FI(一覧表示)

  • C30B33/00
  • 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理(C30B31/00が優先)[3,5] HB CC 4G077
  • C30B33/02
  • ・熱処理(C30B33/04,C30B33/06が優先)[5] HB CC 4G077
  • C30B33/04
  • ・電場,磁場または粒子線放射を用いるもの[5] HB CC 4G077
  • C30B33/06
  • ・結晶の結合[5] HB CC 4G077
  • C30B33/08
  • ・エッチング[5] HB CC 4G077
  • C30B33/10
  • ・・溶液または融液中で[5] HB CC 4G077
  • C30B33/12
  • ・・気体雰囲気またはプラズマ下で[5] HB CC 4G077
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