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固体またはゲルからの単結晶成長［３］
C30B1/00	固相からの直接単結晶成長（共析晶物質の一方向析出Ｃ３０Ｂ３／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］		HB	CC	4G077

C30B3/00	共析晶物質の一方向析出［３］		HB	CC	4G077

C30B5/00	ゲルからの単結晶成長（保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］		HB	CC	4G077

液体からの単結晶成長；共晶物質の一方向固化［３］
C30B7/00	常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長，例．水溶液（溶融溶媒からのものＣ３０Ｂ９／００；ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものＣ３０Ｂ１１／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］		HB	CC	4G077

C30B9/00	溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長（ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固によるものはＣ３０Ｂ１１／００；ゾーンメルティングによるものＣ３０Ｂ１３／００；結晶引出しによるものＣ３０Ｂ１５／００；浸漬された種結晶上に成長するものＣ３０Ｂ１７／００；液相エピタキシャル成長によるものＣ３０Ｂ１９／００；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］		HB	CC	4G077

C30B11/00	ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長，例．ブリッジマン―ストックバーガー法（Ｃ３０Ｂ１３／００，Ｃ３０Ｂ１５／００，Ｃ３０Ｂ１７／００，Ｃ３０Ｂ１９／００が優先；保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］		HB	CC	4G077

C30B13/00	ゾーンメルティングによる単結晶成長；ゾーンメルティングによる精製（Ｃ３０Ｂ１７／００が優先；処理された固体の断面積を変化させるものＣ３０Ｂ１５／００；保護流体下で行なうものＣ３０Ｂ２７／００；特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのものＣ３０Ｂ２８／００）［２００６．０１］		HB	CC	4G077

C30B15/00	融液からの引出しによる単結晶成長，例．チョクラルスキー法（保護流体下で行うものＣ３０Ｂ２７／００）［３］		HB	CC	4G077

C30B17/00	成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長，例．ナッケン―キロポロス法（Ｃ３０Ｂ１５／００が優先）［３］		HB	CC	4G077

C30B19/00	液相エピタキシャル成長［３］		HB	CC	4G077

C30B21/00	共晶物質の一方向固化［３］		HB	CC	4G077

蒸気からの単結晶成長［３］
C30B23/00	蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長［３］		HB	CC	4G077

C30B25/00	反応ガスの化学反応による単結晶成長，例．化学蒸着（ＣＶＤ）による成長［３］		HB	CC	4G077



C30B27/00	保護流体下における単結晶成長［３］		HB	CC	4G077

C30B28/00	特定構造を有する均質多結晶物質の製造［５］		HB	CC	4G077

C30B29/00	材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質［３，５］	(注)/(索引)	HB	CC	4G077

C30B30/00	電場，磁場，波動エネルギーまたはその他の特殊な物理的条件の作用により特徴づけられる単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造［５］	(注)/(索引)	HB	CC	4G077

単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理［３，５］
C30B31/00	単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程；そのための装置［３，５］		HB	CC	4G077

C30B33/00	単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（Ｃ３０Ｂ３１／００が優先）［３，５］		HB	CC	4G077



C30B35/00	単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の成長，製造または後処理のために特に適合した他に分類されない装置［３，５］		HB	CC	4G077

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