FI(一覧表示)

C30B29/00	材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質［３，５］	(注)/(索引)	HB	CC	4G077

C30B29/02	・元素［３］		HB	CC	4G077

C30B29/04	・・ダイヤモンド［３］		HB	CC	4G077

C30B29/04@A	気相法によるダイヤモンド薄膜の製造〔粒子の被覆→Ｔ〕		HB	CC	4G077

C30B29/04@B	・プラズマを生成させるもの〔Ｃ～Ｆ以外のものまたはプラズマ生成手段を特定していないもの〕		HB	CC	4G077

C30B29/04@C	・・直流放電プラズマによるもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@D	・・高周波プラズマによるもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@E	・・マイクロ波プラズマによるもの（Ｈ１３．５新設）		HB	CC	4G077

C30B29/04@F	・・サイクロトロン共鳴プラズマによるもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@G	・加熱体〔例．熱フイラメント，加熱基板〕により原料ガスを活性化するもの〔雰囲気加熱を含む〕		HB	CC	4G077

C30B29/04@H	・燃焼炎により原料ガスを活性化するもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@J	・熱電子照射により原料ガスを活性化するもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@K	・光照射により原料ガスを活性化するもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@L	・イオンビ－ム照射により原料ガスを活性化するもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@M	・真空蒸着，スパツタリングによるもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@N	・Ｂ～Ｍのような成膜手段を特定していないもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@P	・・基板材料に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@Q	・・基板の処理に特徴あるもの〔例．表面処理，中間層の形成〕		HB	CC	4G077

C30B29/04@R	・・原料ガスの組成に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@S	気相法による薄膜以外の形状〔例．粒状〕のダイヤモンドの製造		HB	CC	4G077

C30B29/04@T	気相法によるダイヤモンドで他の材料の粒子を被覆するもの		HB	CC	4G077

C30B29/04@U	気相法によらないダイヤモンドの製造		HB	CC	4G077

C30B29/04@V	ダイヤモンド結晶の処理		HB	CC	4G077

C30B29/04@W	ダイヤモンドからなる又はダイヤモンドを含む物品		HB	CC	4G077

C30B29/04@X	・基材表面に気相法ダイアモンド被覆を施した物品		HB	CC	4G077

C30B29/04@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/06	・・シリコン［３］		HB	CC	4G077

C30B29/06@A	結晶自体に特徴あるもの〔例．不純物濃度，物性，結晶方位の特定〕		HB	CC	4G077

C30B29/06@B	結晶の後処理		HB	CC	4G077

C30B29/06@C	Ｓｉの結晶を使用した物品		HB	CC	4G077

C30B29/06@D	結晶成長用のＳｉ材料の製造〔例．高純度多結晶シリコン棒の製造〕		HB	CC	4G077

C30B29/06@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/06,501	・・・液相からの成長		HB	CC	4G077

C30B29/06,501@A	ゾ－ンメルテイングによる成長		HB	CC	4G077

C30B29/06,501@B	液相エピタキシヤル成長		HB	CC	4G077

C30B29/06,501@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/06,502	・・・・引上げ法によるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@A	原料粉末の供給，融液の形成		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@B	るつぼ〔るつぼに一体化又は密着して使用される治具を含む〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@C	引上げ炉内で使用される治具〔例，熱遮蔽板，保温筒等〕に特徴あるもの〔Ｅが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@D	・融液内に配置されるもの〔Ｅが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@E	加熱，冷却手段に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@F	種結晶及び種結晶の保持，引上げ装置に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@G	磁場を使用するもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@H	不純物，不可避不純物量の制御		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@J	引上げ速度，回転数の制御〔Ｈが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@K	引上炉内の雰囲気の調整〔雰囲気ガスの供給，排出，圧力調整〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,502@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/06,503	・・・融液からの板状，帯状シリコンの引き出し		HB	CC	4G077

C30B29/06,504	・・・気相からの成長		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@A	基材上への薄膜の成長		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@B	・原料ガスの選択，組成に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@C	・原料ガスの供給・排出，流れの制御に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@D	・基板の加熱，冷却の手段，方法に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@E	・基板材料の選択に特徴あるもの〔Ｆが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@F	・基板の処理〔Ｊが優先〕；基板上にＳｉ以上の膜を形成させてのちＳｉ膜を成長させるもの〔例．バツフア－膜の形成〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@G	・Ｓｉ膜を二工程以上に分けて成長させるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@H	・Ｓｉ膜を基板上の時定領域に成長させるもの〔Ｊが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@J	・基板上の種子結晶上に成長させるもの		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@K	・基板上に形成したＳｉ膜に処理を施すもの〔例．非結晶質Ｓｉ膜の単結晶化，ド－ピング〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@L	・気相成長用の装置，治具類に特徴あるもの〔例．基板支持台，ベルジヤ－，Ｃ～Ｋが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/06,504@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/08	・・ゲルマニウム［３］		HB	CC	4G077

