FI(一覧表示)

  • C30B19/00
  • 液相エピタキシャル成長[3] HB CC 4G077
  • C30B19/00@S
  • スライド法(スライド法とはスライダ-とボ-トとを相対的に滑動させながら,スライダ-に載せられた基板とボ-ドに収容された単結晶原料融液とを接触させることによつて,基板表面に単結晶の層を成長させる単結晶の育成方法である.) HB CC 4G077
  • C30B19/00@Z
  • その他 HB CC 4G077
  • C30B19/02
  • ・溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス[3] HB CC 4G077
  • C30B19/04
  • ・・溶媒が結晶組成の一成分であるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B19/06
  • ・反応室;融液支持用ボート;基板保持体[3] HB CC 4G077
  • C30B19/06@S
  • スライド法 HB CC 4G077
  • C30B19/06@Z
  • その他 HB CC 4G077
  • C30B19/08
  • ・反応室または基板の加熱[3] HB CC 4G077
  • C30B19/10
  • ・制御または調整(制御または調整一般G05)[3] HB CC 4G077
  • C30B19/12
  • ・基板によって特徴づけられたもの[3] HB CC 4G077
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