK04 EK05 EK06 EK07 EK08 EK09 EK10
・ＣＰＵ ・ＲＡＭ，ＲＯＭ ・・ＥＥＰＲＯＭ，フラッシュ ・ライター ・ＲＯＭの種別，識別情報出力 ・メモリの状態情報の出力 ・・レディ，ビジー信号 ・・書込状態，消去状態情報 ・・保護情報 ・・エラー情報
FA FA00
図面，表情報 		FA01 FA02 FA04 FA05 FA06 FA07 FA10
・フローチャート ・タイムチャート ・メモリ管理図，管理表 ・特性図 ・動作別電圧設定図，設定表 ・レイアウト図 ・具体的な応用機器
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