C30B29/10	・無機化合物または組成物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/12	・・ハロゲン化物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/14	・・りん酸塩［３］		HB	CC	4G077

C30B29/16	・・酸化物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/18	・・・石英［３］		HB	CC	4G077

C30B29/20	・・・酸化アルミニウム［３］		HB	CC	4G077

C30B29/22	・・・複合酸化物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/22@A	Ａｌを含有するもの〔Ａ～Ｆはラストプレ－スル－ルを適用〕		HB	CC	4G077

C30B29/22@B	・ＢｅＡｌ↓２Ｏ↓４〔クリソベリル，アレキサンドライト〕		HB	CC	4G077

C30B29/22@C	Ｂを含有するもの		HB	CC	4G077

C30B29/22@D	Ｂｉを含有するもの		HB	CC	4G077

C30B29/22@F	フエライト		HB	CC	4G077

C30B29/22@G	・ＭｎとＺｎとを含むもの		HB	CC	4G077

C30B29/22@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/22,501	・・・・超電導材料		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@A	固相からの成長		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@B	液相からの成長		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@C	・基板上に超電導層を形成したもの		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@D	気相法による成長		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@E	・基板上に超電導層を形成したもの		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@H	・・スパツタリングによるもの〔Ｊ～Ｎが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@J	・・基板の選択に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@K	・・基板の処理，基板と超電導層との間に中間層を形成したもの		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@L	・・製膜後に超電導層に処理を施すもの〔例．熱処理，イオン注入処理等〕		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@M	・・超電導層を複層に形成するもの又は超電導層の表面に更に他の材料の層を形成するもの		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@N	超電導材料を利用した物品の用途に特徴のあるもの〔例．半導体装置，半導体基板，線材〕		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@P	超電導結晶の後処理に特徴あるもの〔Ｌが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/22,501@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/24	・・・・式ＡＭｅＯ↓３を有するもの，ここでＡは希土類金属またはＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ，例．オルソフェライト［３］		HB	CC	4G077

C30B29/26	・・・・式ＢＭｅ↓２Ｏ↓４を有するもの，ここでＢはＭｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ａｌ，ＺｎまたはＣｄまたＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ［３］		HB	CC	4G077

C30B29/28	・・・・式Ａ↓３Ｍｅ↓５Ｏ↓１↓２を有するもの，ここでＡは希土類金属またＭｅはＦｅ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｃｒ，ＣｏまたはＡｌ，例．ガーネット［３］		HB	CC	4G077

C30B29/30	・・・・ニオブ酸塩；バナジン酸塩；タンタル酸塩［３］		HB	CC	4G077

C30B29/30@A	ニオブ酸塩〔Ｃが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/30@B	タンタル酸塩〔Ｃが優先〕		HB	CC	4G077

C30B29/30@C	ニオブとタンタルとを含むもの		HB	CC	4G077

C30B29/30@D	バナジン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/30@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/32	・・・・チタン酸塩；ゲルマニウム酸塩；モリブデン酸塩；タングステン酸塩［３］		HB	CC	4G077

C30B29/32@A	チタン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/32@B	・アルカリ金属のチタン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/32@C	・アルカリ土類金属のチタン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/32@D	・チタン酸鉛		HB	CC	4G077

C30B29/32@G	ゲルマニウム酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/32@M	モリブデン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/32@W	タングステン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/32@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/34	・・けい酸塩［３］		HB	CC	4G077

C30B29/34@A	ベリル〔ＢｅＯ－Ａｌ↓２Ｏ↓３－ＳｉＯ↓２〕		HB	CC	4G077

C30B29/34@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/36	・・炭化物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/36@A	炭化けい素		HB	CC	4G077

C30B29/36@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/38	・・窒化物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/38@A	Ｂを含むもの〔例．ＢＮ，ＢＣＮ〕		HB	CC	4G077

C30B29/38@B	Ｓｉを含むもの〔例．Ｓｉ↓３Ｎ↓４〕		HB	CC	4G077

C30B29/38@C	Ａｌを含むもの〔例．ＡｌＮ〕		HB	CC	4G077

C30B29/38@D	Ｇａを含むもの〔例．ＧａＮ〕		HB	CC	4G077

C30B29/38@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/40	・・ＡＩＩＩＢＶ化合物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/40@A	結晶自体に特徴あるもの〔例；結晶の物性，不純物濃度の特定〕		HB	CC	4G077

