FI(一覧表示)

  • C30B13/00
  • ゾーンメルティングによる単結晶成長;ゾーンメルティングによる精製(C30B17/00が優先;処理された固体の断面積を変化させるものC30B15/00;保護流体下で行なうものC30B27/00;特定構造を有する均質多結晶物質の成長のためのものC30B28/00)[2006.01] HB CC 4G077
  • C30B13/02
  • ・溶媒を用いるゾーンメルティング,例.移動溶媒法[3] HB CC 4G077
  • C30B13/04
  • ・ゾーンレベリングによる均質化[3] HB CC 4G077
  • C30B13/06
  • ・溶融ゾーンが全断面にわたって広がらないもの[3] HB CC 4G077
  • C30B13/08
  • ・溶融ゾーンに結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの[3] HB CC 4G077
  • C30B13/10
  • ・・ドープ物質を加えるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B13/12
  • ・・・ガスまたは蒸気状態で[3] HB CC 4G077
  • C30B13/14
  • ・るつぼまたは容器[3] HB CC 4G077
  • C30B13/16
  • ・溶融ゾーンの加熱[3] HB CC 4G077
  • C30B13/18
  • ・・加熱素子が溶融ゾーンに接触または浸漬されるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B13/20
  • ・・誘導によるもの,例.ホットワイヤ技術(C30B13/18が優先)[3] HB CC 4G077
  • C30B13/22
  • ・・照射または電気放電によるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B13/24
  • ・・・電磁波を用いるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B13/26
  • ・溶融ゾーンの攪拌[3] HB CC 4G077
  • C30B13/28
  • ・制御または調整[3] HB CC 4G077
  • C30B13/30
  • ・・溶融ゾーンの安定化または形状の制御,例.コンセントレイターによるもの,電磁界によるもの;結晶断面の制御[3] HB CC 4G077
  • C30B13/32
  • ・材料またはヒーターの移動機構[3] HB CC 4G077
  • C30B13/34
  • ・種結晶によって特徴づけられたもの,例.その結晶方位[3] HB CC 4G077
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