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HB:ハンドブック | ||||
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CC:コンコーダンス | |||||
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反応ガスの化学反応による単結晶成長，例．化学蒸着（ＣＶＤ）による成長［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・エピタキシャル層成長［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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プラズマを利用するもの | HB | CC | 4G077 | |
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その他 | HB | CC | 4G077 | |
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・・パターン成膜，例．マスクを用いるもの［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・反応スパッタリングによるもの［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・反応室；そのための材料の選択［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・反応室または基板の加熱［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・基板保持体またはサセプタ［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・ガスの供給および排出手段；反応ガス流の調節［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・制御または調整（制御または調整一般Ｇ０５）［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・基板によって特徴づけられたもの［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・・基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの［３］ | HB | CC | 4G077 | |
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・・サンドイッチプロセス［３］ | HB | CC | 4G077 | |