C30B29/40@B	結晶成長用の原料の合成，精製		HB	CC	4G077

C30B29/40@C	結晶の処理		HB	CC	4G077

C30B29/40@D	Ａ３ＢＶ化合物結晶を用いた物品の用途		HB	CC	4G077

C30B29/40@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/40,501	・・・液相からの成長		HB	CC	4G077

C30B29/40,501@A	引き上げ法によるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,501@B	液相から基板上に薄膜を成長させるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,501@C	ノ－マルフリ－ジング又は温度勾配凝固によるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,501@D	帯域溶融法によるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,501@E	溶質合成拡散法によるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,501@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/40,502	・・・気相からの成長		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@A	基板上への薄膜の成長〔分子線によるものは，Ｋへ〕		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@B	・原料ガスの選択に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@C	・・３，Ｖ族源以外の成分ガス〔例．不純物ガス，キヤリア－ガス〕の選択に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@D	・原料ガスの生成，供給，排出に特徴あるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@E	・・原料ガスの供給量，成分比を成長中に変化させるもの〔例；成分を交互に供給するもの，特定成分の供給量を変えるもの〕		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@F	・基板材料に特徴のあるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@G	・基板の処理〔基板上に他の被膜をコ－テイングしてのち成長させるものは，Ｈへ〕		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@H	・基板と成長層との間に他の層〔例．バツフア層〕を形成するもの又は基板上に複数の成長層を形成するもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@J	・基板上の特定領域に成長させるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@K	・分子線により成長させるもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@L	薄膜以外の形状の結晶を気相法で得るもの		HB	CC	4G077

C30B29/40,502@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/42	・・・ひ化ガリウム［３］		HB	CC	4G077

C30B29/44	・・・りん化ガリウム［３］		HB	CC	4G077

C30B29/46	・・硫黄，セレンまたはテルルを含む化合物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/48	・・・ＡＩＩＢＶＩ化合物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/50	・・・・硫化カドミウム［３］		HB	CC	4G077

C30B29/52	・・合金［３］		HB	CC	4G077

C30B29/54	・有機化合物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/56	・・酒石酸塩［３］		HB	CC	4G077

C30B29/58	・・高分子化合物［３］		HB	CC	4G077

C30B29/60	・形状により特徴づけられたもの［３］		HB	CC	4G077

C30B29/62	・・ひげ結晶または針状結晶［３］		HB	CC	4G077

C30B29/62@A	酸化物〔複合酸化物は，Ｅへ〕		HB	CC	4G077

C30B29/62@B	・アルミナ		HB	CC	4G077

C30B29/62@C	・酸化チタン		HB	CC	4G077

C30B29/62@D	・酸化亜鉛		HB	CC	4G077

C30B29/62@E	複合酸化物；酸素酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/62@F	・チタン酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/62@G	・硫酸塩〔例．硫酸カルシウム〕		HB	CC	4G077

C30B29/62@H	・ホウ酸塩		HB	CC	4G077

C30B29/62@J	炭化物		HB	CC	4G077

C30B29/62@K	・炭化けい素		HB	CC	4G077

C30B29/62@L	・・二酸化けい素を原料とするもの		HB	CC	4G077

C30B29/62@M	・・Ｓｉ，Ｓｉ合金を原料とするもの		HB	CC	4G077

C30B29/62@N	・・分解性けい素化合物〔例；有機けい素化合物〕又は気体状けい素化合物を原料とするもの		HB	CC	4G077

C30B29/62@P	・・炭化けい素ウイスカ－の精製又は処理		HB	CC	4G077

C30B29/62@Q	窒化物		HB	CC	4G077

C30B29/62@R	・窒化けい素		HB	CC	4G077

C30B29/62@S	炭素		HB	CC	4G077

C30B29/62@U	金属，合金		HB	CC	4G077

C30B29/62@V	製造法一般〔製造されるウイスカ－が特定されていないもの〕		HB	CC	4G077

C30B29/62@W	ウイスカ－の処理〔ウイスカ－が特定されていないもの〕		HB	CC	4G077

C30B29/62@Z	その他		HB	CC	4G077

C30B29/64	・・平型結晶，例．板，帯状体または円板［５］		HB	CC	4G077

C30B29/66	・・複雑な幾何学的形状の結晶，例．管，円筒［５］		HB	CC	4G077

C30B29/68	・・層構造からなる結晶，例．“超格子”［５］		HB	CC	4G077

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